【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法，以及显示面板
本专利技术涉及电子电路
，特别涉及一种阵列基板及其制作方法，以及显示面板。
技术介绍
在显示装置的阵列基板中，一般设置有一个或多个薄膜晶体管，在薄膜晶体管制程中，通常会采用金属层来制作栅极，然而金属离子在后续的高温制程中，容易扩散，影响薄膜晶体管的开关特性，导致显示异常，或者在栅极的容易出现不平整的现象，形成尖端放电，影响薄膜晶体管寿命。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提出阵列基板及其制作方法，以及显示面板，旨在保证阵列基板的薄膜晶体管的稳定性。为实现上述目的，本专利技术提出一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括：提供一基板；在所述基板上沉积第一金属层及第一导电层，利用第一道光罩图案化所述第一金属层及第一导电层，以形成栅极及覆盖于所述栅极上的导电隔离层；在所述栅极上沉积栅极绝缘层后，在所述栅极绝缘层上依次沉积半导体层和第二金属层，并图案化所述半导体层形成有源层，利用第二道光罩图案化所述第二金属层形成源极、漏极及像素电极。可选地，所述在所述基板上沉积第一金属层及第一导电层，利用第一道光罩图案化所述第一金属层及第...
【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括：提供一基板；在所述基板上沉积第一金属层及第一导电层，利用第一道光罩图案化所述第一金属层及第一导电层，以形成栅极及覆盖于所述栅极上的导电隔离层；在所述栅极上沉积栅极绝缘层后，在所述栅极绝缘层上依次沉积半导体层和第二金属层，并图案化所述半导体层形成有源层，利用第二道光罩图案化所述第二金属层形成源极、漏极及像素电极。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括：提供一基板；在所述基板上沉积第一金属层及第一导电层，利用第一道光罩图案化所述第一金属层及第一导电层，以形成栅极及覆盖于所述栅极上的导电隔离层；在所述栅极上沉积栅极绝缘层后，在所述栅极绝缘层上依次沉积半导体层和第二金属层，并图案化所述半导体层形成有源层，利用第二道光罩图案化所述第二金属层形成源极、漏极及像素电极。2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上沉积第一金属层及第一导电层，利用第一道光罩图案化所述第一金属层及第一导电层，以形成栅极及覆盖于所述栅极上的导电隔离层的步骤具体包括：在所述基板上沉积第一金属层，利用第一道光罩图案化所述第一金属层以形成栅极；在所述栅极上沉积第一导电层，利用所述第一道光罩图案化所述第一金属层以形成导电隔离层。3.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上沉积第一金属层及第一导电层，利用第一道光罩图案化所述第一金属层及第一导电层，以形成栅极及覆盖于所述栅极上的导电隔离层的步骤具体包括：在所述基板上依次沉积第一金属层及第一导电层，利用第一道光罩图案化所述第一金属层及第一导电层，以形成栅极及覆盖于所述栅极上的导电隔离层。4.如权利要求2或3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上沉积第一金属层及第一导电层，利用第一道光罩图案化所述第一金属层及第一导电层，以形成栅极及覆盖于所述栅极上的导电隔离层的步骤具体包括：所述第一金属层为铜或者铜质合金；所述第一导...
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