处理晶圆的方法以及用在该方法中的保护片材技术

本发明专利技术涉及一种处理晶圆(W)的方法，该晶圆(W)在一侧(1)具有器件区域(2)和周边边缘区域(3)，器件区域(2)具有通过多条分割线(11)划分的多个器件，周边边缘区域(3)没有器件并且围绕器件区域(2)形成，其中，器件区域(2)形成有从晶圆(W)的平面表面突出的多个突起(14)。该方法包括：提供保护膜(4)；提供基片(7)，该基片(7)具有施加到其前表面(17)的缓冲层(13)；将用于覆盖晶圆(W)上的器件的保护膜(4)的前表面附接到晶圆(W)的所述一侧(1)，其中，保护膜(4)利用粘合剂(9)粘附到至少周边边缘区域(3)；以及将保护膜(4)的与其前表面相反的后表面附接到缓冲层(13)。从晶圆(W)的平面表面突出的突起(14)被埋入缓冲层(13)中，并且基片(7)的与其前表面(17)相反的后表面(18)基本上平行于晶圆(W)的与所述一侧(1)相反的侧(6)。该方法还包括：研磨晶圆(W)的与所述一侧(1)相反的所述侧(6)以调节晶圆厚度。本发明专利技术还涉及一种用在这种处理方法中的保护片材(5,5’)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】处理晶圆的方法以及用在该方法中的保护片材
本专利技术涉及一种处理诸如半导体晶圆的晶圆的方法，该晶圆在一侧具有器件区域和周边边缘区域，器件区域具有通过多条分割线划分的多个器件，周边边缘区域没有器件并且围绕器件区域形成，其中，器件区域形成有从晶圆的平面表面突出的多个突起。此外，本专利技术涉及一种用在这种方法中的保护片材。
技术介绍
在半导体器件制造工艺中，具有带有通过多条分割线划分的多个器件的器件区域的晶圆被分割成各个晶片或芯片。这种制造工艺通常包括用于调节晶圆厚度的研磨步骤以及沿着分割线切割晶圆以获得各个晶片或芯片的切割步骤。从与形成有器件区域的晶圆正面相反的晶圆背面执行研磨步骤。在诸如晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)的已知半导体器件制造工艺中，晶圆的器件区域形成有从晶圆的平面表面突出的多个突起(例如，凸块)。这些突起例如用于与各个晶片或芯片中的器件建立电接触(例如，在将晶片或芯片并入诸如移动电话和个人计算机的电子设备中时)。为了减小这种电子设备的尺寸，半导体器件必须减小尺寸。因此，在上面提到的研磨步骤中将形成有器件的晶圆研磨至μm范围内(例如，30至100μm的范围内)的厚度。然而，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理晶圆(W)的方法，该晶圆(W)在一侧(1)具有器件区域(2)和周边边缘区域(3)，所述器件区域(2)具有通过多条分割线(11)划分的多个器件，所述周边边缘区域(3)没有器件并且围绕所述器件区域(2)形成，其中，所述器件区域(2)形成有从所述晶圆(W)的平面表面突出的多个突起(14)，并且所述方法包括以下步骤：提供保护膜(4)；提供基片(7)，该基片(7)具有施加到其前表面(17)的缓冲层(13)；将用于覆盖所述晶圆(W)上的所述器件的所述保护膜(4)的前表面附接到所述晶圆(W)的所述一侧(1)，其中，所述保护膜(4)利用粘合剂(9)粘附到至少所述周边边缘区域(3)；将所述保护膜(4)的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种处理晶圆(W)的方法，该晶圆(W)在一侧(1)具有器件区域(2)和周边边缘区域(3)，所述器件区域(2)具有通过多条分割线(11)划分的多个器件，所述周边边缘区域(3)没有器件并且围绕所述器件区域(2)形成，其中，所述器件区域(2)形成有从所述晶圆(W)的平面表面突出的多个突起(14)，并且所述方法包括以下步骤：提供保护膜(4)；提供基片(7)，该基片(7)具有施加到其前表面(17)的缓冲层(13)；将用于覆盖所述晶圆(W)上的所述器件的所述保护膜(4)的前表面附接到所述晶圆(W)的所述一侧(1)，其中，所述保护膜(4)利用粘合剂(9)粘附到至少所述周边边缘区域(3)；将所述保护膜(4)的与其前表面相反的后表面附接到所述缓冲层(13)，其中，从所述晶圆(W)的所述平面表面突出的所述突起(14)被埋入所述缓冲层(13)中，并且所述基片(7)的与其前表面(17)相反的后表面(18)基本上平行于所述晶圆(W)的与所述一侧(1)相反的侧(6)；以及研磨所述晶圆(W)的与所述一侧(1)相反的所述侧(6)以调节所述晶圆的厚度。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述保护膜(4)与在其前表面(17)施加有所述缓冲层(13)的所述基片(7)被首先层压，从而形成包括所述基片(7)、所述缓冲层(13)和附接到所述缓冲层(13)的所述保护膜(4)的保护片材(5,5’)，并且所述保护片材(5,5’)随后附接到所述晶圆(W)的所述一侧(1)，使得从所述晶圆(W)的所述平面表面突出的所述突起(14)被所述保护膜(4)覆盖并被埋入所述缓冲层(13)中，并且所述基片(7)的所述后表面(18)基本上平行于所述晶圆(W)的与所述一侧(1)相反的所述侧(6)。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述保护膜(4)首先附接到所述晶圆(W)的所述一侧(1)，并且附接有所述保护膜(4)的所述晶圆(W)的所述一侧(1)随后附接到所述基片(7)的所述前表面(17)，以使得从所述晶圆(W)的所述平面表面突出的所述突起(14)被埋入所述缓冲层(13)中并且所述基片(7)的所述后表面(18)基本上平行于所述晶圆(W)的与所述一侧(1)相反的所述侧(6)。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，该方法还包括沿着所述分割线(11)切割所述晶圆(W)。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的方法，该方法还包括将所述保护膜(4)、所述缓冲层(13)和所述基片(7)从所述晶圆(W)移除。6.根据从属于权利要求4的权利要求5所述的方法，其中，切割所述晶圆(W)的步骤在将所述保护膜(4)、所述缓冲层(13)和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔·海因茨·普利瓦西尔，
申请(专利权)人：卡尔·海因茨·普利瓦西尔，
类型：发明
国别省市：德国,DE