三极管制造技术

本实用新型专利技术提供了一种三极管，包括介质层，其中，靠近所述第二导电类型外延层的部分厚度的介质层的致密度比远离所述第二导电类型外延层的部分厚度的介质层的致密度高，由此能够在所述介质层中形成的引线孔为斜面引线孔，所述引线孔的截面宽度自靠近所述第二导电类型外延层一端向远离所述第二导电类型外延层的一端变大，所述斜面引线孔可以让金属电极在引线孔斜面台阶处覆盖的最薄厚度达到平坦处的70％以上。进一步的，引线孔台阶覆盖良好的第一金属电极、第二金属电极及第三金属电极实现了三极管可稳定工作在大电流下。

Triode

The utility model provides a triode, including a medium layer, in which the densification of a medium layer near the second conductive type epitaxial layer is higher than that of a medium layer with a partial thickness far away from the second conductive type epitaxial layer, thus the lead hole formed in the medium layer is inclined plane. The width of the cross section of the lead hole is larger from one end of the second conductive type epitaxial layer from one end of the second conductive type epitaxial layer, and the thinnest thickness of the bevel lead hole can allow the metal electrode to cover more than 70% of the flat place at the slope of the lead hole. Further, the first metal electrode, second metal electrode and the three metal electrode are well covered by the lead hole stage, and the triode can work steadily under the large current.

【技术实现步骤摘要】
三极管
本技术涉及集成电路
，特别涉及一种三极管。
技术介绍
在集成电路制造技术的发展中，双极器件组成的模拟集成电路因其高压、大功率管的特点一直扮演着重要的角色。双极器件通常指的是含有集电极、基极、发射极三端引出的NPN型三极管和PNP型三极管。集电极、基极、发射极分别简称为C、B、E；对于集成电路中的NPN型三极管/PNP型三极管而言，集电极为做在P型/N型衬底上的N型/P型外延层中的N型/P型掺杂区，基极为N型/P型外延层中掺杂形成的P型/N型区域，发射极为在基区中重掺杂形成的N型/P型区；另外，P型/N型衬底的接触端在集成电路中通常从外延层表面引出，通常将衬底的引出端简称为S。NPN型/PNP型三极管有这几个与耐压有关的最重要的电参数：基区悬空时集电极对发射极的击穿电压BVceo、发射极悬空时集电极对基极的击穿电压BVcbo、基极相对衬底的击穿电压Vbs、集电极对衬底的击穿电压Vcs。当正向使用时，NPN型三极管的集电极总是接高电位，这样就要求Vcs足够高。通常双极集成电路电路中Vcs最高为120V。通常双极集成电路需要一定的驱动带载能力，大部分大功率电路工作在20V-5本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三极管，其特征在于，所述三极管包括：第一导电类型衬底；位于所述第一导电类型衬底上的第二导电类型外延层；自所述第二导电类型外延层表面延伸至所述第二导电类型外延层中的第一导电类型掺杂区域及第二导电类型的第一掺杂区域；自所述第一导电类型掺杂区域表面延伸至所述第一导电类型掺杂区域中的第二导电类型的第二掺杂区域；位于所述第二导电类型外延层上的介质层，靠近所述第二导电类型外延层的部分厚度的介质层的致密度比远离所述第二导电类型外延层的部分厚度的介质层的致密度高；及引线孔，所述引线孔自所述介质层表面延伸至所述第二导电类型外延层表面。

【技术特征摘要】
1.一种三极管，其特征在于，所述三极管包括：第一导电类型衬底；位于所述第一导电类型衬底上的第二导电类型外延层；自所述第二导电类型外延层表面延伸至所述第二导电类型外延层中的第一导电类型掺杂区域及第二导电类型的第一掺杂区域；自所述第一导电类型掺杂区域表面延伸至所述第一导电类型掺杂区域中的第二导电类型的第二掺杂区域；位于所述第二导电类型外延层上的介质层，靠近所述第二导电类型外延层的部分厚度的介质层的致密度比远离所述第二导电类型外延层的部分厚度的介质层的致密度高；及引线孔，所述引线孔自所述介质层表面延伸至所述第二导电类型外延层表面。2.如权利要求1所述的三极管，其特征在于，所述引线孔为斜面引线孔，所述引线孔的截面宽度自靠近所述第二导电类型外延层一端向远离所述第二导电类型外延层的一端变大。3.如权利要求2所述的三极管，其特征在于，所述介质层包括位于所述第二导电类型外延层上的氧化硅层及位于所述氧化硅层上的含磷介质层。4.如权利要求3所述的三极管，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为1000埃～2000埃。5.如权利要求3所述的三极管，其特征在于，所述含磷介质层包括位于所述氧化硅层上的第一含磷介质层及位于所述第一含磷介质层上的第二含磷介质层，其中，所述第一含磷介质层的致密度比所述第二含磷介质层的致密度高。6.如权利要求5所述的三极管，其特征在于，所述第一含磷介质层的厚度为3000埃～5000埃，所述第二含磷介质层的厚度为3000埃～5000埃。7.如权利要求5所述的三极管，其特征在于，所述第一含磷介质层在腐蚀液中的腐蚀速率为600埃/分钟～900埃/分钟，所述第二含磷介质层在腐蚀液中的腐蚀速率为1000埃/分钟～2500埃/分钟。8.如权利要求7所述的三极管，其特征在于，所述腐蚀液为HF和NH4F的浓度比为1:(4～8)的腐蚀液。9.如权利要求2所述的三极管，其特征在于，所述引线孔包括：第一引线孔、第二引线孔及第三引线孔，所述三极管还包括：第一金属电极、第二金属电极及第三金属电极，其中，所述第一金属电极通过所述第一引线孔与所述第二导电类型的第二掺杂区域连接，所述第二金属电极通过所述第二引线孔与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯荣杰，刘东，胡铁刚，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33