一种全氮硅单晶拉晶用装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种全氮硅单晶拉晶用装置，包括炉体，炉体内设置坩埚、导流筒和用于挂设导流筒的悬挂装置，导流筒位于坩埚的上部，炉体的顶部开设有氮气进气口，悬挂装置包括中空的悬臂和进气盘，进气盘固定连接于悬臂的底部，悬臂的一端伸出炉体，悬臂的另一端伸入炉体的炉盖下与进气盘连通，悬臂的顶部连接氩气进气管路，本发明专利技术的有益效果是利用氩气作为局部保护气体，氮气作为保压气体，在实现氮气代替氩气作为保护气体拉直单晶的同时也避免了氮气与单晶反应，既达到了降成本的目的，同时又保证了产品质量。

A device for pulling crystal of total nitrogen silicon single crystal

The invention provides a device for pulling crystal of all nitrogen silicon single crystal, which comprises a furnace body, a crucible, a guide cylinder and a suspension device for hanging the guide cylinder in the furnace body, the guide cylinder in the upper part of the crucible, and a nitrogen inlet at the top of the furnace body. The suspension device comprises a hollow cantilever and an air inlet disc, and the air inlet disc is fixed and connected with the cantilever. One end of the cantilever extends out of the furnace body, the other end of the cantilever extends under the furnace cover and communicates with the air intake disc, and the top of the cantilever is connected with the argon intake pipe. The beneficial effect of the invention is that the argon is used as the local protective gas, and the nitrogen is used as the pressure holding gas, and the nitrogen is replaced by the argon as the protective gas to straighten the single crystal. At the same time, the reaction between nitrogen and single crystal is avoided, which not only reduces the cost, but also ensures the product quality.

【技术实现步骤摘要】
一种全氮硅单晶拉晶用装置
本专利技术属于硅单晶生产
，尤其是涉及一种全氮硅单晶拉晶用装置。
技术介绍
在现有技术中，硅单晶拉晶生产的全过程采用高纯氩气作为保护气，以保护单晶硅棒的生长，随着硅棒直径的增加，整个生产过程时间在不断的延长，同时，消耗的高纯氩气也越来越多，导致生产成本不断增加；或者通过通入氩气与氮气的混合气来降低生产成本，但是氩气与氮气的比例在实际生产的过程中控制困难，增加生产负担，增加人力物力，变相增加了生产成本。目前，通过技术的改进，采用全程通入低成本的高纯氮气来替代高纯氩气作为保护气来降低生产成本，但是在生产的过程中由于氮与硅反应生成氮化硅以及融进硅熔体的氮析出会影响成晶。
技术实现思路
本专利技术的目的是要解决
技术介绍
中的问题，提供一种全氮硅单晶拉晶用装置。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种全氮硅单晶拉晶用装置，包括炉体，所述炉体内设置坩埚、导流筒和用于挂设所述导流筒的悬挂装置，所述导流筒位于所述坩埚的上部，所述炉体的顶部开设有氮气进气口，所述悬挂装置包括中空的悬臂和进气盘，所述进气盘固定连接于所述悬臂的底部，所述悬臂的一端伸出所述炉体，所述悬臂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全氮硅单晶拉晶用装置，包括炉体，其特征在于：所述炉体内设置坩埚、导流筒和用于挂设所述导流筒的悬挂装置，所述导流筒位于所述坩埚的上部，所述炉体的顶部开设有氮气进气口，所述悬挂装置包括中空的悬臂和进气盘，所述进气盘固定连接于所述悬臂的底部，所述悬臂的一端伸出所述炉体，所述悬臂的另一端伸入所述炉体的炉盖下与所述进气盘连通，所述悬臂的顶部连接氩气进气管路。

【技术特征摘要】
1.一种全氮硅单晶拉晶用装置，包括炉体，其特征在于：所述炉体内设置坩埚、导流筒和用于挂设所述导流筒的悬挂装置，所述导流筒位于所述坩埚的上部，所述炉体的顶部开设有氮气进气口，所述悬挂装置包括中空的悬臂和进气盘，所述进气盘固定连接于所述悬臂的底部，所述悬臂的一端伸出所述炉体，所述悬臂的另一端伸入所述炉体的炉盖下与所述进气盘连通，所述悬臂的顶部连接氩气进气管路。2.根据权利要求1或2所述的一种全氮硅单晶拉晶用装置，其特征在于：所述进气盘为中空结构，所述进气盘的顶部与所述悬臂的底部连通，所述进气盘的底部设有通气孔，所述通气孔朝向靠近坩埚内熔体的位置。3.根据权利要求2所述的一种全氮硅单晶拉晶用装置，其特征在于：所述悬臂设置为多个，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文霞，高树良，谷守伟，高润飞，裘孝顺，刘伟，武志军，张全顺，田野，
申请(专利权)人：内蒙古中环光伏材料有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙古,15