晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，该晶片具有在由交叉的多条分割预定线划分出的各区域内分别形成有器件的正面，在该晶片的背面上形成有金属膜，其特征在于，该方法具有如下的步骤：切削步骤，从晶片的正面利用切削刀具沿着该分割预定线对晶片进行切削，形成未达到该金属膜的切削槽；保护膜形成步骤，在实施了该切削步骤之后，向晶片的正面侧提供水溶性的树脂，利用由该水溶性的树脂构成的保护膜对晶片的正面和该切削槽进行包覆；激光加工步骤，在实施了该保护膜形成步骤之后，从晶片的正面侧对该切削槽照射对于该金属膜具有吸收性的波长的激光束而将该金属膜与晶片一起断开；以及保护膜去除步骤，在实施了该激光加工步骤之后，对晶片进行清洗而将该保护膜去除。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，将在背面上形成有金属膜的晶片分割成各个芯片。
技术介绍
半导体晶片等晶片具有在由交叉的多条分割预定线划分出的各区域内分别形成有器件的正面，通过沿着分割预定线进行切削而将晶片分割成各个器件芯片。在这样的晶片之中，有时为了使器件的电特性保持良好而在背面上形成有金属膜，当利用切削刀具对金属膜进行切削时切削刀具会产生堵塞，当利用产生了堵塞的切削刀具对晶片进行切削时晶片会产生裂纹，存在刀具破损的问题。另一方面，当利用对于晶片具有吸收性的波长的激光束对晶片进行全切割时，因激光束照射至金属膜而产生的金属碎屑会附着在芯片侧面上。因此，在日本特开2015-138857号公报中记载了如下的带金属膜的晶片的加工方法：从晶片的背面侧照射对于晶片具有吸收性的波长的激光束而将金属膜断开，并且在晶片上形成隔断槽，接着利用切削刀具从晶片的正面侧对晶片进行切削直到达到隔断槽，将晶片分割成各个器件芯片。专利文献1：日本特开2015-138857号公报然而，在从晶片的背面侧对金属膜进行激光加工的情况下，由于在晶片的背面形成有金属膜，所以存在无法对形成于正面的分割预定线进行检测的问题。在专利文献1中也没有任何有关从晶片的背面侧对分割预定线进行检测的方法的记载，但例如需要花费如下的工夫等因而分割预定线的检测非常费事：预先将晶片的外周部分的金属膜去除而利用红外线照相机从晶片的背面侧对分割预定线进行检测。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的点而完成的，其目的在于，提供晶片的加工方法，能够容易且高效地将背面上形成有金属膜的晶片分割成芯片。根据本专利技术，提供晶片的加工方法，该晶片具有在由交叉的多条分割预定线划分出的各区域内分别形成有器件的正面，在该晶片的背面上形成有金属膜，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：切削步骤，从晶片的正面利用切削刀具沿着该分割预定线对晶片进行切削，形成未达到该金属膜的切削槽；保护膜形成步骤，在实施了该切削步骤之后，向晶片的正面侧提供水溶性的树脂，利用由该水溶性的树脂构成的保护膜对晶片的正面和该切削槽进行包覆；激光加工步骤，在实施了该保护膜形成步骤之后，从晶片的正面侧对该切削槽照射对于该金属膜具有吸收性的波长的激光束而将该金属膜与晶片一起断开；以及保护膜去除步骤，在实施了该激光加工步骤之后，对晶片进行清洗而将该保护膜去除。在本专利技术的晶片的加工方法中，从晶片的正面侧形成未达到金属膜的切削槽，接着照射激光束而将金属膜与晶片一起断开。由于从晶片的正面侧实施切削步骤和激光加工步骤，所以分割预定线的检测较容易，能够高效地将晶片分割成芯片。由于在形成了切削槽之后利用保护膜对晶片的正面和切削槽进行包覆，所以即使在激光加工步骤中产生了碎屑且产生的碎屑附着在保护膜上，也可通过之后的保护膜去除步骤将碎屑去除。因此，能够容易且高效地将背面上形成有金属膜的晶片分割成芯片而不使金属碎屑附着在芯片侧面上。附图说明图1的(A)是半导体晶片的正面侧立体图，图1的(B)是其剖视图。图2是借助划片带将晶片支承于环状框架而得的晶片单元的立体图。图3的(A)是示出切削步骤的局部剖视侧视图，图3的(B)是切削步骤实施后的晶片的放大剖视图。图4是激光加工装置的立体图。图5是示出保护膜形成步骤的剖视图。图6是保护膜形成步骤实施后的晶片的放大剖视图。图7是示出激光加工步骤的局部剖视侧视图。图8是激光加工步骤实施后的晶片的放大剖视图。图9是示出保护膜去除步骤的剖视图。图10是保护膜去除步骤实施后的晶片的放大剖视图。标号说明11：半导体晶片；13：分割预定线；15：器件；17：晶片单元；18：卡盘工作台；21：金属膜；23：切削槽；24：激光束照射单元；25：保护膜；27：隔断槽；28：聚光器；30：保护膜形成装置；38：旋转工作台；50：保护膜剂喷出构件；54：保护膜剂提供喷嘴；60：清洗水提供构件；64：清洗水喷嘴。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行详细地说明。当参照图1的(A)时，示出了半导体晶片(以下，有时简称为晶片)11的正面侧立体图。图1的(B)是半导体晶片11的剖视图。在晶片11的正面11a上形成有呈格子状形成的多条分割预定线13，在由交叉的分割预定线划分出的各区域内形成有LSI等器件15。如图1的(B)所示，在晶片11的背面11b上形成有由铜(Cu)或铝(Al)等形成的金属膜21。在实施本专利技术实施方式的晶片的加工方法之前，按照晶片单元17的方式来实施加工，其中，该晶片单元17是将晶片11粘贴在外周部被粘贴于环状框架F的划片带T上而成的。在本专利技术实施方式的晶片的加工方法中，首先，实施切削步骤，从晶片的正面利用切削刀具沿着分割预定线进行切削，形成未达到金属膜的切削槽。在该切削步骤中，如图3的(A)所示，将晶片11的背面侧隔着划片带T吸引保持在切削装置的卡盘工作台1上，利用夹具7对环状框架F进行夹持而固定。在实施切削步骤之前，利用切削装置所具有的拍摄单元对保持在卡盘工作台1上的晶片11的正面11a侧进行拍摄，实施对安装在主轴3的前端部的切削刀具5和待切削的分割预定线13进行对位的以往公知的对准。在实施了对准之后，实施切削步骤，从晶片11的正面11a利用高速旋转的切削刀具5沿着分割预定线13对晶片进行切削，形成未达到形成在晶片11的背面11b上的金属膜21的切削槽23。一边对分割预定线13的晶片11按照间距进行分度进给，一边沿着在第1方向上延伸的分割预定线13依次实施该切削步骤。接着，在使卡盘工作台1旋转90°之后，沿着在与第1方向垂直的第2方向上延伸的分割预定线13也实施同样的切削步骤。在图3的(B)中示出了切削步骤实施后的晶片11的放大剖视图。切削步骤实施后的切削槽23底部的切削残留部的厚度并无特别限定，但考虑到之后的步骤中的操作性而优选残存30～50μm左右的切削残留部。在实施了切削步骤之后，实施保护膜形成步骤，向晶片的正面侧提供水溶性的树脂，利用由水溶性的树脂构成的保护膜对晶片的正面和切削槽进行包覆。作为保护膜形成步骤的一例，优选使用图4所示的激光加工装置2所具有的保护膜形成装置。当然也可以使用独立的保护膜形成装置。当参照图4时，示出了具有保护膜形成装置并适合于实施本专利技术实施方式的激光加工步骤的激光加工装置2的立体图。在激光加工装置2的前表面侧设置有操作面板4，该操作面板4用于供操作人员输入加工条件等针对装置的指示。在装置上部设置有针对操作人员的引导屏幕或对由后述的拍摄单元拍摄到的图像进行显示的CRT等显示单元6。在盒8中收纳有多张图2所示的晶片单元17，盒8载置在能够上下移动的盒升降台9上。在载置在盒升降台9上的盒8的后方配设有搬出搬入构件10，该搬出搬入构件10将激光加工前的晶片单元17从盒8搬出，并且将加工后的晶片单元17搬入到盒8中。在盒8与搬出搬入构件10之间设置有供搬出搬入对象的晶片单元17暂时载置的区域即暂放区域12，在暂放区域12中配设有将晶片单元17对位于一定的位置的对位构件14。30是保护膜形成装置，该保护膜形成装置30兼作对加工后的晶片进行清洗的清洗装置。在暂放区域12的附近配设有搬送构件16，该搬送构件16具有对晶片单元17的框架F进行吸附而搬送的回旋臂。搬出到暂放区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，该晶片具有在由交叉的多条分割预定线划分出的各区域内分别形成有器件的正面，在该晶片的背面上形成有金属膜，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：切削步骤，从晶片的正面利用切削刀具沿着该分割预定线对晶片进行切削，形成未达到该金属膜的切削槽；保护膜形成步骤，在实施了该切削步骤之后，向晶片的正面侧提供水溶性的树脂，利用由该水溶性的树脂构成的保护膜对晶片的正面和该切削槽进行包覆；激光加工步骤，在实施了该保护膜形成步骤之后，从晶片的正面侧对该切削槽照射对于该金属膜具有吸收性的波长的激光束而将该金属膜与晶片一起断开；以及保护膜去除步骤，在实施了该激光加工步骤之后，对晶片进行清洗而将该保护膜去除。

【技术特征摘要】
2016.11.08 JP 2016-2180121.一种晶片的加工方法，该晶片具有在由交叉的多条分割预定线划分出的各区域内分别形成有器件的正面，在该晶片的背面上形成有金属膜，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：切削步骤，从晶片的正面利用切削刀具沿着该分割预定线对晶片进行切削，形成未达到该金属膜的切...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田洋照，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP