一种卷绕式PVD物理学沉积真空磁控溅射镀银铜合金层方法技术

本发明专利技术公开一种卷绕式PVD物理学沉积真空磁控溅射镀银铜合金层方法，包括在PET基膜表面除杂预处理、抽真空、充入惰性气体、加热、溅射复合多种金属层等步骤。磁控溅射镀表银铜合金层的总厚度很薄，有效节省了生产时间；使得PET基膜表面层最终达到电流导通、电磁波防护、屏蔽信号干扰作用，复合合金层可以大幅度提高导电层与外界介质的阻隔性，电磁波防护、屏蔽信号干扰、提高整体屏蔽效果。

【技术实现步骤摘要】
一种卷绕式PVD物理学沉积真空磁控溅射镀银铜合金层方法
本专利技术涉及一种用于电磁波防护、屏蔽信号干扰
，具体是一种卷绕式PVD物理学沉积真空磁控溅射镀银铜合金层方法。
技术介绍
因现在电子通信产品轻、薄的极致需求，使得电磁波防护、屏蔽信号干扰、要求越来越高，传统的溅射工艺一般只溅射一种金属层，电阻较大，已无法达高5G通信要求等。传统电镀工艺也存在很多问题，电镀非也含有一定的有毒有害物质，其处理过程复杂、处理成本高，且对环境仍有一定的污染。能耗大、工艺复杂、生产效率低、成本高，也不够环保。因此，亟需提供一种卷绕式PVD物理学沉积真空磁控溅射镀银铜合金层方法，以解决现有技术的不足。
技术实现思路
为实现上述目的，本专利技术提供一种卷绕式PVD物理学沉积真空磁控溅射镀银铜合金层方法，具有电流导通、电磁波防护、屏蔽信号干扰的磁控溅射镀银铜合金层，有效节省了生产时间、提高整体屏蔽效果。本专利技术采用的技术方案如下，一种卷绕式PVD物理学沉积真空磁控溅射镀银铜合金层方法，包括以下步骤：(1)预处理：准备磁控溅射的设备，在PET基膜上面进行溅射离子源清洗层，消除膜表面杂质，形成底层离子源清晰溅射层；(2)打开真空室，把装入PET基膜的样品皿安装在样品台上；(3)关闭真空室，打开机械泵抽真空至10-8-10-9Pa；(4)向真空室内充入惰性气体至10-3-10-2.7Pa；(5)打开样品加热器，加热温度范围在400℃-450℃；(6)打开磁控溅射靶电源，调节功率至200-250KW，开始溅射金属层；(7)以溅射速度1m/min镀金属层，先磁控溅射镀镍，接着磁控溅射镀铜银合金；从底到外依次形成底层离子清洗溅射层、镍层和铜银合金层；(8)溅射结束后，关闭溅射电源。进一步，所述溅射靶材包括表面平整光滑的长方形状的镍金属材料和铜、银合金金属材料。进一步，所述惰性气体为氩气。进一步，磁控溅射层的总厚度是在0.8μm到1μm。进一步，所述底层离子源清洗溅射层厚度为0.2μm到0.25μm，在PET基膜上面进行溅射离子源清洗层，消除膜表机杂质、覆盖膜面平整、光滑。进一步，所述磁控溅射镀镍层的厚度是在0.3μm到0.35μm，在溅射离子源清洗层的PET基膜上进行磁控溅射镀镍层，使其表面有一定的屏蔽阻隔作用。进一步，所述磁控溅射镀表银铜合金层是铜、银的二种以上的的金属合金。厚度为0.35μm到0.4μm，使PET基膜表面层最终达到电流导通、电磁波防护、屏蔽信号干扰作用。本专利技术的有益效果为：相对于现有技术，减少对环境的污染，降低能耗，降低成本，简化工艺，提高了生产效率和产品质量。磁控溅射镀表银铜合金层的总厚度仅在0.8μm到1μm，有效节省了生产时间；表层溅射复合合金层可以大幅度提高导电层与外界介质的阻隔性，电磁波防护、屏蔽信号干扰、提高整体屏蔽效果。具体实施方式为了使本专利技术的专利技术目的，技术方案及技术效果更加清楚明白，下面结合具体实施方式对本专利技术做进一步的说明。应理解，此处所描述的具体实施例，仅用于解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术提供一种卷绕式PVD物理学沉积真空磁控溅射镀银铜合金层方法，应用在用于电磁波防护、屏蔽信号干扰、电磁屏蔽膜等领域。包括以下方法步骤：(1)预处理：准备磁控溅射的设备，在PET基膜上面进行溅射离子源清洗层，消除膜表面杂质，形成底层离子源清晰溅射层；(2)打开真空室，把装入PET基膜的样品皿安装在样品台上；(3)关闭真空室，打开机械泵抽真空至10-8Pa-10-9Pa；优选地，抽真空至10-8Pa；(4)向真空室内充入惰性气体至10-3Pa-10-2.7Pa；优选地，充入惰性气体至10-3Pa；(5)打开样品加热器，加热温度范围在400℃-450℃；优选地，加热温度为400℃；(6)打开磁控溅射靶电源，调节功率至200KW-250KW，开始溅射金属层；优选地，最佳功率为250KW；(7)以溅射速度1m/min镀金属层，先磁控溅射镀镍，接着磁控溅射镀铜银合金；进一步，还可溅射铜银合金两种以上的合金；则从底到外依次形成底层离子清洗溅射层、镍层和铜银合金层；(8)溅射结束后，关闭溅射电源。进一步，所述溅射靶材包括表面平整光滑的长方形状的镍金属材料和铜、银合金金属材料。进一步，充入的所述惰性气体为氩气。进一步，磁控溅射层的总厚度是在0.8μm到1μm。进一步，所述底层离子源清洗溅射层厚度为0.2μm到0.25μm，在PET基膜上面进行溅射离子源清洗层，消除膜表机杂质、覆盖膜面平整、光滑。进一步，所述磁控溅射镀镍层的厚度是在0.3μm到0.35μm，在溅射离子源清洗层的PET基膜上进行磁控溅射镀镍层，使其表面有一定的屏蔽阻隔作用。进一步，所述磁控溅射镀表银铜合金层还可以是铜、银的二种以上的的金属合金或者其他金属合金。厚度为0.35μm到0.4μm，使PET基膜表面层最终达到电流导通、电磁波防护、屏蔽信号干扰作用。表层溅射复合合金层可以大幅度提高导电层与外界介质的阻隔性，电磁波防护、屏蔽信号干扰、提高整体屏蔽效果。以上内容是结合具体的优选实施方式对本专利技术所作的进一步详细说明，不能认定本专利技术的具体实施只局限于这些说明。对于本专利技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，其架构形式能够灵活多变，可以派生系列产品。只是做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本专利技术由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种卷绕式PVD物理学沉积真空磁控溅射镀银铜合金层方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)预处理：准备磁控溅射的设备，在PET基膜上面进行溅射离子源清洗层，消除膜表面杂质，形成底层离子源清晰溅射层；(2)打开真空室，把装入PET基膜的样品皿安装在样品台上；(3)关闭真空室，打开机械泵抽真空至10‑9‑10‑8Pa；(4)向真空室内充入惰性气体至10‑3‑10‑2.7Pa；(5)打开样品加热器，加热温度范围在400‑450℃；(6)打开磁控溅射靶电源，调节功率至200‑250KW，开始溅射金属层；(7)以溅射速度1m/min镀金属层，先磁控溅射镀镍，接着磁控溅射镀铜银合金；从底到外依次形成底层离子清洗溅射层、镍层和铜银合金层；(8)溅射结束后，关闭溅射电源。

【技术特征摘要】
1.一种卷绕式PVD物理学沉积真空磁控溅射镀银铜合金层方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)预处理：准备磁控溅射的设备，在PET基膜上面进行溅射离子源清洗层，消除膜表面杂质，形成底层离子源清晰溅射层；(2)打开真空室，把装入PET基膜的样品皿安装在样品台上；(3)关闭真空室，打开机械泵抽真空至10-9-10-8Pa；(4)向真空室内充入惰性气体至10-3-10-2.7Pa；(5)打开样品加热器，加热温度范围在400-450℃；(6)打开磁控溅射靶电源，调节功率至200-250KW，开始溅射金属层；(7)以溅射速度1m/min镀金属层，先磁控溅射镀镍，接着磁控溅射镀铜银合金；从底到外依次形成底层离子清洗溅射层、镍层和铜银合金层；(8)溅射结束后，关闭溅射电源。2.根据权利要求1所述的卷绕式PVD物理学沉积真空磁控溅射镀银铜合金层方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭勇，
申请(专利权)人：广东鑫丰海电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44