多腔室晶圆处理设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种多腔室晶圆处理设备，包括：多个晶圆处理腔室，每个晶圆处理腔室包括气动门，所述气动门由气缸驱动；气路，包括主气路和与所述主气路一端连接的多个支气路，所述多个支气路分别连接至各个气缸；气体源，与所述气路另一端连接，用于通过所述气路向各个气缸输入压缩气体；第一阀门，设置于所述主气路上，用于控制所述主气路内的气流；多个第二阀门，分别设置于位于各个支气路上，用于分别控制各个支气路内的气流。提高气路内压力的均匀稳定性，使得气动门开关顺利。 1

【技术实现步骤摘要】
多腔室晶圆处理设备
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种多腔室晶圆处理设备。
技术介绍
晶圆处理工艺是在一个多腔室的工艺系统内进行的，例如一个具有多个处理腔室的晶圆处理设备。多腔室具有多腔室的晶圆处理设备包括多个处理腔室，例如沉积腔室、刻蚀腔室、退火腔室等。各个处理腔室之间构成一传送腔，所述传送腔内设置机械臂，用于在各个腔室以及负载锁定室之间传送晶圆。各个处理腔室靠近传送区域的一端设置有气动真空阀门，作为负载锁定室与传送区域之间的隔离阀门。所述气动真空阀门由气缸驱动。机台统一调整气体压力后分别供给各个腔体的气缸，用于控制真空门的开启或关闭。但气缸个体差异造成流进各气缸的气体压力大小不均，会偶尔发生气动门开关不顺畅，导致部分主腔体气动门开启失败，使得机械臂不能正常传片工作，引起设备故障。因此，需要一种新的气体输送管路，使得到达各个气缸的气体压力均能满足要求，使得气缸运动平顺。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种多腔室晶圆处理设备，使得所述多腔室晶圆处理设备的气动门开关顺畅，避免设备故障。为了解决上述问题，本技术提供了一种多腔室晶圆处理设备，包括：多个晶圆处理腔室，每个晶圆处理腔室包括气动门，所述气动门由气缸驱动；气路，包括主气路和与所述主气路一端连接的多个支气路，所述多个支气路分别连接至各个气缸；气体源，与所述气路另一端连接，用于通过所述气路向各个气缸输入压缩气体；第一阀门，设置于所述主气路上，用于控制所述主气路内的气流；多个第二阀门，分别设置于位于各个支气路上，用于分别控制各个支气路内的气流。可选的，所述第二阀门为针型阀门。可选的，所述第一阀门与第二阀门采用相同类型的阀门。可选的，所述气体源用于输出压强为85Psi～95Psi的压缩气体。可选的，所述第二阀门上设置有压力传感器，用于检测所述支气路内的气体压强。可选的，所述第二阀门与气缸之间的气路距离小于第二阀门与主气路之间的气路距离。可选的，所述第二阀门用于控制对应的气动门的开关时间为4s～6s。本技术的多腔室晶圆处理设备的气体源通过一主气路以及多个支气路连接至多个气缸，支气路上分别设置有第二阀门，用于单独控制各个支气路内的气流，使得气路内的压力均匀稳定，使得各个气缸运动平顺以驱动气动门顺利开关。附图说明图1为本技术一具体实施方式的多腔室晶圆处理设备的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术提供多腔室晶圆处理设备的具体实施方式做详细说明。请参考图1，为本技术一具体实施方式的多腔室晶圆处理设备的局部结构示意图。所述多腔室晶圆处理设备包括多个晶圆处理腔室(图中未示出)，每个晶圆处理腔室包括气动门，所述气动门由气缸驱动，控制气动门的开启和关闭。该具体实施方式中，所述多腔室晶圆处理设备包括n个气动门，分别由n个气缸驱动，包括：气缸1、……、气缸n，n≥2。所述多腔室晶圆处理设备还包括：气体源101，用于提供由机台同一调整压力后的压缩气体(CDA)，所述压缩气体的压强较为稳定，控制在85Psi～95Psi范围内。所述气体源101通过一气路连接至各个气缸，用于通过所述气路向所述n个气缸分别提供CDA，以驱动气缸运动。该具体实施方式中，所述气路包括主气路102和与所述主气路102一端连接的n个支气路，所述n个支气路分别连接至各个气缸。具体的，支气路1031连接至气缸1，支气路1032连接至气缸2，……支气路103n连接至气缸n。气体源101内的气体经过主气路102输出之后，通过各个支气路分流至各个气缸内。所述多腔室晶圆处理设备还包括第一阀门201和n个第二阀门。所述第一阀门201，设置于所述主气路102上，用于控制所述主气路102内的气流。通过所述第一阀门201可以控制所述主气路102的导通或关闭，以及调整所述气体源101输出的总的气体流量。但是，无法单独对输出至各个气缸内的气流进行调整。并且，如果各个支气路内的压力不均匀，也会导致所述第一阀门201的波动，影响整个气体管路内气体供应的稳定性。所述n个第二阀门，分别设置于位于各个支气路上，用于分别控制各个支气路内的气流。具体的，第二阀门2021设置于支气路1031上，用于控制支气路1031内流入气缸1内的气流；第二阀门2022设置于支气路1032上，用于控制支气路1032内流入气缸2内的气流；……；第二阀门202n设置于支气路103n上，用于控制支气路103n内流入气缸n内的气流。由此通过各个第二阀门，可以对流入各个气缸的气流进行单独调整，使得流入各个气缸内的气体流量大小接近，避免由于气缸的个体差异导致的各支路气流不一致的问题，使得各管路内压力均匀稳定，可以避免气缸发生故障，减少设备的维修时间和维修成本，提高所述多腔室晶圆处理设备的产量。该具体实施方式中，所述第二阀门2021、2022……202n均采用针型阀门，具有较高的抗压能力，可靠性较高。在本技术的其他具体实施方式中，所述第二阀门也可以采用其他结构的阀门。在本技术的另一具体实施方式中，还可以在各个第二阀门上设置压力传感器，用于检测各个支气路内的气体压强，便于技术人员实时监控各支气路内的气体压强，及时作出调整。该具体实施方式中，所述第二阀门与气缸之间的气路距离小于第二阀门与支气路之间的气路距离，由此可以使得第二阀门能够对进入气缸内的气流进行更有效准确的调整。通过对各个第二阀门进行单独调整，使得各个第二阀门对应的气缸所驱动的气动门的开关时间为4s～6s，达到标准速度。所述第一阀门201采用的阀门类型可以与所述第二阀门一致，也可以采用其他合适的阀门结构。上述具体实施方式提供的多腔室晶圆处理设备的气体源通过一主气路以及多个支气路连接至多个气缸，支气路上分别设置有第二阀门，用于单独控制各个支气路内的气流，使得气路内的压力均匀稳定，使得各个气缸运动平顺以驱动气动门顺利开关。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多腔室晶圆处理设备，其特征在于，包括：

【技术特征摘要】
1.一种多腔室晶圆处理设备，其特征在于，包括：多个晶圆处理腔室，每个晶圆处理腔室包括气动门，所述气动门由气缸驱动；气路，包括主气路和与所述主气路一端连接的多个支气路，所述多个支气路分别连接至各个气缸；气体源，与所述气路另一端连接，用于通过所述气路向各个气缸输入压缩气体；第一阀门，设置于所述主气路上，用于控制所述主气路内的气流；多个第二阀门，分别设置于位于各个支气路上，用于分别控制各个支气路内的气流。2.根据权利要求1所述的多腔室晶圆处理设备，其特征在于，所述第二阀门为针型阀门。3.根据权利要求1所述的多腔室晶圆处理设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：张大龙，栾剑锋，阚保国，刘家桦，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32