静电放电钳位器件、电路及静电放电保护电路制造技术

本发明专利技术提供一种静电放电钳位器件、电路及静电放电保护电路，在所述静电放电钳位器件中，衬底上具有两个以上相隔离的阱区；在每一个所述阱区中，包括一源极区、一漏极区和一体区，所述源极区和漏极区之间的阱区上具有一栅极，所述体区与栅极短接；在不同的所述阱区之间，第一个所述阱区中的源极区连接一第一电源线，最后一个所述阱区中的漏极区连接一第二电源线，前一所述阱区中的漏极区连接后一所述阱区中的源极区。所述静电放电钳位器件、电路及静电放电保护电路具有反向保护能力，可以提高静电放电钳位器件的鲁棒性。

Electrostatic discharge clamping devices, circuits and ESD protection circuits

The present invention provides an electrostatic discharge clamping device, a circuit and an electrostatic discharge protection circuit in which a substrate has two or more isolated well areas; in each well area, a source electrode area, a drain electrode area and an integrated area are provided, and a well area between the source electrode area and the drain electrode area is provided. There is a gate, the body area and the gate are short connected; between the different well areas, the source area in the first well area is connected with a first power line, and the drain area in the last well area is connected with a second power line. The drain area in the former well area is connected with the source area in the latter well area. The electrostatic discharge clamping device, the circuit and the electrostatic discharge protection circuit have the reverse protection ability, and can improve the robustness of the electrostatic discharge clamping device.

【技术实现步骤摘要】
静电放电钳位器件、电路及静电放电保护电路
本专利技术涉及集成电路静电保护电路设计领域，尤其涉及一种静电放电钳位器件、电路及静电放电保护电路。
技术介绍
集成电路(ICs)在制造、装配和测试或在最终的应用中，很容易遭受到制造或者使用过程中的破坏性静电放电(ESD)，可导致许多问题，如栅极氧化物击穿、结损伤、金属损害、和表面电荷累积，从而使得集成电路受到静电的损伤。目前，电源管理集成电路，驱动器集成电路和汽车集成电路等高压集成电路已经广泛应用于生产生活当中，但是，在现有的在高压集成电路中，静电放电的鲁棒性(robustness)差，并且没有反向保护，不足以满足高压静电放电的要求，造成高压集成电路损伤。因此，有必要对的高压集成电路提供有效地的静电放电保护。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种静电放电钳位器件、电路及静电放电保护电路，可以有效地提高高压集成电路的静电放电保护能力。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种静电放电钳位器件，包括：衬底；所述衬底上具有两个以上相隔离的阱区；在每一个所述阱区中，包括一源极区、一漏极区和一体区，所述源极区和漏极区之间的阱区上具有一栅极，所述体区与栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电放电钳位器件，其特征在于，包括：衬底；所述衬底上具有两个以上相隔离的阱区；在每一个所述阱区中，包括一源极区、一漏极区和一体区，所述源极区和漏极区之间的阱区上具有一栅极，所述体区与栅极短接；在不同的所述阱区之间，第一个所述阱区中的源极区连接一第一电源线，最后一个所述阱区中的漏极区连接一第二电源线，前一所述阱区中的漏极区连接后一所述阱区中的源极区；其中，所述衬底、源极区和漏极区为第一导电类型，所述阱区和体区为第二导电类型。

【技术特征摘要】
1.一种静电放电钳位器件，其特征在于，包括：衬底；所述衬底上具有两个以上相隔离的阱区；在每一个所述阱区中，包括一源极区、一漏极区和一体区，所述源极区和漏极区之间的阱区上具有一栅极，所述体区与栅极短接；在不同的所述阱区之间，第一个所述阱区中的源极区连接一第一电源线，最后一个所述阱区中的漏极区连接一第二电源线，前一所述阱区中的漏极区连接后一所述阱区中的源极区；其中，所述衬底、源极区和漏极区为第一导电类型，所述阱区和体区为第二导电类型。2.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述体区围绕所述源极区、栅极和漏极区。3.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述静电放电钳位器件还包括第一深阱，所述阱区位于所述第一深阱中，所述第一深阱为第一导电类型。4.如权利要求3所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述静电放电钳位器件还包括用于隔离所述第一深阱的第二深阱，所述第二深阱为第二导电类型。5.如权利要求3所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第二深阱中设置有引出区，所述引出区接浮动电压，所述引出区为第二导电类型。6.如权利要求3所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述静电放电钳位器件还包括第三深阱，所述第一深阱位于所述第三深阱中，所述第三深阱为第二导电类型。7.如权利要求6所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第三深阱的掺杂浓度小于所述阱区的掺杂浓度。8.如权利要求3所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第一深阱中还包括至少一隔离区，相邻的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷欣明，陈捷，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31