【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种结型场效应对管。
技术介绍
随着电子技术的发展，结型场效应对管在医用电子仪器、分析仪器和各种测量仪 器上获得了越来越广泛的应用。传统的结型场效应对管是从大量的单管中选择特性曲线基 本一致的两个单管组成一对，或者是在制造过程中挑选特性曲线基本一致的两个芯片装在 一个管壳内。这两种方法在生产过程中要花费大量的时间和人力做挑选配对工作，其成品 率低、价格昂贵，而且这样组成的配对也只能满足在特定的常温条件下具有对称性能，在高 温和低温环境条件下，往往会偏离匹配对称状态。因此，如何降低生产成本，提高结型场效 应对管在高温、低温条件下的对称特性成为了结型场效应对管推广使用的瓶颈。
技术实现思路
本技术的目的是针对上述的问题，提供一种生产成本低，在高温、低温条件下 对称特性良好的结型场效应对管。本技术的结型场效应对管，是在同一硅单晶芯片上制作两个完全一致的场效 应晶体管，两个场效应晶体管之间通过栅极与衬底之间形成的PN结二极管实现隔离，彼此 之间是完全独立。本技术的结型场效应对管生产成本低，由于两个结型场效应晶体管制作在很 小的硅片面积内，因此两者之间始终能够保持...
【技术保护点】
一种结型场效应对管，其特征在于：它是在同一硅单晶芯片上制作有两个完全一致的场效应晶体管，两个场效应晶体管之间通过栅极与衬底之间形成的ＰＮ结二极管实现隔离，彼此之间完全独立。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡援朝，赵建华，
申请(专利权)人：江西联创特种微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：36[中国|江西]
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