覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法技术

本发明专利技术提供一种覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法，其中，本发明专利技术覆晶芯片取裸片的制备方法包括：提供覆晶芯片，覆晶芯片包括裸片及封装于裸片的外部的封装结构，裸片的正面具有锡球；研磨封装结构，直至裸露出裸片正面的锡球；采用淋酸蚀刻的方式蚀刻裸片的正面，去除裸片正面的锡球、残留的封装结构，达到裸片正面完全开封以得到裸片样品。本发明专利技术覆晶芯片取裸片的制备方法不需要用酸煮沸去除封装结构，而是研磨掉封装结构的一部分，再使用淋酸蚀刻的方式去除锡球和裸片正面的封装结构，从而获得裸片，不会造成崩边或裂痕，使用此裸片进行其他实验时，可排除人为因素对裸片的影响，提高了实验准确性，具有优异的技术效果。

Preparation method and failure analysis method of flip chip chip

The invention provides a preparation method and a failure analysis method for taking bare chip of a chipped chip, wherein the preparation method for taking bare chip of the chipped chip includes: providing a chipped chip, including a bare chip and an outer packaging structure encapsulated in the bare chip, having a tin ball on the front of the bare chip, grinding and packaging structure until bare. The tin balls on the front of the bare sheet were etched by leaching acid etching, and the tin balls on the front of the bare sheet and the residual packaging structure were removed, so that the front of the bare sheet was completely opened to obtain the bare sheet sample. The preparation method of the bare chip of the invention does not need to remove the package structure by acid boiling, but grinds off a part of the package structure, and then removes the package structure of the tin ball and the front of the bare chip by acid leaching etching so as to obtain the bare chip without causing edge collapse or crack. When the bare chip is used for other experiments, it can be used. Excluding the influence of human factors on the naked film, it improves the accuracy of the experiment and has excellent technical results.

【技术实现步骤摘要】
覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法
本专利技术涉及半导体
，尤其是指一种覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法。
技术介绍
由于半导体工艺的飞速发展，国内外高阶28nm甚至更小工艺的芯片已广泛推广应用。一般的封装形式已经不能满足芯片传输速率的要求，倒封装技术的出现解决了这一问题。目前倒封装的芯片已经广泛的应用在各个领域，且未来C4封装等先进封装将成为主流。因倒封装芯片的金属层数通常比较多，且正面有锡球存在。故通常可靠性实验后抽样检测失效分析，使用发烟硝酸取裸片可能会被烧杯与发烟硝酸反应时沸腾或热涨影响下导致裸片取下后有崩边或裂痕，从而无法准确判断是否为芯片表面自身制程上的瑕疵。故有必要提供一种取裸片的方案，不会造成裸片取下后有崩边或裂痕，便于进行下一步失效分析。
技术实现思路
为了解决现有技术中从覆晶芯片取裸片时造成裸片取下后有崩边或裂痕的技术问题，本专利技术提供了一种覆晶芯片取裸片的制备方法。本专利技术提供的覆晶芯片取裸片的制备方法包括：提供覆晶芯片，所述覆晶芯片包括裸片及封装于所述裸片的外部的封装结构，所述裸片的正面具有锡球；研磨所述封装结构，直至裸露出所述裸片正面的所述锡本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种覆晶芯片取裸片的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供覆晶芯片，所述覆晶芯片包括裸片及封装于所述裸片的外部的封装结构，所述裸片的正面具有锡球；研磨所述封装结构，直至裸露出所述裸片正面的所述锡球；采用淋酸蚀刻的方式蚀刻所述裸片的正面，去除所述裸片正面的所述锡球、残留的封装结构，达到所述裸片正面完全开封以得到裸片样品。

【技术特征摘要】
1.一种覆晶芯片取裸片的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供覆晶芯片，所述覆晶芯片包括裸片及封装于所述裸片的外部的封装结构，所述裸片的正面具有锡球；研磨所述封装结构，直至裸露出所述裸片正面的所述锡球；采用淋酸蚀刻的方式蚀刻所述裸片的正面，去除所述裸片正面的所述锡球、残留的封装结构，达到所述裸片正面完全开封以得到裸片样品。2.如权利要求1所述的覆晶芯片取裸片的制备方法，其特征在于，所述封装结构包括封装基底、凸块和塑封体，所述封装基底通过所述凸块连接于所述裸片的正面，所述塑封体包裹于所述裸片和所述锡球的外部。3.如权利要求2所述的覆晶芯片取裸片的制备方法，其特征在于，研磨所述封装结构，直至裸露出所述裸片正面的所述锡球的步骤包括：对所述封装结构进行粗磨，研磨掉所述封装基底、所述凸块和所述裸片外部的所述塑封体的三分之二部分；提供冷埋固化胶体，将所述覆晶芯片结合并固化于所述冷埋固化胶体中；对所述塑封体和所述冷埋固化胶体进行细磨，研磨所述塑封体剩下的三分之一部分直至裸露出所述裸片正面的所述锡球。4.如权利要求3所述的覆晶芯片取裸片的制备方法，其特征在于：使用P800砂纸进行所...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘健成，陈清陇，
申请(专利权)人：宜特上海检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31