超结场效应管制造技术

本实用新型专利技术实施例提供了一种超结场效应管。超结场效应管包括：栅极源极层、漏极层、PN结型半导体层和P型补偿半导体层。PN结型半导体层具有相对设置的第一端和第二端，第一端与栅极源极层连接。P型补偿半导体层嵌入在第二端与漏极层的连接处，用于在超结场效应管处于反向恢复的过程中时，P型补偿半导体层与PN结型半导体层间为PN结导通状态，以使PN结型半导体层中包含注入的空穴，以维持PN结型半导体层中的载流子平衡。故避免发生电压波形震荡，并增强了电路的稳定性。

Hyperjunction field effect tube

The embodiment of the utility model provides a super junction field-effect transistor. The super Junction FET includes: gate source layer, drain layer, PN junction type semiconductor layer and P type compensation semiconductor layer. The PN junction type semiconductor layer has a relatively set first and second ends, and the first end is connected with the gate source layer. The P type compensation semiconductor layer is embedded in the connection between the second end and the drain layer. For the reverse recovery process of the hyperjunction field effect tube, the P type compensation semiconductor layer and the PN junction semiconductor layer are PN junction conduction states, so that the PN junction semiconductor layer contains the injected hole to maintain the carrier in the PN junction semiconductor layer. Balance. Therefore, the voltage waveform oscillation is avoided and the stability of the circuit is enhanced.

【技术实现步骤摘要】
超结场效应管
本技术涉及半导体分立器件
，具体而言，涉及一种超结场效应管。
技术介绍
超结场效应管由于具备的超深PN结，可有效提高外延浓度从而降低自身的导通电阻，目前，其在市面上的应用有逐步替代传统的平面场效应管的趋势。但是，也由于超结场效应管所具备超深PN结结构，使得超深PN结的结面面积很大。当超结场效应管内部的寄生二极管处于反向恢复的过程中时，超深PN结的结面面积过大会导致在回复过程中N结在短时间内被抽流过多的空穴，根据电中性原则,N结的电子数量与空穴数量会骤然消失，进而导致反向恢复时产生的末端电流会突然下跌，使得超结场效应管所在器件的电压波形震荡，甚至损坏器件及影响整个电路的稳定性。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种超结场效应管，其能够有效的改善上述缺陷。本技术的实施例通过以下方式实现：第一方面，本技术的实施例提供了一种超结场效应管，包括：栅极源极层、漏极层、PN结型半导体层和P型补偿半导体层。所述PN结型半导体层具有相对设置的第一端和第二端，所述第一端与所述栅极源极层连接。所述P型补偿半导体层嵌入在所述第二端与所述漏极层的连接处，用于在所述超结场效应管处于反向恢本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超结场效应管，其特征在于，包括：栅极源极层、漏极层、PN结型半导体层和P型补偿半导体层；所述PN结型半导体层具有相对设置的第一端和第二端，所述第一端与所述栅极源极层连接；所述P型补偿半导体层嵌入在所述第二端与所述漏极层的连接处，用于在所述超结场效应管处于反向恢复的过程中时，所述P型补偿半导体层与所述PN结型半导体层间为PN结导通状态，以使所述PN结型半导体层中包含注入的空穴，以维持所述PN结型半导体层中的载流子平衡。

【技术特征摘要】
1.一种超结场效应管，其特征在于，包括：栅极源极层、漏极层、PN结型半导体层和P型补偿半导体层；所述PN结型半导体层具有相对设置的第一端和第二端，所述第一端与所述栅极源极层连接；所述P型补偿半导体层嵌入在所述第二端与所述漏极层的连接处，用于在所述超结场效应管处于反向恢复的过程中时，所述P型补偿半导体层与所述PN结型半导体层间为PN结导通状态，以使所述PN结型半导体层中包含注入的空穴，以维持所述PN结型半导体层中的载流子平衡。2.根据权利要求1所述的超结场效应管，其特征在于，所述P型补偿半导体层嵌入在所述第二端的中心处，所述P型补偿半导体层和所述第二端均与所述漏极层连接。3.根据权利要求2所述的超结场效应管，其特征在于，所述PN结型半导体层包括：第一P型半导体层、第二P型半导体层和N型半导体层；所述N型半导体层具有相对设置的第三端和第四端，所述第三端位于所述第一端上，所述第四端位于所述第二端上，所述P型补偿半导体层嵌入在所述第四端的中心处以设置在所述N型半导体层内，所述N型半导体层的轴线的方向为所述第三端指向所述第四端的方向；所述第一P型半导体层和所述第二P型半导体层均沿所述轴线对称设置于所述N型半导体层的周面。4.根据权利要求3所述的超结场效应管，其特征在于，所述N型半导体层为由第一N型半导体材料制成。5.根据权利要求3所述的超结场效应管，其特征在于，所述漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴多武，马清杰，许正一，
申请(专利权)人：南京方旭智芯微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32