一种LED芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片的制备方法，所述制备方法通过在对N型外延层的表面进行粗化工艺之前，先对N型外延层进行等离子体预处理，经过所述等离子体预处理后的N型外延层的表面更加干净，而且有利于后续的粗化工艺，能够提高后续粗化工艺的均匀性，可明显提升单颗LED芯片的光提取效率，同时使晶圆级LED芯片的亮度分布更加集中，从而提升LED芯片的良品率，适用于批量生产。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片的制备方法
本专利技术属于半导体发光领域，特别是涉及一种LED芯片的制备方法。
技术介绍
随着发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)技术的不断发展，LED芯片有传统的正装结构、倒装结构以及垂直结构，因垂直结构的LED芯片具有散热好、能够承载大电流、发光强度高、耗电量小、寿命长等优点，被广泛应用于通用照明、景观照明、特种照明、汽车照明等领域。目前，在垂直结构的LED芯片中，通常对N型外延层的表面进行粗化工艺，以提高LED芯片的光提取效率，N型外延层表面的粗化均匀性对LED芯片亮度及电压的影响很大。然而，在现有技术中，N型外延层表面的粗化均匀性欠佳，单颗LED芯片的光提取效率不高，使得晶圆级LED芯片的亮度分布不集中，从而影响LED芯片的良品率。因此，针对上述技术问题，有必要提供一种LED芯片的制备方法。
技术实现思路
本专利技术为了解决LED芯片中N型外延层表面的粗化均匀性问题，提供一种LED芯片的制备方法，以提高N型外延层表面的粗化均匀性，提升单颗LED芯片的光提取效率，同时使晶圆级LED芯片的亮度分布更加集中，从而提升LED芯片的良品率。为解决上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供LED外延结构，所述LED外延结构包括衬底；自下至上依次形成于所述衬底上的N型外延层、量子阱层及P型外延层；在所述P型外延层上形成P电极层；提供基板，将所述基板与所述P电极层相键合；去除所述衬底并暴露出部分N型外延层；对暴露的N型外延层进行等离子体预处理；对所述等离子体预处理后的N型外延层的表面进行粗化工艺；在所述粗化工艺后的N型外延层上形成N电极。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供LED外延结构，所述LED外延结构包括衬底；自下至上依次形成于所述衬底上的N型外延层、量子阱层及P型外延层；在所述P型外延层上形成P电极层；提供基板，将所述基板与所述P电极层相键合；去除所述衬底并暴露出部分N型外延层；对暴露的N型外延层进行等离子体预处理；对所述等离子体预处理后的N型外延层的表面进行粗化工艺；在所述粗化工艺后的N型外延层上形成N电极。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述衬底并暴露出部分N型外延层的步骤包括：采用激光剥离法去除所述衬底；去除切割道上的N型外延层、量子阱层和P型外延层，直至暴露出P电极层；形成第一保护层，所述第一保护层覆盖切割道的侧壁和暴露出的P电极层，以暴露出部分N型外延层。3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一保护层为SiO2层、Si3N4层或Al2O3层。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述衬底并暴露出部分N型外延层的步骤包括：采用激光剥离法去除所述衬底；形成第二保护层，所述第二保护层覆盖切割道区域的N型外延层，以暴露出部分N型外延层。5.如权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：童玲，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31