存储器装置的测试方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储器装置的测试方法，包括：根据块选择信号输出第一测试数据和第二测试数据；以及根据测试模式选择信号进入第一测试模式、第二测试模式和第三测试模式的任一者，其中，当进入第一测试模式时，将部分输入输出端口置于禁用状态，并将第一测试数据和第二测试数据先后从未禁用的输入输出端口输出；当进入第二测试模式时，将部分输入输出端口置于禁用状态，并将第一测试数据和第二测试数据进行逻辑处理后从未禁用的输入输出端口输出；当进入所述第三测试模式时，将全部输入输出端口置于未禁用状态，并将第一测试数据和第二测试数据从全部输入输出端口输出。本发明专利技术的技术方案可以选择不同的测试模式，并减少占用测试机台的输入输出端口。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置的测试方法
本专利技术涉及半导体存储器领域，尤其涉及一种存储器装置的测试方法。
技术介绍
半导体存储器(Semi-ConductorMemory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器，是由半导体集成电路组成。图1示出了一个16位存储器装置100的电路图，存储器装置100包括两个8位存储模块141和142，存储器装置100还包括指令逻辑单元170和地址锁存器110，指令逻辑单元170在外部信号OE、RAS/、CAS/和WE/的控制下输出内部控制信号，地址锁存器130锁存地址信号ADD[0：13]，并输出行地址信号ROW[0:13]和列地址信号COL[0:9]至存储模块141和142，存储模块141和142将行地址信号ROW[0:13]和列地址信号COL[0:9]译码并输出数据，输出缓存器151将存储模块141的数据缓存输出，输出缓存器152将存储模块142的数据缓存输出。图2示出了现有技术中常用的存储器装置的测试方法示意图，将多个被测存储器装置100(DUT′1、DUT′2、DUT′3、DUT′4、DUT′5、DUT′6……)与测试机台10连接，其中，第1个存储器装置DUT本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置的测试方法，其特征在于，包括：接收测试模式选择指令信号和块选择控制信号；根据所述测试模式选择指令信号生成测试模式选择信号；根据所述块选择控制信号和所述测试模式选择信号生成块选择信号；根据所述块选择信号输出第一测试数据和第二测试数据；根据所述测试模式选择信号进入第一测试模式、第二测试模式和第三测试模式的任一者，其中，当进入所述第一测试模式时，将部分输入输出端口置于禁用状态，并将所述第一测试数据和所述第二测试数据先后从未禁用的输入输出端口输出；当进入所述第二测试模式时，将部分输入输出端口置于禁用状态，并将所述第一测试数据和所述第二测试数据进行逻辑处理后从未禁用的输入输出端口输出；...

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置的测试方法，其特征在于，包括：接收测试模式选择指令信号和块选择控制信号；根据所述测试模式选择指令信号生成测试模式选择信号；根据所述块选择控制信号和所述测试模式选择信号生成块选择信号；根据所述块选择信号输出第一测试数据和第二测试数据；根据所述测试模式选择信号进入第一测试模式、第二测试模式和第三测试模式的任一者，其中，当进入所述第一测试模式时，将部分输入输出端口置于禁用状态，并将所述第一测试数据和所述第二测试数据先后从未禁用的输入输出端口输出；当进入所述第二测试模式时，将部分输入输出端口置于禁用状态，并将所述第一测试数据和所述第二测试数据进行逻辑处理后从未禁用的输入输出端口输出；当进入所述第三测试模式时，将全部输入输出端口置于未禁用状态，并将所述第一测试数据和所述第二测试数据从所述全部输入输出端口输出。2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述将所述第一测试数据和所述第二测试数据进行逻辑处理后从未禁用的输入输出端口输出的步骤包括：将所述第一测试数据和所述第二测试数据逻辑异或期望数据后输出第一逻辑处理结果；以及将所述第一逻辑处理结果从所述未禁用的输入输出端口输出。3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，将所述第一测试数据和所述第二测试数据进行逻辑处理后从未禁用的输入输出端口输出的步骤包括：将所述第一测试数据逻辑异或所述第二测试数据后输出第二逻辑处理结果；以及将所述第二逻辑处理结果从所述未禁用的输入输出端口输出。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34