一种图形化衬底及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种图形化衬底及其制作方法，所述图形化衬底，包括衬底，所述衬底的顶面开设有若干沟槽，从而形成沟槽之间的生长平台，在所述沟槽内沉积有生长抑制层。本发明专利技术通过在沟槽内沉积生长抑制层，可以确保半导体材料尽量少地沉积到沟槽内，多在生长平台顶部成核并横向生长，在生长平台顶部设置成核层可更有利于半导体材料的选择性形核生长，由此带来的好处是进一步减少了半导体材料在沟槽内的沉积，防止沟槽被阻塞，从而有利于化学剥离时剥离液流入沟槽内，利于半导体材料的化学剥离。

A graphical substrate and its fabrication method

The present invention provides a graphical substrate and a manufacturing method. The graphical substrate, including a substrate, is provided with a number of grooves on the top surface of the substrate to form a growth platform between the grooves, and a growth inhibition layer is deposited in the groove. By depositing the growth inhibition layer in the groove, the present invention can ensure that the semiconductor material is deposited in the groove as little as possible, and is mostly nucleated and transversely grown on the top of the growth platform. The nucleation layer on the top of the growth platform is more conducive to the selective nucleation of the semiconductor material. The benefit is further reduced by half. The deposition of conductor materials in the grooves prevents the grooves from being blocked, which is conducive to the chemical stripping of the stripping liquid into the groove, which is beneficial to the chemical stripping of semiconductors.

【技术实现步骤摘要】
一种图形化衬底及其制作方法
本专利技术属于半导体领域，尤其涉及一种图形化衬底及其制作方法。
技术介绍
垂直结构是发光二极管结构中的一种，目前制备该类二极管时，化学剥离是实现垂直结构芯片与基板分离的方式之一。在化学剥离的工艺中，通常需要在外延层与基板之间形成一空腔结构，使化学剥离蚀刻液能够通过空腔构成的通道流入内部，移除牺牲层，实现外延层与基板分离。在专利CN102569551B《具有蚀刻停止层的磊晶结构及其制造方法》中，采用图案化SiO2作为牺牲层，然后在未受该图案化牺牲层遮盖的基板上生长暂停磊晶层。通过含氟化学溶液移除该图案化SiO2牺牲层，形成空腔，再通入蚀刻液移除暂时磊晶层。该专利在实际操作中，含氟化学溶液移除SiO2牺牲层的过程会由于含氟化学溶液在图形内部浓度的逐步降低而造成移除速度逐步减慢并最终停止，难以实现SiO2牺牲层的完全移除和形成底部贯通空腔。在文献《ChemicalLift-OffProcessforBlueLight-EmittingDiodes》(AppliedPhysicsExpress3(2010)092101)中，在c面蓝宝石衬底<11-2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图形化衬底，包括衬底，其特征在于，所述衬底的顶面开设有若干沟槽，从而形成沟槽之间的生长平台，在所述沟槽内沉积有生长抑制层。

【技术特征摘要】
1.一种图形化衬底，包括衬底，其特征在于，所述衬底的顶面开设有若干沟槽，从而形成沟槽之间的生长平台，在所述沟槽内沉积有生长抑制层。2.如权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述若干沟槽平行或相交设置。3.如权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述生长平台的顶面沉积有成核层。4.如权利要求3所述的图形化衬底，其特征在于，所述成核层为AlN层或GaN层或AlGaN层。5.如权利要求1至4中任意一项所述的图形化衬底，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，所述生长抑制层为SiO2层或者Si3N4层。6.一种权利要求1所述图形化衬底的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)：在一衬底顶面旋涂一层第一光刻胶，利用一掩膜版图形化所述第一光刻胶，以第一光刻胶为掩膜刻蚀所述衬底形成若干沟槽，沟槽之间形成生长平台，除去生长平台顶面的第一光刻胶；步骤2)：在步骤1)得到的衬底顶面沉积生长抑制层，所述生长抑制层沉积于沟槽内及所述生长平台的顶面上；步骤3)：在衬底顶面旋涂一层第二光刻胶，所述第二光刻胶覆盖在所述沟槽内和所述生长平台顶面的生长抑制层上，利用所述掩膜版图形化所述第二光刻胶，露出所述生长平台顶面上的生长抑制层；步骤4)：先以第二光刻胶为掩膜刻蚀掉所述生长平台顶面上的生长抑制层，再除去所述沟槽内的第二光刻胶，得到所述图...

【专利技术属性】
技术研发人员：周圣军，胡红坡，高艺霖，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42