【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有均匀的径向氧变化的硅晶片
本专利技术涉及具有均匀的径向氧变化的硅晶片。
技术介绍
硅晶片由于其性质特别适合作为基材晶片，在其上侧面(正面)上沉积外延层。具有沉积的外延层的硅晶片还称作外延硅晶片。硅晶片的其中设置电子元件的区域必须加以保护而不被痕量金属污染。在外延硅晶片的情况下，该区域通常位于外延层中。针对金属杂质的特别有效的保护是由BMD(块体微缺陷)形成，氧在基材晶片中的析出物，因为其构成所谓的内部吸杂剂，金属杂质优选在此累积。通常在生产电子元件所需的一次或多次热处理的过程中，BMD由核心长大。因此，外延硅晶片在供应至电子元件的制造厂时需要在基材晶片中具有足够的BMD核心，从而可以获得高的BMD密度。在大于1000℃的温度下在基材晶片上沉积外延层。在此温度下，较小的BMD核心被消除，这也使得更加难以在重度掺杂的基材晶片中提供足够数量的BMD核心。若根据Czochralski(CZ)法由保持在石英坩埚中的熔体提拉单晶，由单晶获得硅晶片，则坩埚材料形成被引入单晶及由此获得的硅晶片中的氧的来源。控制提拉速率V与在结晶边界处的轴向温度梯度G的比例V/G在根据CZ法提...
【技术保护点】
1.硅晶片，其在硅晶片的整个半径上测得的氧浓度的径向变化小于7％。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.22 DE 102015226399.11.硅晶片，其在硅晶片的整个半径上测得的氧浓度的径向变化小于7％。2.根据权利要求1的硅晶片，其中氧浓度的径向变化小于5％。3.根据权利要求2的硅晶片，其中氧浓度的径向变化小于2％。4.根据权利要求1至3之一的硅晶片，其中所述硅晶片是用氮掺杂的，并且具有不小于5×1012个原子/cm3且不大于3.5×1013个原子/cm3的氮浓度。5.根据权利要求1至4之一的硅晶片，其中所述硅晶片中的氧浓度为5×1017个原子/cm3至6×1017个原子/cm3。6.根据权利要求5的硅晶片，其中所述硅晶片是用氢掺杂的，并且具有不小于3×1013个原子/cm3且不大于8×1013个原子/cm3的氢浓度。7.p/p+掺杂的外延硅晶片，其包含根据权利要求1至6之一的硅晶片作为基材，其中所述外延硅晶片包含BMD核心，BMD核心在硅晶片的半径上求平均的密度不小于1×105cm-3且不大于1×107cm-3，BMD核心的密度由外延硅晶片的中心至边缘相对于平均值偏差不大于20％。8.根据权利要求7的...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·曼格尔贝格尔，W·霍维泽尔，M·什克罗鲍奈克，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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