高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶硅锭技术

本发明专利技术适用于光伏电池技术领域，提供了高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶硅锭，该方法包括：在坩埚内表面涂覆第一隔离层；在所述坩埚底面涂覆的第一隔离层的上表面涂覆反应层；在所述坩埚底面涂覆的反应层的上表面涂覆第二隔离层；在涂覆第二隔离层后的坩埚内放入多晶硅原料，并将坩埚放置于铸锭炉中，将所述铸锭炉抽真空；将所述铸锭炉加热至第一预设温度，使所述多晶硅原料全部熔化，形成硅液；利用所述反应层中的二氧化硅与渗透所述第二隔离层的硅液，在所述坩埚底部形成异质结；利用所述异质结对硅液进行结晶处理，生长成高效多晶硅锭。本发明专利技术能够降低工艺难度，节省化料时间。

Preparation method of high efficiency polycrystalline silicon ingot and high efficiency polysilicon ingot

The invention is applicable to the technical field of photovoltaic cells and provides a preparation method of high-efficiency polycrystalline silicon ingots and a high-efficiency polycrystalline silicon ingot. The method comprises: coating a first isolation layer on the inner surface of a crucible; coating a reaction layer on the upper surface of a first isolation layer on the bottom surface of the crucible; and coating a reaction layer on the bottom surface of the crucible. The second insulating layer is coated, the polycrystalline silicon raw material is put into the crucible after the second insulating layer is coated, and the crucible is placed in the ingot furnace to vacuum the ingot furnace, the ingot furnace is heated to the first preset temperature, so that the polycrystalline silicon raw material is melted to form a silicon liquid, and the silicon dioxide in the reaction layer and the silicon liquid are used. The silicon liquid penetrating the second isolation layer forms a heterojunction at the bottom of the crucible, and the silicon liquid is crystallized with the heterojunction to grow into a high efficient polysilicon ingot. The invention can reduce process difficulty and save material time.

【技术实现步骤摘要】
高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶硅锭
本专利技术属于光伏电池
，尤其涉及一种高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶硅锭。
技术介绍
高效多晶硅锭具有位错密度低、晶界结构规则和晶粒分布均匀等优点，是制备光伏电池的常用材料。目前，制备高效多晶硅锭的常用方法是在坩埚底部铺设碎硅料，然后将多晶硅原料放入坩埚内，在化料时，控制坩埚内多晶硅原料全部熔化，碎硅料部分熔化，未熔化的碎硅料作为籽晶，从籽晶处开始形核长晶，最后得到高质量硅锭。但是，这种方法由于需要保证多晶硅原料全部熔化时，碎硅料部分熔化，在制备过程中难以控制碎硅料的熔化状态，工艺难度高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶硅锭，以解决现有技术中制备高效多晶硅锭时难以控制碎硅料的熔化状态，工艺难度高的问题。本专利技术实施例第一方面提供了一种高效多晶硅锭的制备方法，包括：在坩埚内表面涂覆第一隔离层，所述第一隔离层的材质包括氮化硅和纯水；在涂覆第一隔离层的坩埚底面的上表面涂覆反应层，所述反应层的材质包括二氧化硅和纯水；在涂覆反应层的坩埚底面的上表面涂覆第二隔离层，所述第二隔离层的材质包括氮化硅和纯水本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高效多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：在坩埚内表面涂覆第一隔离层，所述第一隔离层的材质包括氮化硅和纯水；在涂覆第一隔离层的坩埚底面的上表面涂覆反应层，所述反应层的材质包括二氧化硅和纯水；在涂覆反应层的坩埚底面的上表面涂覆第二隔离层，所述第二隔离层的材质包括氮化硅和纯水；在涂覆第二隔离层后的坩埚内放入多晶硅原料，并将所述坩埚放置于铸锭炉中，将所述铸锭炉抽真空；将所述铸锭炉加热至第一预设温度，使所述多晶硅原料全部熔化，形成硅液；利用所述反应层中的二氧化硅与渗透所述第二隔离层的硅液，在所述坩埚底部形成异质结；利用所述异质结对硅液进行结晶处理，生长成高效多晶硅锭。

【技术特征摘要】
1.一种高效多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：在坩埚内表面涂覆第一隔离层，所述第一隔离层的材质包括氮化硅和纯水；在涂覆第一隔离层的坩埚底面的上表面涂覆反应层，所述反应层的材质包括二氧化硅和纯水；在涂覆反应层的坩埚底面的上表面涂覆第二隔离层，所述第二隔离层的材质包括氮化硅和纯水；在涂覆第二隔离层后的坩埚内放入多晶硅原料，并将所述坩埚放置于铸锭炉中，将所述铸锭炉抽真空；将所述铸锭炉加热至第一预设温度，使所述多晶硅原料全部熔化，形成硅液；利用所述反应层中的二氧化硅与渗透所述第二隔离层的硅液，在所述坩埚底部形成异质结；利用所述异质结对硅液进行结晶处理，生长成高效多晶硅锭。2.如权利要求1所述的高效多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述利用所述反应层中的二氧化硅与渗透所述第二隔离层的硅液，在所述坩埚底部形成异质结，包括：将所述铸锭炉的温度降低至第二预设温度，所述反应层中的二氧化硅与渗透所述第二隔离层的硅液，在所述坩埚底部形成异质结。3.如权利要求1所述的高效多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述利用所述异质结对硅液进行结晶处理，生长成高效多晶硅锭，包括：将所述铸锭炉的温度降低至第三预设温度，并将散热窗口的开度设为第一预设值，在所述坩埚底部形成过冷状态，硅液在所述异质结的基础上长晶，在所述坩埚底部生长成晶粒；将所述铸锭炉的温度降低至第四预设温度，并将所述铸锭炉的散热窗口开度设置为第二预设值，硅液在所述的晶粒的基础上开始长晶；长晶完成后经退火和冷却后形成高效多晶硅锭。4.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王坤，刘志强，潘家明，潘明翠，王丙宽，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13