一种晶圆级封装红外探测器及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆级封装红外探测器及其制作方法，属于半导体技术领域。该晶圆级封装红外探测器的制作方法，包括：在盖子晶圆的键合区域形成键合层；对除键合区域外且与键合区域位于同一表面的盖子晶圆进行减薄处理；在盖子晶圆的开窗区域涂覆红外增透抗反射膜，在盖子晶圆的气体吸附区域形成第一凹槽，并在第一凹槽的底壁和侧壁均涂覆气体吸附膜层；将基板晶圆与盖子晶圆进行键合封装，形成晶圆级封装红外探测器，基板晶圆包括有红外敏感像素和读出电路芯片。本申请实施例中，采用一种新的封装工艺工序，来降低封装成本，并进一步通过增加气体吸附剂(层)的面积来提高整个密封腔体的可靠性，进而提高整个设备的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆级封装红外探测器及其制作方法
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种晶圆级封装红外探测器及其制作方法。
技术介绍
红外探测器(InfraredDetector)是将入射的红外辐射信号转变成电信号输出的器件，在军事、工业、交通、安防监控、气象、医学等各行业具有广泛的应用。非制冷红外焦平面探测器无需制冷装置，能够工作在室温状态下，具有体积小、质量轻、功耗小、寿命长、成本低、启动快等优点。目前非制冷焦平面探测器主要是采用真空封装、金属管壳封装、陶瓷管壳封装、晶圆级封装等形式。晶圆级封装技术的集成度更高，工艺步骤也有所简化，更适合大批量和低成本生产。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种晶圆级封装红外探测器及其制作方法，通过增加气体吸附剂(层)的面积来提高整个密封腔体的可靠性。本专利技术的实施例是这样实现的：本专利技术实施例提供了一种晶圆级封装红外探测器的制作方法，包括：在盖子晶圆的键合区域形成键合层；对除所述键合区域外且与所述键合区域位于同一表面的所述盖子晶圆进行减薄处理；在所述盖子晶圆的开窗区域涂覆红外增透抗反射膜，在所述盖子晶圆的气体吸附区域形成第一凹槽，并在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆级封装红外探测器的制作方法，其特征在于，包括：在盖子晶圆的键合区域形成键合层；对除所述键合区域外且与所述键合区域位于同一表面的所述盖子晶圆进行减薄处理；在所述盖子晶圆的开窗区域涂覆红外增透抗反射膜，在所述盖子晶圆的气体吸附区域形成第一凹槽，并在所述第一凹槽的底壁和侧壁均涂覆气体吸附膜层；将基板晶圆与所述盖子晶圆进行键合封装，形成晶圆级封装红外探测器，所述基板晶圆包括有红外敏感像素和读出电路芯片。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级封装红外探测器的制作方法，其特征在于，包括：在盖子晶圆的键合区域形成键合层；对除所述键合区域外且与所述键合区域位于同一表面的所述盖子晶圆进行减薄处理；在所述盖子晶圆的开窗区域涂覆红外增透抗反射膜，在所述盖子晶圆的气体吸附区域形成第一凹槽，并在所述第一凹槽的底壁和侧壁均涂覆气体吸附膜层；将基板晶圆与所述盖子晶圆进行键合封装，形成晶圆级封装红外探测器，所述基板晶圆包括有红外敏感像素和读出电路芯片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述盖子晶圆的开窗区域涂覆红外增透抗反射膜，包括：在所述盖子晶圆的开窗区域形成第二凹槽，并在所述第二凹槽的底壁和侧壁均涂覆红外增透抗反射膜。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述基板晶圆与所述盖子晶圆进行键合封装之前，所述方法还包括：在所述盖子晶圆的正面涂覆红外增透抗反射膜，所述正面与所述键合区域所在的面为相对面。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述基板晶圆与所述盖子晶圆进行键合封装之后，所述方法还包括：在所述盖子晶圆的正面涂覆红外增透抗反射膜，所述正面与所述键合区域所在的面为相对面。5.一种晶圆级封装红外探测器，其特征在于，包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：马清杰，许正一，陈敏，吴多武，
申请(专利权)人：南京方旭智芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32