一种转移基板、制作方法及转移方法技术

本发明专利技术公开了一种转移基板、制作方法及转移方法，以提供一种全新的应用于微发光二极管巨量转移过程的转移基板以及转移方法。所述转移基板包括：衬底基板、位于所述衬底基板之上与所述原始基底的所述微发光二极管的分布方式相匹配的方式分布的多个电致形变框体，所述框体内侧包围形成有空心区域，未受电场作用时，所述空心区域大于所述微发光二极管在所述原始基底上的正投影所占区域；所述框体用于受电场作用时，发生膨胀，所述空心区域缩小为小于所述微发光二极管在所述原始基底上的正投影所占的区域；并在去除电场时，发生收缩，所述空心区域恢复原状。

【技术实现步骤摘要】
一种转移基板、制作方法及转移方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种转移基板、制作方法及转移方法。
技术介绍
微发光二极管(Micro-LED)是新一代显示技术，MicroLED优点很明显，它继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具有自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。目前Micro-LED尚处于研发阶段，Micro-LED的主要工艺流程包括：LED芯片制作、LED芯片巨量转移、LED芯片与显示基底的焊接。即，Micro-LED一般先生长于蓝宝石基底上，需要将其转移到显示基底上，但是，如何将Micro-LED从原始基底转移到显示基底也是影响Micro-LED的主要技术瓶颈。
技术实现思路
本专利技术提供一种转移基板、制作方法及转移方法，以提供一种全新的应用于Micro-LED巨量转移过程的转移基板以及转移方法。本专利技术实施例提供一种转移基板，用于将原始基底的微发光二极管转移到显示基底，所述转移基板包括：衬底基板、位于所述衬底基板之上与所述原始基底的所述微发光二极管的分布方式相匹配的方式分布的多个电致形变框体，所述框体内侧围本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转移基板，用于将原始基底的微发光二极管转移到显示基底，其特征在于，所述转移基板包括：衬底基板、位于所述衬底基板之上与所述原始基底的所述微发光二极管的分布方式相匹配的方式分布的多个电致形变框体，所述框体内侧围设形成有空心区域，未受电场作用时，所述框体内侧围设的所述空心区域大于所述微发光二极管在所述原始基底上的正投影所占的区域；所述框体用于受电场作用时，发生膨胀，所述空心区域缩小为小于所述微发光二极管在所述原始基底上的正投影所占的区域；并在去除电场时，发生收缩，所述空心区域恢复原状。

【技术特征摘要】
1.一种转移基板，用于将原始基底的微发光二极管转移到显示基底，其特征在于，所述转移基板包括：衬底基板、位于所述衬底基板之上与所述原始基底的所述微发光二极管的分布方式相匹配的方式分布的多个电致形变框体，所述框体内侧围设形成有空心区域，未受电场作用时，所述框体内侧围设的所述空心区域大于所述微发光二极管在所述原始基底上的正投影所占的区域；所述框体用于受电场作用时，发生膨胀，所述空心区域缩小为小于所述微发光二极管在所述原始基底上的正投影所占的区域；并在去除电场时，发生收缩，所述空心区域恢复原状。2.如权利要求1所述的转移基板，其特征在于，多个所述框体在所述衬底基板之上呈阵列分布，所述框体为闭合的回形状；每一所述框体相对的两侧分别设置有沿所述框体的行方向或列方向延伸的导电电极，所述导电电极用于在通电时为所述框体提供电场。3.如权利要求2所述的转移基板，其特征在于，每一所述框体相对的两侧分别设置有沿所述框体的行方向延伸的导电电极，同行所述框体相同侧的所述导电电极为一体结构；或者，每一所述框体相对的两侧分别设置有沿所述框体的列方向延伸的导电电极，同列所述框体相同侧的所述导电电极为一体结构。4.如权利要求2所述的转移基板，其特征在于，所述导电电极与所述框体同层设置，每一所述框体的所述导电电极位于所述框体的外侧；或者，所述导电电极所在层位于所述框体所在层之下，所述导电电极在所述衬底基板上的正投影与所述框体在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。5.如权利要求1-4任一项所述的转移基板，其特征在于，所述框体的材质为氧化锌、铌镁酸铅、铌镁酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：方立宇，孙凌宇，杜景军，梁菲，侯婷琇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11