一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法技术

一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，本发明专利技术涉及一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，本发明专利技术的目的是为了解决粒子辐射会引起器件的位移损伤的问题，本发明专利技术基于Monte Carlo计算方法，计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和射程。根据电离和位移吸收剂量的比例关系，以及试样特征，确定入射粒子的类型，保证入射粒子在试样的输运过程中，能够促使试样内部已有的位移缺陷退火。本发明专利技术应用基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，步骤简单，易于操作。本发明专利技术应用于空间环境效应、核科学与应用技术领域。

A method for annealing displacement defects induced by ionizing radiation

A method of annealing based on ionizing irradiation induced displacement defects. The invention relates to a method of annealing based on ionizing irradiation induced displacement defects. The present invention is aimed at solving the problem of displacement damage of the device caused by particle radiation. The invention is based on the Monte Carlo calculation method to calculate the unit injection of incident particles. Ionizing / displacement absorbed dose and range. According to the proportional relation of ionizing and displacement absorbed dose and the characteristic of sample, the type of incident particle is determined and the incident particle can be annealed in the specimen during the transport of the sample. The invention applies a method based on ionizing irradiation to induce displacement defect annealing, which is simple and easy to operate. The invention is applied to the field of space environment effect, nuclear science and application technology.

【技术实现步骤摘要】
一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法
本专利技术涉及一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法。
技术介绍
航天器在空间轨道运行，将会受到多种环境因素的影响：如粒子辐射、微重力、及原子氧等。随着电子技术的飞速发展，电子元器件的应用越来越广泛。在卫星、宇宙飞船及航天飞机上，广泛应用电子器件，以实现各种功能。对于电子器件，粒子辐射是最致命的环境因素。早期发射的航天器曾多次因损伤而失效。随着科学技术的发展，虽然卫星等航天器产生致命故障的事例越来越少，但仍时有发生。空间粒子辐射会使卫星的工作寿命缩短，从而造成巨大损失。即使采用封装和加保护等方法也不能保证电子器件完全避免辐射的影响。不同类型的空间带电粒子同时作用于航天器用关键材料和器件，导致空间综合环境效应，尤其是电离/位移协同效应。在宇宙空间中，器件遭受的辐射损伤效应常与大部分由高能质子辐射有关。高能质子不仅造成总剂量效应，还会引起位移损伤。这两种损伤的协同效应不是简单的加合，而是以一种复杂的形式相互作用。不同类型的材料对电离损伤和位移损伤的敏感性不同，绝缘体材料主要对电离损伤敏感，半导体材料主要对位移损伤敏感。此外，有些粒子主要导致电离损伤本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：一、测量含有位移缺陷试样的芯片厚度a，以及含有位移缺陷的区域距表面的最远距离b；二、选择入射粒子的种类，然后通过Geant4软件，输入入射粒子的辐射源能量，计算入射粒子在试样芯片中的入射深度d，保证输入的辐射源能量满足d＞2a或d＞4b；三、根据步骤二的辐射源能量，通过Geant4软件，计算单位注量的入射粒子在试样内的电离吸收剂量Id和位移吸收剂量Dd；根据电离吸收剂量Id和位移吸收剂量Dd随着入射深度的分布，获得电离吸收剂量Id和位移吸收剂量Dd在试样内部产生的损伤的不均匀度，若不均匀度都≥10％，则返回步骤二；若不...

【技术特征摘要】
1.一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：一、测量含有位移缺陷试样的芯片厚度a，以及含有位移缺陷的区域距表面的最远距离b；二、选择入射粒子的种类，然后通过Geant4软件，输入入射粒子的辐射源能量，计算入射粒子在试样芯片中的入射深度d，保证输入的辐射源能量满足d＞2a或d＞4b；三、根据步骤二的辐射源能量，通过Geant4软件，计算单位注量的入射粒子在试样内的电离吸收剂量Id和位移吸收剂量Dd；根据电离吸收剂量Id和位移吸收剂量Dd随着入射深度的分布，获得电离吸收剂量Id和位移吸收剂量Dd在试样内部产生的损伤的不均匀度，若不均匀度都≥10％，则返回步骤二；若不均匀度都＜10％，则进行步骤四；四、计算log[(Id+Dd)/Dd]，若log[...

【专利技术属性】
技术研发人员：李兴冀，杨剑群，刘超铭，吕钢，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江,23