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大回路闭合溅射轨迹柱状磁控靶制造技术

技术编号:1811784 阅读:151 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种磁控溅射镀膜机所用的大回路闭合溅射轨迹的柱状磁控靶。该柱状靶的靶材为圆管,靶材两端置有N极板和S极板,靶管内部的空腔为水冷通道,中间置有N极靴、N极片、S极靴、S极片和永磁体。本实用新型专利技术设计的柱状磁控靶采用平行靶材的轴向的磁路系统,使溅射区与靶管轴向平行且形成大回路闭合溅射轨道,使溅射区沿靶管轴向均匀刻蚀,提高靶材利用率和镀膜均匀性。(*该技术在2005年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种磁控溅射镀膜所用的大回路闭合溅射轨迹的柱状磁控靶,属气相沉积
现在使用的柱状磁控靶,其中有一种的结构如图1和图2所示。其中的磁路系统由环型永磁体3(磁体如同厚垫圈)与极片8相间叠装组成,溅射轨迹为垂直靶轴分布的独立圆环,靶管越长,溅射环越多,好象“糖葫芦”串。由于磁性材料的不均匀性,各独立的圆环溅射区的磁场强度以及相应的等离子环的强度也是不一致的。由此带来的主要问题是(1)各环磁场不同,于是轴向溅射速率不一致,镀膜均匀性差。(2)较强的等离子环集中了较大的电流,该环的靶材刻蚀速度相应较快,于是靶管壁厚率先变薄,造成表面磁感应强度更强,形成愈演愈烈的恶性循环(正反馈效应),使靶材寿命缩短,其利用率只有20~30%。本技术的目的是设计一种新型的柱状磁控靶,对已有的柱状靶从结构上作出改进。本技术是采用平行于圆管状靶材(靶管)轴向分布的磁路系统,形成大回路闭合溅射轨迹新型的柱状磁控靶,从而溅射区与靶管轴向平行,消除了现有柱状靶存在的缺点。本技术设计的大回路闭合溅射轨迹柱状磁控靶的一种结构见图3和图4,它包括靶材、永磁体、水冷通道、N极板、N极靴、N极片和S极板、S极靴、S极片。靶材为空心圆柱形,N极板和S极板分别置于靶材的上下二端。S极片、永磁体和N极片依次相互间隔叠放成一圆柱体后置于靶管内腔的中央。N极靴有二块,其一端与N极板相接,并紧贴靶管内壁向下延伸与各个N极片接触,但不接触位于靶管下端的S极板。S极靴有二块,其一端与S极板相接,并向上延伸与各个S极片接触但不与N极板接触。 附图说明图1是现有技术的柱状磁控靶的结构示意图。图2是图1的A-A向剖视图。图3是本技术设计的一种柱状磁控靶的结构示意图。图4是图3的B-B向剖视图。图1~图4中,1是水冷通道,2是靶材,3是永磁体、4是N极板,5是N极靴,6是S极靴,7是S极板,8是N极片,9是S极片,10是磁芯,11是上盖板,12是下盖板。本技术设计的柱状磁控靶,在工作过程中能构产生平行靶材的轴向磁路系统,使溅射区与靶管轴向平行,而且形成大回路闭合溅射管道,使溅射区沿靶管轴向均匀刻蚀。因而提高靶材利用率和镀膜均匀性。权利要求1.一种大回路闭合溅射轨迹柱状磁控靶,包括靶材、永磁体、水冷通道,其特征在于还包括N极板、N极靴、N极片和S极板、S极靴、S极片;所述的靶材为空心圆柱形靴管,N极板和S极板分别置于靶管的二端;靶管内部的空腔为水冷通道,S极片、永磁体和N极片依次相互间隔叠放成一圆柱体置于靶管的中央;N极靴有二块,极靴的一端与N极板相接并紧贴靶管内壁延伸,与各个N极片相接;S极靴有二块,极靴的一端与S极板相接并紧贴靶管内壁延伸,与各个S极片相接。专利摘要本技术涉及一种磁控溅射镀膜机所用的大回路闭合溅射轨迹的柱状磁控靶。该柱状靶的靶材为圆管,靶材两端置有N极板和S极板,靶管内部的空腔为水冷通道,中间置有N极靴、N极片、S极靴、S极片和永磁体。本技术设计的柱状磁控靶采用平行靶材的轴向的磁路系统,使溅射区与靶管轴向平行且形成大回路闭合溅射轨道,使溅射区沿靶管轴向均匀刻蚀,提高靶材利用率和镀膜均匀性。文档编号C23C14/35GK2239437SQ95219498公开日1996年11月6日 申请日期1995年8月21日 优先权日1995年8月21日专利技术者郑世民, 范毓殿, 李云松 申请人:郑世民本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大回路闭合溅射轨迹柱状磁控靶,包括靶材、永磁体、水冷通道,其特征在于还包括N极板、N极靴、N极片和S极板、S极靴、S极片;所述的靶材为空心圆柱形靴管,N极板和S极板分别置于靶管的二端;靶管内部的空腔为水冷通道,S极片、永磁体和N极片依次相互间隔叠放成一圆柱体置于靶管的中央;N极靴有二块,极靴的一端与N极板相接并紧贴靶管内壁延伸,与各个N极片相接;S极靴有二块,极靴的一端与S极板相接并紧贴靶管内壁延伸,与各个S极片相接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:郑世民范毓殿李云松
申请(专利权)人:郑世民
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]

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