一种双输出低温漂基准电压源制造技术

本实用新型专利技术公开一种双输出低温漂基准电压源，由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成。启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，产生提供双输出基准电压产生电路的输入电流，为基准电压产生电路提供电流。双输出基准电压产生电路，产生低温漂的两个基准电压。本实用新型专利技术能解决传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数和电源电压抑制比较差的问题。

A dual output low temperature drift reference voltage source

The utility model discloses a double-output low-temperature drift reference voltage source, which is composed of a starting circuit, a current generating circuit and a double-output reference voltage generating circuit connected in parallel between a power VDD and a ground GND. The starting circuit is used to provide the starting current when the power supply is turned on, so that the reference voltage source can get rid of the degenerate bias point. The current generation circuit uses the common-source cascode current mirror to improve the voltage rejection ratio and voltage adjustment rate, and generates the input current of the dual-output reference voltage generation circuit, which provides the current for the reference voltage generation circuit. A dual output voltage reference circuit generates two reference voltages at low temperature. The utility model can solve the problems that the output voltage value of the traditional reference voltage source circuit is single, the temperature drift coefficient and the power supply voltage suppression are poor.

【技术实现步骤摘要】
一种双输出低温漂基准电压源
本技术涉及集成电路
，具体涉及一种双输出低温漂基准电压源。
技术介绍
电压基准源是模拟集成电路和数模混合电路不可缺少的重要单元电路之一，其通过建立一个与电源和工艺无关，并且具有确定温度特性的直流电压，来为其他电路提供一个参考电压。随着CMOS工艺的不断进步以及SOC系统的发展需求，基准电压源需要满足多输出、低温漂和低功耗的要求，然而，传统的带隙基准电压源实现多个输出时，需要多个带隙基准源电路，这样大大增加了功耗，要实现低功耗，电路结构复杂，占用芯片面积较大，而且要使用具有双极性的三极管或者二极管，与标准的CMOS工艺不兼容。
技术实现思路
本技术所要解决的是传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数和电源电压抑制比较差的问题，提供一种双输出低温漂基准电压源。为解决上述问题，本技术是通过以下技术方案实现的：一种双输出低温漂基准电压源，包括基准电压源本体，基准电压源本体由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成；其中启动电路的输出端接电流产生电路的输入端，电流产生电路的输出端接双输出基准电压产生电路的输入端；所述双输出基准电压产生电路由MOS管M11-M17和电容C1-C3组成；MOS管M11和MOS管M12的源极与电源VDD连接；MOS管M11的栅极与MOS管M12的栅极连接后，作为双输出基准电压产生电路的输入端；MOS管M13的漏极与MOS管M11的漏极连接；MOS管M12的漏极与MOS管M14的漏极连接；MOS管M13的栅极与漏极共接后与MOS管M14栅极连接；MOS管M13的源极与地GND连接；MOS管M14的源极与MOS管M15的漏极连接；MOS管M15的栅极与漏极共接后，经过电容C3与地GND连接；MOS管M15的源极与MOS管M16的漏极连接；MOS管M16栅极与漏极共接后作为整个基准电压源本体的第一输出端，输出基准电压Vref1；电容C2并联于MOS管M17栅极与地GND之间；MOS管M16的源极与MOS管M17的漏极连接；MOS管M17的栅极与漏极共接后作为整个基准电压源本体的第二输出端，输出基准电压Vref2；电容C1并联于MOS管M16栅极与地GND之间；MOS管M17的源极与地GND连接。上述方案中，双输出基准电压产生电路的MOS管M13是3.3V的MOS管，MOS管M14-M17是1.8V的MOS管。上述方案中，双输出基准电压产生电路的电容C1-C3为普通电容。所述启动电路由MOS管M1-M4和电容C0组成；MOS管M1和MOS管M2的源极与电源VDD连接；MOS管M3的源极与地GND连接；MOS管M1的栅极与漏极共接后经电容C0与地GND相接；MOS管M2的栅极和MOS管M3的栅极共接后与MOS管M1的漏极连接；MOS管M2的漏极和MOS管M3的漏极共接后与MOS管M4的源极连接；MOS管M4的栅极与MOS管M3的栅极连接；MOS管M4的漏极作为启动电路的输出端。上述方案中，启动电路的电容C0为普通电容。所述电流产生电路由MOS管M5-M10和电阻R0组成；MOS管M5和MOS管M6的源极与电源VDD连接；MOS管M9的源极与地GND连接；MOS管M10的源极经电阻R0与地GND连接；MOS管M5的漏极与MOS管M7的漏极连接；MOS管M7的源极与MOS管M9的漏极连接；MOS管M6的漏极与MOS管M8的漏极连接；MOS管M8的源极与MOS管M10的漏极连接；MOS管M6的栅极与漏极共接后与MOS管M5的栅极连接；MOS管M7的栅极与漏极共接后与MOS管M8的栅极连接；MOS管M9的栅极与漏极共接后与MOS管M10的栅极连接；MOS管M5的漏极作为电流产生电路的输入端，MOS管M6的漏极作为电流产生电路的输出端。上述方案中，电阻R0为高掺杂多晶硅电阻。与现有技术相比，本技术具有如下特点：1、由一个3.3V的MOS管及四个1.8V的MOS管及MOS管栅漏相接的输出方式产生双输出的低温漂的基准电压，并大大降低功耗；2、启动电路及电流产生电路电路较小，大大降低功耗。附图说明图1为一种双输出低温漂基准电压源的原理图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实例，并参照附图，对本技术进一步详细说明。本技术提出一种双输出低温漂基准电压源，如图1所示，由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成。启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，产生提供双输出基准电压产生电路的输入电流，为基准电压产生电路提供电流。双输出基准电压产生电路，产生低温漂的两个基准电压。1.启动电路所述启动电路包括MOS管M1-MOS管M4和电容C0。其中，MOS管M1和MOS管M2的源极与电源VDD连接。MOS管M3的源极与地GND连接。MOS管M1的栅极与漏极共接后经电容C0与地GND相接。MOS管M2的栅极和MOS管M3的栅极共接后与MOS管M1的漏极连接。MOS管M2的漏极和MOS管M3的漏极共接后与MOS管M4的源极连接。MOS管M4的栅极与MOS管M3的栅极连接。MOS管M4的漏极作为输出与电流产生电路连接。在本技术优选实施例中，启动电路的电容C0为普通电容。启动电路，由MOS管M1栅漏短接，构成有源电阻，MOS管M2、MOS管M3构成反相器，用以隔离电源和MOS管M4的源极，经MOS管M4的漏极输出电流，用于在电源上电时使基准源摆脱简并偏置点。电路上电时，电源通过MOS管M1向电容C0充电，此时电容上极板电压为低电平，使得MOS管M3截止，MOS管M2导通，将电流通过MOS管M2、MOS管M4注入到电流产生电路中，电源向电容C0充电完成时，使得电容上极板电压为高电平，使得MOS管M3导通，MOS管M2截止，启动电路与基准源脱离，并将MOS管M4的源极电位被拉低到地，避免了与电源直接接触，减小了启动电路对基准源的影响，此启动电路不需要大电容、大电阻，正常工作无直流电流，减小面积降低功耗。2.电流产生电路所述电流产生电路包括MOS管M5-MOS管M10和电阻R0。其中，MOS管M5和MOS管M6的源极与电源VDD连接。MOS管M9的源极与地GND连接。MOS管M5的漏极与MOS管M7的漏极连接。MOS管M6的栅极与漏极共接后与MOS管M5的栅极连接，MOS管M8的漏极与MOS管M6的漏极连接。MOS管M6的漏极作为输出与电压产生电路连接。MOS管M7的栅极与漏极共接后与MOS管M8的栅极连接。MOS管M7的源极与MOS管M9的漏极连接。MOS管M8的源极与MOS管M10的漏极连接。MOS管M9的栅极与漏极共接后与MOS管M10的栅极连接。MOS管M10的源极经电阻R0与地GND连接。在本技术优选实施例中，电阻R0为高掺杂多晶硅电阻。电流产生电路中，利用工作在亚阈值区的MOS管M9、MOS管M10栅源电压差产生偏置电压，再通过电阻R1将偏置电压转化为电流产生电路的偏置电流，再通过共源共栅电流镜将偏置电流复制到基准电压产生电路中。采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双输出低温漂基准电压源，包括基准电压源本体，其特征是，基准电压源本体由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成；其中启动电路的输出端接电流产生电路的输入端，电流产生电路的输出端接双输出基准电压产生电路的输入端；所述双输出基准电压产生电路由MOS管M11‑M17和电容C1‑C3组成；MOS管M11和MOS管M12的源极与电源VDD连接；MOS管M11的栅极与MOS管M12的栅极连接后，作为双输出基准电压产生电路的输入端；MOS管M13的漏极与MOS管M11的漏极连接；MOS管M12的漏极与MOS管M14的漏极连接；MOS管M13的栅极与漏极共接后与MOS管M14栅极连接；MOS管M13的源极与地GND连接；MOS管M14的源极与MOS管M15的漏极连接；MOS管M15的栅极与漏极共接后，经过电容C3与地GND连接；MOS管M15的源极与MOS管M16的漏极连接；MOS管M16栅极与漏极共接后作为整个基准电压源本体的第一输出端，输出基准电压Vref1；电容C2并联于MOS管M17栅极与地GND之间；MOS管M16的源极与MOS管M17的漏极连接；MOS管M17的栅极与漏极共接后作为整个基准电压源本体的第二输出端，输出基准电压Vref2；电容C1并联于MOS管M16栅极与地GND之间；MOS管M17的源极与地GND连接。...

【技术特征摘要】
1.一种双输出低温漂基准电压源，包括基准电压源本体，其特征是，基准电压源本体由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成；其中启动电路的输出端接电流产生电路的输入端，电流产生电路的输出端接双输出基准电压产生电路的输入端；所述双输出基准电压产生电路由MOS管M11-M17和电容C1-C3组成；MOS管M11和MOS管M12的源极与电源VDD连接；MOS管M11的栅极与MOS管M12的栅极连接后，作为双输出基准电压产生电路的输入端；MOS管M13的漏极与MOS管M11的漏极连接；MOS管M12的漏极与MOS管M14的漏极连接；MOS管M13的栅极与漏极共接后与MOS管M14栅极连接；MOS管M13的源极与地GND连接；MOS管M14的源极与MOS管M15的漏极连接；MOS管M15的栅极与漏极共接后，经过电容C3与地GND连接；MOS管M15的源极与MOS管M16的漏极连接；MOS管M16栅极与漏极共接后作为整个基准电压源本体的第一输出端，输出基准电压Vref1；电容C2并联于MOS管M17栅极与地GND之间；MOS管M16的源极与MOS管M17的漏极连接；MOS管M17的栅极与漏极共接后作为整个基准电压源本体的第二输出端，输出基准电压Vref2；电容C1并联于MOS管M16栅极与地GND之间；MOS管M17的源极与地GND连接。2.根据权利要求1所述的一种双输出低温漂基准电压源，其特征是，双输出基准电压产生电路的MOS管M13是3.3V的MOS管，MOS管M14-M17是1.8V的MOS管。3.根据权利要求1所述的一种双输出低温漂基准电压源...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳宏卫，孙晓菲，刘俊昕，徐卫林，李海鸥，段吉海，韦雪明，龚全熙，兰雨娇，班艳春，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：新型
国别省市：广西,45