一种硅片清洗液、清洗设备及清洗工艺制造技术

本发明专利技术提供一种硅片清洗液，包括浓度为45％的氢氧化钾溶液和浓度为31％的双氧水溶液，氢氧化钾溶液与双氧水溶液的体积比为1:1.05‑1:7.25，一种硅片清洗设备，包括：超声清洗部：用于清除颗粒的硅粉；药液清洗部：用于清除油脂、金属离子和有机物杂质；第一漂洗部：用于清除硅片表面残留的药液；清洗液清洗部：用于清除有机物，利用硅片清洗液；第二漂洗部：用于清除硅片表面残留的清洗液；慢提拉部：用于清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印，一种根据清洗设备的硅片清洗工艺。本发明专利技术的有益效果是改善了硅片表面的清洗效果，提高清洗效率和清洗质量，节约清洗成本，通过检验脏片率明显降低，制绒后，硅片绒面均匀且无脏污。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片清洗液、清洗设备及清洗工艺
本专利技术属于硅片生产
，尤其是涉及一种硅片清洗液、清洗设备及清洗工艺。
技术介绍
随着伏行业的快速发展，市场竞争日益激烈，传统的硅片清洗工艺通常采用纯水预清洗、清洗液清洗、漂洗等步骤，但是，这种传统的工艺清洗后的硅片表面仍会有清洗液残留，脏片率高，导致后道制绒沾污不良率也在一定程度上增加，给生产企业造成很大的损失，并且清洗过程中，能耗大，清洗液浪费严重，不利于节能环保。
技术实现思路
本专利技术的目的是要解决
技术介绍
中的问题，提供一种硅片清洗液、清洗设备及清洗工艺。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种硅片清洗液，包括浓度为45％的氢氧化钾溶液和浓度为31％的双氧水溶液，所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1:1.05-1:7.25。进一步地，所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1：3.5-1:5。进一步地，所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1：4.75。一种硅片清洗设备，包括：超声清洗部：用于清除颗粒的硅粉；药液清洗部：用于清除油脂、金属离子和有机物杂质；第一漂洗部：用于清除硅片表面残留的药液；清洗液清洗部：用于清除有机物，利用如权利要求1-3任一所述的硅片清洗液；第二漂洗部：用于清除硅片表面残留的清洗液；慢提拉部：用于清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印。进一步地，所述药液清洗部包括依次设置的清洗装置一，清洗装置二和清洗装置三。进一步地，所述第二漂洗部包括依次设置的漂洗装置一、漂洗装置二、漂洗装置三和漂洗装置四。根据清洗设备的硅片清洗工艺，包括如下步骤：超声清洗：清除颗粒的硅粉；药液清洗：清除油脂、金属离子和有机物杂质；第一次漂洗：清除硅片表面残留的药液；清洗液清洗：清除有机物，利用如权利要求1-3任一所述的硅片清洗液；第二次漂洗：清除硅片表面残留的清洗液；慢提拉：清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印；其中，所述药液清洗重复三次，所述第二次漂洗重复四次。进一步地，所述超声清洗、每次所述药液清洗，所述第一次漂洗、所述清洗液清洗、每次所述第二次漂洗和所述慢提拉的时间均为160s。进一步地，所述超声清洗采用纯水清洗，所述清洗的温度为45℃。进一步地，所述第一次漂洗和所述第二次漂洗均采用纯水漂洗，所述第一次漂洗和所述第二次漂洗的温度均为55℃。本专利技术具有的优点和积极效果是：1.通过采用体积比为1：4.75的氢氧化钾溶液与双氧水溶液的混合液进行硅片清洗，改善了硅片表面的清洗效果，通过检验脏片率降低0.3％，，制绒后，硅片绒面均匀，制绒沾污不良降低0.6％；2.硅片清洗设备通过依次设置的超声清洗部、药液清洗部、第一漂洗部、清洗液清洗部、第二漂洗部和慢提拉部组成，结合清洗液的作用，有效地改善了硅片表面的清洗效果，提高清洗效率和清洗质量；3.硅片清洗工艺，采用硅片清洗设备，清洗剂的消耗量明显减少，提高了硅片的清洗质量、节约清洗成本。附图说明图1是本专利技术的清洗设备结构示意图；具体实施方式本实例一种硅片清洗液，包括浓度为45％的氢氧化钾溶液和浓度为31％的双氧水溶液，其中氢氧化钾溶液与双氧水溶液的体积比为1：4.75。一种硅片清洗设备，包括由依次设置的1槽、2槽、3槽、4槽、5槽、6槽、7槽、8槽、9槽和11槽组成的超声清洗部、药液清洗部、第一漂洗部、清洗液清洗部、第二漂洗部和慢提拉部，其中，1槽为超声清洗部，采用一个超声清洗槽清洗，超声清洗槽内为纯水，对硅片进行预清洗，超声清洗槽选用溢流槽，清洗时间为160s，清洗温度是为45℃，用于清除颗粒的硅粉；2-4槽组成药液清洗部，药液清洗包括依次设置的第一药液清洗槽，第二药液清洗槽和第三药液清洗槽，用于清除硅片表面的油脂、金属离子和有机物杂质，第一药液清洗槽，第二药液清洗槽和第三药液清洗槽中均为君合清洗剂A液和B液的混合液。其中，君合清洗剂A液的体积分数为：0.67％—1.16％、君合清洗剂A液的体积分数为:0.33％—0.58％，优选地：君合清洗剂A液的体积分数为096％，君合清洗剂B液的体积分数为0.48％，清洗时间为160s，清洗温度是为50℃。5槽为第一漂洗部：用于清除硅片表面残留的药液，5槽采用溢流槽，溢流槽内为纯水，用于清除硅片表面残留的药液，清洗时间为160s，清洗温度是为55℃。6槽为清洗液清洗部：6槽内为浓度为45％的氢氧化钾溶液和浓度为31％的双氧水溶液，其中氢氧化钾溶液与双氧水溶液的体积比为1：4.75，用于清除有机物，清洗时间为160s，6槽清洗的温度控制为55℃。7-10槽为第二漂洗部，用于清除硅片表面残留的清洗液，7-10槽均采用溢流槽，溢流槽内为纯水，每个漂洗槽内的清洗时间均时间为160s，7-10槽清洗的温度均控制为55℃。11槽为慢提拉部，槽内为纯水，11槽内水温控制为55℃，采用机械手慢提拉，整个过程的时间为160s，用于清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印。一种利用上述清洗设备的硅片清洗工艺，包括如下步骤：超声清洗：采用机械手将盛放硅片的片篮放入1槽中，浸泡160s后，采用机械手夹紧片篮，移出，清除颗粒的硅粉；药液清洗：采用机械手将片篮从1槽中提出，放入2槽、3槽和4槽中各浸泡160s，清除油脂、金属离子和有机物杂质；第一次漂洗：采用机械手将片篮从4槽中提出放入5槽中漂洗，清除硅片表面残留的药液，浸泡160s后提出；清洗液清洗：采用机械手将片篮从5槽内提出，放入6槽中进行清洗液清洗，清除有机物；第二次漂洗：清洗液清洗160s后，机械手将片篮从6槽提出，依次放入7-10槽，片篮在每个清洗槽内的浸泡时间均为160s，清除硅片表面残留的清洗液；慢提拉：机械手将片篮从10槽提出，放置到11槽内，然后采用机械手慢提拉，整个过程的时间为160s，用于清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印。本实例的工作过程：首先根据需要配置各槽内的清洗液，然后根据如下步骤依次进行硅片清洗：采用机械手将盛放硅片的片篮放入1槽中，浸泡160s后，采用机械手夹紧片篮，移出，清除颗粒的硅粉；采用机械手将片篮从1槽中提出，放入2槽、3槽和4槽中各浸泡160s，清除油脂、金属离子和有机物杂质；采用机械手将片篮从4槽中提出放入5槽中漂洗，清除硅片表面残留的药液，浸泡160s后提出；采用机械手将片篮从5槽内提出，放入6槽中进行清洗液清洗，清除有机物；清洗液清洗160s后，机械手将片篮从6槽提出，依次放入7-10槽，片篮在每个清洗槽内的浸泡时间均为160s，清除硅片表面残留的清洗液；机械手将片篮从10槽提出，放置到11槽内，然后采用机械手慢提拉，整个过程的时间为160s，用于清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印。本专利技术的有益效果是：1.通过采用体积比为1：4.75的氢氧化钾溶液与双氧水溶液的混合液进行硅片清洗，改善了硅片表面的清洗效果，通过检验脏片率降低0.3％，，制绒后，硅片绒面均匀，制绒沾污不良降低0.6％；2.硅片清洗设备通过依次设置的超声清洗部、药液清洗部、第一漂洗部、清洗液清洗部、第二漂洗部和慢提拉部组成，结合清洗液的作用，有效地改善了硅片表面的清洗效果，提高清洗效率和清洗质量；3.硅片清洗工艺，采用硅片清洗设备，清洗剂的消耗量明显减少，提高了硅片的清洗质量、节约清洗成本。以上对本专利技术的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片清洗液，其特征在于：包括浓度为45％的氢氧化钾溶液和浓度为31％的双氧水溶液，所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1:1.05‑1:7.25。

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗液，其特征在于：包括浓度为45％的氢氧化钾溶液和浓度为31％的双氧水溶液，所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1:1.05-1:7.25。2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗液，其特征在于：所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1：3.5-1:5。3.根据权利要求2所述的一种硅片清洗液，其特征在于：所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1：4.75。4.一种硅片清洗设备，其特征在于：依次包括，超声清洗部：用于清除颗粒的硅粉；药液清洗部：用于清除油脂、金属离子和有机物杂质；第一漂洗部：用于清除硅片表面残留的药液；清洗液清洗部：用于清除有机物，利用如权利要求1-3任一所述的硅片清洗液；第二漂洗部：用于清除硅片表面残留的清洗液；慢提拉部：用于清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印。5.根据权利要求4所述的一种硅片清洗设备，其特征在于：所述药液清洗部包括依次设置的清洗装置一，清洗装置二和清洗装置三。6.根据权利要求4所述的一种硅片清洗设备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王冬雪，王永青，崔伟，郝勇，侯建明，张宇鹏，刘茂峰，李娜，赵越，
申请(专利权)人：内蒙古中环光伏材料有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙古,15