有机电子器件制造技术
【技术实现步骤摘要】
有机电子器件本申请为国际申请日2012年11月30日、国际申请号PCT/EP2012/074125于2014年5月27日进入中国国家阶段、申请号201280058258.6、专利技术名称“有机电子器件”的分案申请。
本专利技术涉及有机电子器件，并涉及特定化合物在这样的有机电子器件中的用途。
技术介绍
有机电子器件，例如有机半导体，可用于制造简单的电子元件，例如电阻器，二极管，场效应晶体管，以及还有光电子元件，如有机发光器件(例如有机发光二极管(OLED))，以及许多其它元件。所述有机半导体和它们的器件的工业和经济重要性反映在使用有机半导体有源层的器件数量增加和在该主题上的工业关注度增加。OLED基于的原理是电致发光，其中电子-空穴对，所谓的激子，在发光的情况下复合。为此目的，所述OLED被构造成夹心结构的形式，其中将至少一个有机的膜作为有源材料布置在两个电极之间，正的和负的载荷子被注入到所述有机材料中，并且在所述有机层中发生从空穴或电子到复合区(发光层)的电荷传输，其中在发光的情况下发生所述载荷子到单重态和/或三重态激子的复合。随后激子辐射复合，导致由所述发光二极...
【技术保护点】
1.有机电子器件，该有机电子器件包括第一电极、第二电极和在所述第一电极和所述第二电极之间的包含式(I)化合物的实质上有机的层：
【技术特征摘要】
2011.11.30 EP 11191350.51.有机电子器件，该有机电子器件包括第一电极、第二电极和在所述第一电极和所述第二电极之间的包含式(I)化合物的实质上有机的层：其中M是金属离子，A1至A4中的每个独立地选自H和取代或未取代的C2至C20杂芳基，和n＝2是所述金属离子的化合价。2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中M是碱土金属。3.根据权利要求1至2中的任一项所述的有机电子器件，其中至少三个选自A1至A4的基团是含氮杂芳基。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的有机电子器件，其中将含氮杂芳基通过B-N键键合到中心硼原子。5.根据权利要求4所述的有机电子器件，其中所述杂芳基是吡唑基。6.根据前述权利要求中的任一项所述的有机电子器件，其中M是Mg。7.根据前述权利要求中的任一项所述的有机电子器件，其中所述实质上有机的层包含电子传输材料。8.根据权利要求7所述的有机电子器件，其中所述电子传输基质包含咪唑或P＝O官能团。9....
【专利技术属性】
技术研发人员：萨沙·多罗克，迈克·策尔纳，卡斯滕·罗特，欧姆莱恩·法德尔，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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