掩膜形成方法、掩膜形成用功能层、干蚀刻法及信息记录媒体制法技术

本发明专利技术以提供可获得图形起伏小的掩膜形成方法为其目的，将磁性层（１３）覆盖并形成具有非晶态构造的掩膜形成用功能层（１４），再将掩膜形成用功能层（１４）覆盖形成掩膜形成用功能层（１５），然后，通过规定的处理在掩膜形成用功能层（１５）上形成凹凸图形，从而在掩膜形成用功能层（１４）上形成掩膜（Ｍ１），通过使用掩膜（Ｍ１）对掩膜形成用功能层（１４）进行干蚀刻、在掩膜形成用功能层（１４）上形成凹凸图形（Ｐ３），从而在磁性层（１３）上形成掩膜（Ｍ２）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对蚀刻对象体进行干蚀刻时使用的形成掩膜的掩膜形成方法、使用按照该掩膜形成方法形成的掩膜对蚀刻对象体进行干蚀刻的干蚀刻方法、采用该干蚀刻方法制造信息记录媒体的信息记录媒体制造方法、以及形成将蚀刻对象体覆盖形态的掩膜形成用功能层。
技术介绍
作为采用这种掩膜形成方法形成掩膜来进行信息记录媒体制造的制造方法。申请人在日本专利申请2003-058382号中提出了磁性材料的干蚀刻方法的提案。具体地讲，在申请人所提案的该干蚀刻方法中，首先，如该申请专利的图2所示，在Si(硅)基板12上，制作成按照基底配向层14、磁性薄膜层16、第1掩膜层18、第2掩膜层20、保护层22这一顺序形成的被加工体10。在此场合，基底配向层14是使用Cr(铬)、Cr合金、CoO(氧化钴)或MgO(氧化镁)、NiO(氧化镍)等通过喷溅法形成厚度约为30～300nm，磁性薄膜层16是使用Co(钴)合金通过喷溅法形成厚度约为10～30nm。第1掩膜层18是使用Ta(钽)通过喷溅法形成厚度约为10～50nm。第2掩膜层20是使用Ni(镍)通过喷溅法形成厚度约为10～30nm。又，保护层22是使用正片(日文ポジ)型抗蚀剂通过旋转镀膜法形成厚度约为30～300nm。其次，使用电子线曝光装置对被加工体10的保护层22进行曝光处理之后，通过显像处理，如该申请专利的图4所示，在第2掩膜层20上形成凹凸图形。接着，将形成了该凹凸图形的保护层22作为掩膜使用，通过Ar(氩)气体对第2掩膜层20进行离子束蚀刻，如该申请专利的图5所示，在第1掩膜层18上形成凹凸图形。接着，将形成了该凹凸图形的第2掩膜层20作为掩膜使用，通过CF4气体或SF6气体对第1掩膜层18进行反应性离子束蚀刻，如该申请专利的图6所示，在磁性薄膜层16上形成凹凸图形。接着，将形成了该凹凸图形的第1掩膜层18作为掩膜使用，通过CO气体或NH3气体的混合气体对磁性薄膜层16进行反应性离子束蚀刻，如该申请专利的图7所示，在基底配向层14上形成凹凸图形。接着，使用CF4气体或SF6气体，如该申请专利的图8所示地对残留于凹凸图形的凸图形上的第1掩膜层18进行蚀刻后除去。由此，结束在被加工体10上的磁性薄膜层16的细微加工，作成磁记录媒体。日本专利申请2003-058382号然而，在申请人所提案的干蚀刻方法中，存在着以下应改进的课题。即，在申请人所提案的干蚀刻方法中，将形成了凹凸图形的第2掩膜层20(掩膜形成用功能层)用作掩膜，通过对第1掩膜层18(掩膜形成用功能层)进行反应性离子蚀刻，形成了干蚀刻磁性薄膜层16时使用的掩膜(凹凸图形)。在此场合，在使用Ta通过喷溅法来形成第1掩膜层18时，通常是在磁性薄膜层16的上面形成了具有各种大小不同的结晶粒的第1掩膜层18。在将形成了凹凸图形的第2掩膜层20用作掩膜对第1掩膜层18进行反应性离子蚀刻时，将上述结晶粒作为消失的单位(也称为「消失单位」)对第1掩膜层18进行蚀刻。这样，在第1掩膜层18上形成凹凸图形时，由于在反应性离子蚀刻时将各结晶粒作为了消失单位进行蚀刻，故在磁性薄膜层16上形成的凹凸图形上，因结晶粒的大小不同而在凸图形的宽度方向上会产生锯齿状刻纹的图形起伏。又，在将形成的凹凸图形上产生了图形起伏的第1掩膜层18作为掩膜使用、对磁性薄膜层16进行反应性离子蚀刻时，如图13所示，在磁性薄膜层16上形成的凹凸图形上也会产生图形起伏。图13是对磁性薄膜层16的凹凸图形(作为一例，凸图形的宽度∶凹图形的宽度为4∶1)进行了摄像的附图代用照片，凸图形的轮廓部分用白色表示。在此场合，在该干蚀刻方法中，比如在制造分立(日文デイスクリ一ト)磁道型的磁记录媒体时，由于数据记录用磁道的形成间距的不同，因存在着上述的图形起伏有可能会使记录数据的正常的记录和再生发生困难。具体地讲，在专利技术者正在开发中的分立磁道型的磁记录媒体中，为了提高其记录数据密度，将各数据记录用磁道间的非磁性部(磁性薄膜层16上所形成的凹凸图形上的凹部)的宽度定为约200nm以下的范围。对此，上述的结晶粒的大小为25nm～35nm，较大，因该结晶粒的存在而产生的图形起伏时的起伏量(起伏的宽度)为25nm～35nm。因此，作为一例，相对于100nm的非磁性部的宽度，存在有1/3～1/4大小的凹凸(图形起伏)，有可能难以对数据记录用磁道进行正常的记录和再生。为此，希望能实现在磁性薄膜层16上形成该图形起伏小的凹凸图形的方法。另外，这种图形起伏不仅在反应性离子蚀刻时、在其它各种蚀刻方法(比如离子束蚀刻)的蚀刻时也同样会发生。
技术实现思路
为了改善上述问题，本专利技术主要目的在于，提供可获得图形起伏小的掩膜形成方法、干蚀刻方法、信息记录媒体制造方法、及可形成所需形状的凹凸图形的掩膜的掩膜形成用功能层。为了实现上述目的，本专利技术的掩膜形成方法，形成将蚀刻对象体覆盖状并具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层，再形成将该A掩膜形成用功能层覆盖状的B掩膜形成用功能层，然后，按照规定的处理在该B掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，由此在该A掩膜形成用功能层上形成B掩膜，通过使用该B掩膜对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻、在该A掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在所述蚀刻对象体上形成A掩膜。在此场合，最好是使用反应性离子蚀刻法对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻。又，最好使用含有硅、碳、锗和硼中的至少1种的材料来形成所述A掩膜形成用功能层。又，本专利技术中的掩膜形成用功能层具有非晶态构造，并形成了将蚀刻对象体覆盖的形态。又，本专利技术的干蚀刻方法，形成将蚀刻对象体覆盖状并具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层，再形成将该A掩膜形成用功能层覆盖状的B掩膜形成用功能层，然后，按照规定的处理在该B掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，由此在该A掩膜形成用功能层上形成B掩膜，通过使用该B掩膜对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻、在该A掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在所述蚀刻对象体上形成A掩膜，使用该A掩膜对该蚀刻对象体进行干蚀刻。在此场合，最好是使用反应性离子蚀刻法对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻。又，最好使用含有硅、碳、锗和硼中的至少1种的材料来形成所述A掩膜形成用功能层。又，本专利技术的信息记录媒体制造方法，形成将信息记录媒体用磁性层覆盖状并具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层，再形成将该A掩膜形成用功能层覆盖状的B掩膜形成用功能层，然后，按照规定的处理在该B掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，由此在该A掩膜形成用功能层上形成B掩膜，通过使用该B掩膜对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻、在该A掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在所述信息记录媒体用磁性层上形成A掩膜，使用该A掩膜对该信息记录媒体用磁性层进行干蚀刻，制造成信息记录媒体。采用本专利技术的掩膜形成方法，形成将蚀刻对象体覆盖状并具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层，使用该B掩膜对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻，形成凹凸图形，这样，在对A掩膜形成用功能层干蚀刻时可避免出现将结晶粒作为消失单位进行蚀刻的事态，结果是，可将A掩膜(凹凸图形)所产生的图形起伏抑制成极其微小。通过使用该A掩膜对蚀刻对象体进行干蚀刻，可形成所需形状(图形)的凹凸图形，由此，比如能制造出记录数据可进行正常记录和再生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜形成方法，其特征在于，将蚀刻对象体覆盖并形成具有非晶态构造的Ａ掩膜形成用功能层，再将该Ａ掩膜形成用功能层覆盖并形成Ｂ掩膜形成用功能层，然后，通过规定的处理在该Ｂ掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在该Ａ掩膜形成用功能层上形成Ｂ掩膜，通过使用该Ｂ掩膜对所述Ａ掩膜形成用功能层进行干蚀刻，在该Ａ掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在所述蚀刻对象体上形成Ａ掩膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大川秀一，服部一博，中田胜之，高井充，
申请(专利权)人：TDK股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]