晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，在组合了激光加工方法和磨削方法合而成的晶片的加工方法中，按照使芯片角在磨削时不产生亏缺的方式分割晶片。一种晶片(W)的加工方法，该晶片(W)具有正面(Wa)，在该正面上的由多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件(D)，该晶片(W)的加工方法包含如下的步骤：在晶片正面(Wa)上粘贴正面保护带(T)；在实施了正面保护带粘贴步骤之后对正面保护带(T)和晶片(W)进行加热；在实施了加热步骤之后，沿着间隔道向晶片背面(Wb)照射对于晶片(W)具有透过性的波长的激光束而在晶片(W)的内部形成改质层；以及在实施了改质层形成步骤之后，对晶片背面(Wb)进行磨削而将晶片(W)薄化至规定的厚度并且以改质层为起点将晶片(W)分割成各个芯片(C)的磨削步骤。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及形成有器件的晶片的加工方法。
技术介绍
由被称为间隔道的分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的半导体晶片等被加工物沿着间隔道被分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片被应用于各种电子设备等。作为将晶片分割成各个器件芯片的方法，例如，具有使用能够对晶片照射激光束的激光加工装置和能够通过磨削磨具对晶片进行磨削的磨削装置来实施的所谓的被称为SDBG(StealthDicingBeforeGrinding：磨削前隐形切割)的加工方法(例如，参照专利文献1)。该加工方法是使激光加工和磨削组合而成的技术，首先，沿着间隔道照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片内部的规定的深度的位置形成改质层。之后，对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化至完工厚度，并且以改质层为分割起点通过磨削压力使裂缝在晶片的正面侧延伸，从而能够将晶片分割成各个器件芯片。专利文献1：国际公开第03/077295号公报但是，在上述专利文献1所记载的加工方法中，由于通过分割而形成的多个芯片会互相接近，在沿各芯片的对角线方向相邻的各芯片的角部(角)之间没有间隔，所以存在如下问题：所形成的芯片彼此在磨削中发生接触，特别是芯片的角部彼此摩擦而容易在角部产生亏缺。并且，当芯片的角部出现亏缺时，存在以该亏缺为起点产生的裂纹在器件正面上延伸而器件发生破损的问题。因此，在由激光加工和磨削组合而成的晶片的加工方法中，存在对晶片进行分割以使各个芯片的角在磨削加工时不产生亏缺的课题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶片的加工方法，按照使各个芯片的角在磨削加工时不产生亏缺的方式分割晶片。根据本专利技术，提供晶片的加工方法，该晶片具有正面，在该正面上的由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：正面保护带粘贴步骤，在晶片的该正面上粘贴正面保护带；加热步骤，在实施了该正面保护带粘贴步骤之后，对该正面保护带和晶片进行加热；改质层形成步骤，在实施了该加热步骤之后，沿着该间隔道向晶片的背面照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层；以及磨削步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至规定的厚度，并且以该改质层为起点将晶片分割成各个芯片。优选所述间隔道包含沿第一方向延伸的第一间隔道和沿与该第一方向交叉的第二方向延伸的第二间隔道，在所述改质层形成步骤中，分别形成沿着该第一间隔道的第一改质层和沿着该第二间隔道的第二改质层，并且，相邻的芯片的该第一改质层形成为在该第二方向上互相错开。在本专利技术的晶片的加工方法中，通过在实施了正面保护带粘贴步骤之后实施对正面保护带和晶片进行加热的加热步骤，正面保护带成为通过因加热导致的粘接层的软化而提高了与晶片正面的密接性的状态。因此，在磨削步骤中芯片整体不容易发生移动，在磨削步骤中各芯片的角彼此不容易发生摩擦，因此能够使芯片的角不产生亏缺。并且，在本专利技术的晶片的加工方法中，当在改质层形成步骤中形成第一改质层时，按照每个具有器件的相邻的芯片在第二方向上错开地形成非连续的第一改质层。因此，能够在沿对角线方向相邻的各芯片的角部分形成间隔，抑制在磨削步骤中各芯片的角彼此发生摩擦，能够使芯片的角不产生亏缺。附图说明图1是示出在晶片的正面上粘贴保护带的状态的立体图。图2是示出通过热板对正面保护带和晶片进行加热的状态的剖视图。图3是示出使用激光加工装置沿着第二间隔道对晶片照射激光束而在晶片的内部形成第二改质层的状态的剖视图。图4是对在晶片的内部沿着第二间隔道形成有呈直线状连续延伸的第二改质层的状态从晶片的上方进行观察的情况的说明图。图5是对在晶片的内部沿着第一间隔道形成有非连续地延伸的第一改质层的状态从晶片的上方进行观察的情况的说明图。图6是对相对于先形成的第一改质层在第二方向上错开而沿着第一间隔道形成非连续地延伸的第一改质层的状态从晶片的上方进行观察的情况的说明图。图7是示出对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至规定的厚度并且以第一改质层和第二改质层为起点将晶片分割成各个芯片的状态的剖视图。标号说明W：晶片；Wa：晶片的正面；Wb：晶片的背面；S1：第一间隔道；S2：第二间隔道；D：器件；M11、M12：第一改质层；M2：第二改质层；T：正面保护带；Ta：正面保护带的粘贴面；5：热板；1：激光加工装置；10：卡盘工作台；10a：卡盘工作台的保持面；11：激光束照射单元；110：激光振荡器；111：聚光器；111a：聚光透镜；119：接通/断开切换单元；12：加工进给单元；14：对准单元；140：红外线照相机；2：磨削装置；20：保持工作台；20a：保持工作台的保持面；23：Y轴方向进给单元；21：磨削单元；210：旋转轴；212：电动机；213：安装座；214：磨削磨轮；214a：磨轮基台；214b：磨削磨具。具体实施方式以下，对实施本专利技术的晶片的加工方法将图1所示的晶片W分割成各个器件芯片的情况的各步骤进行说明。(1)正面保护带粘贴步骤作为被加工物的图1所示的晶片W例如是具有圆盘状的外形的半导体晶片，在晶片W的正面Wa上排列有多条第一间隔道S1和多条第二间隔道S2，其中，该第一间隔道S1沿第一方向(在图1中为X轴方向)延伸，该第二间隔道S2沿与第一方向在水平面上垂直的第二方向(在图1中为Y轴方向)延伸。一条第一间隔道S1和与其相邻的另一条第一间隔道S1之间的距离(各第一间隔道S1的中心线之间的距离)呈等间隔，并且，一条第二间隔道S2和与其相邻的另一条第二间隔道S2之间的距离(各第二间隔道S1的中心线之间的距离)也呈等间隔。在由第一间隔道S1和第二间隔道S2划分出的矩形的各区域内分别形成有IC等器件D。晶片W在从现在起要实施加工时成为在正面Wa上粘贴有图1所示的正面保护带T从而正面Wa得到保护的状态。正面保护带T例如是具有与晶片W的外径大致相同的外径的圆盘状的膜，具有由聚烯烃构成的基材层和由粘接糊构成的粘接层。通过在使晶片W的中心与正面保护带T的中心大致一致的状态下，在晶片W的正面Wa上粘贴正面保护带T的粘接层的粘贴面Ta，成为晶片W的正面Wa成为被正面保护带T保护的状态。(2)加热步骤在实施了正面保护带粘贴步骤之后，实施对正面保护带T和晶片W进行加热的加热步骤。例如在图2所示的被加热到规定的温度的热板5上进行对正面保护带T和晶片W的加热。热板5的温度根据正面保护带T的粘接层和基材层的种类、带厚度等被适当设定在大约50℃～大约90℃的范围内，在如本实施方式那样、正面保护带T具有由聚烯烃构成的基材层的情况下，热板5的温度例如被设定为大约70℃。即，热板5的温度被设定为不会产生因热量导致的正面保护带T熔融以及因正面保护带T的热收缩导致的外径变化的程度的温度。在图示的例中，使背面Wb侧为下侧而将晶片W载置在热板5上而对正面保护带T和晶片W进行加热，但并不限定于此，也可以使正面保护带T侧为下侧而将晶片W载置在热板5上而对正面保护带T和晶片W进行加热，从而使正面保护带T更快速地被加热。例如，在同时进行正面保护带粘贴步骤和加热步骤的情况下，一边对正面保护带T进行加热一边向晶片W粘贴，在正面保护带T朝向径向外侧延伸的状态下向晶片W粘贴。因此，在粘贴于晶片W上的正面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，该晶片具有正面，在该正面上的由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：正面保护带粘贴步骤，在晶片的该正面上粘贴正面保护带；加热步骤，在实施了该正面保护带粘贴步骤之后，对该正面保护带和晶片进行加热；改质层形成步骤，在实施了该加热步骤之后，沿着该间隔道向晶片的背面照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层；以及磨削步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至规定的厚度，并且以该改质层为起点将晶片分割成各个芯片。

【技术特征摘要】
2016.11.28 JP 2016-2299631.一种晶片的加工方法，该晶片具有正面，在该正面上的由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：正面保护带粘贴步骤，在晶片的该正面上粘贴正面保护带；加热步骤，在实施了该正面保护带粘贴步骤之后，对该正面保护带和晶片进行加热；改质层形成步骤，在实施了该加热步骤之后，沿着该间隔道向晶片的背面照射对于晶片具有透过性的波...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村胜，上里昌充，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP