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本发明提供一种图形化衬底及其制作方法，所述图形化衬底，包括衬底，所述衬底的顶面开设有若干沟槽，从而形成沟槽之间的生长平台，在所述沟槽内沉积有生长抑制层。本发明通过在沟槽内沉积生长抑制层，可以确保半导体材料尽量少地沉积到沟槽内，多在生长平台顶...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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