一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件及其制造方法，其包括：一个GND‑IO路径上横向的PNPN结构和一个IO‑GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联。本发明专利技术分别利用横向和纵向的PNPN结构实现了双向大骤回特性，而且分别串联一个降容二极管D1和D2，实现了降低电容的目的。而且表面只需要引出一个I/01，另外一个I/02从GND引出，封装简单且更容易实现，比表面多IO的打线方式封装成本更低。此特殊结构的设计实现使其具有超低的电容，超低残压，所以在保护高频数据接口电路上的应用优势十分明显。

【技术实现步骤摘要】
一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体保护器件领域，特别涉及一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS(TVS，TransientVoltageSuppressors)器件及其制造方法。
技术介绍
随着各类ESD电路集成度的不断增高，集成电路的线宽也随之减小。电路中以静电放电(ESD)或其他形式存在的瞬态电压也因此更容易对电子器件造成破坏。各种多功能移动终端设备不断涌现以满足人们日益增加的使用需求，对应的功能接口也在不断的升级，USB作为手机最主要的通信接口，从USB2.0到现在最新USB3.1对数据传输的要求越来越高，主芯片的升级对端口防护提出更苛刻的要求，传统结构的ESD产品已不能满足客户应用要求。双向大骤回SCR特性低电容TVS具有超低残压和超低电容的特性，主要是针对目前HMDI2.0和USB3.0/3.1等高速数据接口ESD保护。双向TVS二极管，能够将来自数据线两端正负极的浪涌脉冲泄放，从而保护系统免于遭受各种形式的瞬态高压的冲击。与普通的双向TVS相比，大骤回特性的TVS采用SCR工艺(可控硅技术)实现ESD和Surge测试时超低残压的目标，其原理是当大电压击穿器件后，TVS电压快速降低到1-3V，达到超低残压的目的，在实际应用过程中具有非常可靠的双向过压保护功能，在EDS器件保护应用中具有更高的灵活性和可靠性。普通的双向TVS大多是NPN结构,等效电路图如图1所示。双向TVS在N型硅衬底/P-外延上掺杂一层N型杂质，形成NPN结，如图2所示，普通双向TVS包括ALsicu金属层24、SiO2绝缘层23、N型掺杂层22，P-外延21,N+衬底20。目前很多端口的保护都趋于双向保护，但是普通双向TVS已经无法满足高速数据通讯端口的超低残压、超低电容的要求，所以研发出双向低残压的器件显得十分迫切。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件及其制造方法。为解决上述技术问题，本专利技术产品的技术方案是：一种具有双向大骤回SCR特性超低电容TVS的器件，其特征在于，包括：一个GND-IO路径上横向的PNPN结构和一个IO-GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联。上述具有双向大骤回SCR特性超低电容TVS的器件的制备方法，包括：步骤A：在重掺杂N型硅衬底用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂形成P埋层；步骤B:生长一层轻掺杂N型外延层1；步骤C：在轻掺杂N型外延层1上用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂形成Pwell-1层；步骤D：在轻掺杂N型外延层1上用光刻胶掩膜开出N型掺杂区域窗口，进行N型掺杂形成N埋层；步骤E：生长一层更轻掺杂N型外延层2；步骤F：用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂离子注入,形成P型掺杂形成Pwell-2层；步骤G：用光刻胶掩膜开出N型掺杂区域窗口，进行N型掺杂离子注入,形成N型掺杂形成Nwell层；步骤H：用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂离子注入,形成P型掺杂形成P+层；步骤I：用光刻胶掩膜开出N型掺杂区域窗口，进行N型掺杂离子注入,形成N型掺杂形成N+层；步骤J：沉积一层1.5-2μm的SiO2膜作为刻深隔离槽的掩蔽层；步骤K：在步骤J的掩蔽层上进行光刻和二氧化硅腐蚀，刻蚀出深隔离槽的窗口，该窗口作为步骤L中干法刻蚀深隔离槽的参照位置；步骤L：在外延上干法刻蚀深隔离槽一直延伸到N型衬底；将左边的横向PNPN结构和右边的纵向PNPN结构隔离开来；步骤M:用二氧化硅膜填充步骤L中形成的深隔离槽；步骤N：刻蚀孔；步骤O：淀积金属。步骤A中，P埋层的注入剂量在1E16到3E16之间，退火的温度在1100-1150℃之间,该层用于阻断I/O到GND的电流通路。步骤B中，N型外延层1的厚度在3-5um，电阻率在1-20ohm之间。步骤C中，Pwell-1层的注入剂量在1E12到3E12之间，扩散透整个外延层1。步骤D中，N埋层的注入剂量在1E16到3E16之间，退火的温度在1100-1150℃之间。步骤E中外延层2厚度在5-8um，浓度较外延层1更淡，接近为本征外延，电阻率在200ohm以上。步骤F中Pwell-2层形成后应与Pwell-1层相连,Pwell-1注入剂量在1E11到1E12之间。步骤L中，深槽的深度为10-15μm，深宽比在15:1和15:2之间。在步骤J中包括步骤：沉积一层1.5-2μm的SiO2膜作为深隔离槽的掩蔽层，在掩蔽层上进行光刻和SiO2腐蚀，刻蚀出窗口，该定位沟槽窗口作为步骤L中干法刻蚀深槽的参照位置。本专利技术分别利用横向和纵向的PNPN结构实现了双向大骤回特性，而且分别串联一个降容二极管D1和D2，实现了降低电容的目的。而且表面只需要引出一个I/01，另外一个I/02从GND引出，封装简单且更容易实现，比表面多IO的打线方式封装成本更低。此特殊结构的设计实现使其具有超低的电容，超低残压，所以在保护高频数据接口(例如HTMI2.0、Type-C接口USB3.0)电路上的应用优势十分明显。附图说明图1所示为普通的NPN结构双向TVS的等效电路图。图2所示为双向TVS在N型硅衬底/P-外延上掺杂一层N型杂质形成的NPN结构。图3为本专利技术具有大骤回SCR特性超低电容的TVS器件的结构图。图4为本专利技术具有大骤回SCR特性超低电容的TVS器件的等效电路图。图5-图17为本专利技术具有大骤回SCR特性超低电容的TVS器件制备方法步骤A到步骤O的状态示意图；图中31为N型衬底，32为P埋层，33为N型外延层1,34为Pwell-1，35为N埋层，36为N型外延层2,37为Pwell-2,38为Nwell，39为N+,40为P+，41为深槽，42为SiO2填充，43为接触孔，44为金属。具体实施方式如图3所示，当器件正面I/O1加正电压，I/02加负电压时，由于P埋层的存在，阻断了电流向衬底的路径，电流只能经过P+/Pwell-2/N型外延层2/Nwell/N+形成的正向二极管D1，由于Pwell-2注入剂量较淡，况且N型外延层2的电阻率高达200ohm.cm，所以此二极管由很好的降容作用，然后电流通过金属连接经过P+/Pwell-2/N埋层/Pwell-1形成的纵向的PNPN的SCR结构，由于此结构具有大骤回IV特性，电压可以回扫到1-3v，所以具备了超低残压的性能。反之当I/02加正电压时，I/01加负电压时，N型衬底与Pwell-1处于反偏状态，电流只能从N型衬底/N型外延层1/N型外延层2/N+/P+/Pwell-2/Nwell/N+流过，Pwell-2/Nwell形成降容二极管D2，然后通过金属连接到达P+/Nwell/N型外延层2/Pwell-2/P+,P+/Nwell/N型外延层2/Pwell-2/P+构成一个横向的SCR结构。如以上描述，构成了一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件，图4为其等效电路图，从图中可以看出，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联，实现了双向大骤回的功能，能抵抗数据线两端正负极的浪涌脉冲泄放。图5-图17为本专利技术的具有大骤回SCR特性超低电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有双向大骤回SCR特性超低电容TVS的器件，其特征在于，包括：一个GND‑IO路径上横向的PNPN结构和一个IO‑GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联。

【技术特征摘要】
1.一种具有双向大骤回SCR特性超低电容TVS的器件，其特征在于，包括：一个GND-IO路径上横向的PNPN结构和一个IO-GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联。2.根据权利要求1所述的具有双向大骤回SCR特性超低电容TVS的器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤A：在重掺杂N型硅衬底用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂形成P埋层；步骤B:生长一层轻掺杂N型外延层1；步骤C：在轻掺杂N型外延层1上用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂形成Pwell-1层；步骤D：在轻掺杂N型外延层1上用光刻胶掩膜开出N型掺杂区域窗口，进行N型掺杂形成N埋层；步骤E：生长一层更轻掺杂N型外延层2；步骤F：用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂离子注入,形成P型掺杂形成Pwell-2层；步骤G：用光刻胶掩膜开出N型掺杂区域窗口，进行N型掺杂离子注入,形成N型掺杂形成Nwell层；步骤H：用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂离子注入,形成P型掺杂形成P+层；步骤I：用光刻胶掩膜开出N型掺杂区域窗口，进行N型掺杂离子注入,形成N型掺杂形成N+层；步骤J：沉积一层1.5-2μm的SiO2膜作为刻深隔离槽的掩蔽层；步骤K：在步骤J的掩蔽层上进行光刻和二氧化硅腐蚀，刻蚀出深隔离槽的窗口，该窗口作为步骤L中干法刻蚀深隔离槽的参照位置；步骤L：在外延上干法刻蚀深隔离槽一直延伸到N型衬底；将左边的横向PNPN结构和右边的纵向PNPN结构隔离开来；步骤M:用二氧化硅膜填充步骤L中形成的深隔离槽；步骤N：刻蚀孔；步骤O：淀积金属。3.根据权利要求2所述的具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：张啸，苏海伟，赵德益，赵志方，王允，吕海凤，霍田佳，苏亚兵，蒋骞苑，
申请(专利权)人：上海长园维安微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31