半导体设备制造技术

半导体设备100具有垂直结构的功率晶体管N1和用于检测该功率晶体管N1的异常发热的温度检测元件10a。功率晶体管N1包括：形成在半导体基板200的第一主表面侧(前表面侧)上的第一电极208、形成在半导体基板200的第二主表面侧(背面侧)的第二电极209、以及不均匀地设置在第一电极208上的焊盘210a‑210f。温度检测元件10a形成在功率晶体管N发热最多的位置，该位置(在焊盘210b附近电流最容易集中的位置)使用焊盘210a‑210f的不均匀定位来指定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体设备
本专利技术涉及半导体设备。
技术介绍
通常，包括功率晶体管的许多半导体设备设置有用于检测功率晶体管中的异常发热的温度感测元件。刚刚提及的常规技术的示例可见于下面指出的专利文献1和2。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利申请2006-100690号公报专利文献2：日本专利申请2011-003767号公报
技术实现思路
专利技术解决的技术问题但是，常规半导体设备为异常发热检测的准确性方面的进一步改进(因此温度保护电路的可靠性)留有余地。鉴于本专利技术人遇到的问题，在此所描述的本专利技术的目的是提供一种能够适当地检测功率晶体管中的异常发热的半导体设备。解决问题的手段根据在此公开的专利技术的一方面，半导体设备包括：具有垂直结构的功率晶体管；以及用于该检测功率晶体管中的异常发热的温度感测元件。功率晶体管包括：形成在半导体基板的第一主面侧的第一电极；形成在半导体基板的第二主面侧的第二电极；以及以向一侧倾斜的方式布置在第一电极上的至少一个焊盘。温度感测元件形成在通过焊盘向一侧倾斜的布置来识别的功率晶体管中发热最多的点(第一配置)。在根据第一配置的半导体设备中，焊盘可以包括多个焊盘，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体设备，包括：具有垂直结构的功率晶体管；以及温度感测元件，其用于检测所述功率晶体管中的异常发热，其中所述功率晶体管包括：第一电极，其形成在半导体基板的第一主面侧；第二电极，其形成在所述半导体基板的第二主面侧；以及至少一个焊盘，其以向一侧倾斜的方式布置在所述第一电极上，并且所述温度感测元件形成在通过所述焊盘向一侧倾斜的布置来识别的所述功率晶体管中发热最多的点处。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.01 JP 2015-1960771.一种半导体设备，包括：具有垂直结构的功率晶体管；以及温度感测元件，其用于检测所述功率晶体管中的异常发热，其中所述功率晶体管包括：第一电极，其形成在半导体基板的第一主面侧；第二电极，其形成在所述半导体基板的第二主面侧；以及至少一个焊盘，其以向一侧倾斜的方式布置在所述第一电极上，并且所述温度感测元件形成在通过所述焊盘向一侧倾斜的布置来识别的所述功率晶体管中发热最多的点处。2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述焊盘包括多个焊盘，并且所述焊盘以向一侧倾斜的方式进行布置使得电流趋向于最集中的焊盘是唯一可识别的。3.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述焊盘包括一个焊盘，并且所述焊盘以向一侧倾斜的方式进行布置使得所述焊盘周围的电流分布在特定方向上向一侧倾斜。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体设备，其中所述第二电极是用于将供电电压施加到所述半导体基板的基板电极。5.根据权利要求4所述的半导体设备，进一步包括：供电线路，其形成在所述半导体基板的第一主面侧上；以及过孔，其连接在所述基板电极和所述供电线路之间。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体设备，其中所述功率晶体管用作高边开关，所述高边开关的第一电极连接到负载并且其第二电极连接到供电端子。7.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体设备，其中所述功率晶体管用作低边开关，所述低边开关的第一电极连接到接地端子并且其第二电极连接到负载。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的半导体设备，其中所述第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥直树，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP