The present invention provides a semiconductor chip capable of ensuring sufficient bonding strength even in harsh environments. The semiconductor chip has a single crystal substrate and a metal electrode formed on the bottom surface of the substrate. The metal electrode includes: an area where the first metal is exposed; and an area where the second metal has a standard electrode potential different from the standard electrode potential of the first metal.
【技术实现步骤摘要】
半导体芯片、半导体芯片安装方法、以及安装了半导体芯片的模块
本专利技术涉及半导体芯片、半导体芯片安装方法以及安装了半导体芯片的模块。
技术介绍
作为用于便携式电话终端的主要部件之一，有功率放大器模块。在功率放大器模块中，一般使用化合物半导体器件。此外，对于便携式电话终端的部件，市场对可靠性的要求日益严格。例如，要求即使在更严酷的高温、高湿环境下的吸湿后进行高温回流处理也不会有特性变动。若在这样的条件下进行高温回流处理，则存在化合物半导体芯片从模块基板剥离的情况。为了防止化合物半导体芯片的剥离，强烈要求进一步提高化合物半导体芯片对模块基板的粘接强度。在下述的专利文献1公开了一种能够在将半导体元件(半导体芯片)粘接固定在芯片焊盘上的半导体装置中谋求粘接力的强化的半导体装置。在该半导体装置中，通过在半导体元件的粘接面形成半球状的凹部，从而谋求粘接力的强化。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开平4-312933号公报在专利文献1公开的半导体装置中，通过增大粘接剂与半导体元件的粘接面积，从而谋求粘接力的强化。仅基于粘接面积的增大的粘接力的强化，并不一定能够对高温、高湿等...
【技术保护点】
1.一种半导体芯片，具有：单晶的基板；以及金属电极，形成在所述基板的底面，并包含露出了第一金属的区域和露出了具有与所述第一金属的标准电极电位不同的标准电极电位的第二金属的区域。
【技术特征摘要】
2017.02.21 JP 2017-0301411.一种半导体芯片，具有：单晶的基板；以及金属电极，形成在所述基板的底面，并包含露出了第一金属的区域和露出了具有与所述第一金属的标准电极电位不同的标准电极电位的第二金属的区域。2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，露出了所述第一金属的面和露出了所述第二金属的面以所述基板的底面为基准而位于不同的高度。3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中，还具有：元件构造部，形成在所述基板的上表面，并包含至少一个半导体元件；以及过孔，将所述基板从所述底面贯通至所述上表面，所述金属电极在所述过孔内通过并与所述元件构造部电连接。4.根据权利要求3所述的半导体芯片，其中，所述过孔配置在不和所述金属电极的露出了所述第一金属的区域与露出了所述第二金属的区域的边界线重叠的位置。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体芯片，其中，所述第一金属以及所述第二金属中的一方为铜，另一方为金。6.一种模块，具有：模块基板，在表面形成了芯片焊盘；半导体芯片，在底面形成有金属电极，所述金属电极包含露出了第一金属的区域、以及露出了具有与所述第一金属的标准电极电位不同的标准电极电位的第二金属的区域；以及导电...
【专利技术属性】
技术研发人员：大部功，梅本康成，柴田雅博，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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