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半导体设备100具有垂直结构的功率晶体管N1和用于检测该功率晶体管N1的异常发热的温度检测元件10a。功率晶体管N1包括：形成在半导体基板200的第一主表面侧(前表面侧)上的第一电极208、形成在半导体基板200的第二主表面侧(背面侧)的第...
该专利属于罗姆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。

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