超高真空多功能磁控溅射装置制造方法及图纸

技术编号:1811446 阅读:235 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种超高真空多功能磁控溅射装置。由主溅射室、进样室、磁力传动机构、超高真空抽气装置和高真空抽气分子泵组成,其中主溅射室为梨形结构,由圆柱形真空室配装一“梨把”,“梨把”下面加装一套超高真空抽气装置,进样室为圆筒形,由磁力传动机构控制,卧式置放,通过闸板阀与主溅射室水平方向安装在一起,高真空抽气涡轮分子泵通过闸板阀与进样室连接,位于进样室底部。它具有带空气锁的双室结构、性能优良、无污染。(*该技术在2009年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及溅射镀膜,具体地说是一种超高真空多功能磁控溅射设备。在现有技术中,可应用溅射原理制备薄膜,且溅射膜层的性能显示出明显的优越性,磁控溅射技术及其装置以其“低温”、“高速”两大特点使薄膜工艺发生了深刻的变化,从而进一步拓宽了制备各种新型材料的领域,使薄膜技术得到了突飞猛进的发展。我国目前生产制造的镀膜机均是一个真空室,有油的扩散泵机组抽气,磁控靶少,RF射频功率源不稳定,这种镀膜机不但工作效率不高,而且真空度不高,油蒸汽污染严重,很难制备性能优质的薄膜。为了克服上述不足,本技术的目的是提供一种双室结构、性能优良、无污染的超高真空多功能磁控溅射装置。为了实现上述目的,本技术的技术方案是由主溅射室、进样室、磁力传动机构、超高真空抽气装置和高真空抽气分子泵组成,其中主溅射室为梨形结构,由圆柱形真空室配装一“梨把”,“梨把”处下面加装一套超高真空抽气装置,所述进样室为圆筒形,由磁力传动机构控制,卧式置放,通过闸板阀与主溅射室水平方向安装在一起,所述高真空抽气涡轮分子泵通过闸板阀与进样室连接,位于进样室底部;所述主溅射室由步进电机A、B、顶盖、转盘、样品挡板、靶挡板磁控靶和下底盘组成,其中步进电机A安装在主溅射室的顶盖上,由步进电机A驱动的转盘悬挂于与提升机连接的顶盖下,在转盘底部放置6~8片样品,磁控靶位于安装在机架上的下底盘上,在样品下面设一随转盘周向旋转的样品挡板,在磁控靶上加设一遮挡靶用、由步进电机B控制转动的靶挡板,所述步进电机B安装在下底盘中心位置处;所述进样室里安装有放置样品用样品库、样品加热炉、RF反溅靶组成,由磁力传动机构的磁力进样杆控制的样品库从上部安装在进样室里,其旋转手柄露于外部,所述样品加热炉亦从上部安装在进样室里,靠真空室一侧,其旋转手柄设于真空室外部,在样品加热炉下方,安装一由机械泵驱动的RF反溅靶,于进样室底部;所述超高真空抽气装置由涡轮分子泵和液氮冷阱组成,所述液氮冷阱通过闸板阀安装在主溅射室的“梨把”下面,在液氮冷阱下边是加装了机械泵的涡轮分子泵;所述磁控靶数量为4只,2只永磁靶,2只电磁靶;所述样品挡板为圆形,其上在6~8个样品处只开一个孔。本技术具有如下优点1.真空度高。本技术加装由闸板阀、进样室、磁力传动机构组成的空气锁和超高真空双室结构,溅射镀膜室为梨形,极限真空度(用分子泵抽气)高达<6.6×10-6Pa。2.功能齐全。本技术加装进样室,不但提高了工作效率,减少了系统的污染,而且在进样室又引入了对样品RF反溅清洗和高温退火(800℃)处理的功能;另外除安装永磁靶之外,又安装了电磁靶,电磁靶的表面水平场强可调节,就可用于溅射铁磁材料,制备磁性薄膜。3.自动化程度高。本技术由计算机控制制备多层膜,在已设定程序下,可制备各类膜系的多层膜。 附图说明图1为本技术主视图。图2为本技术俯视图。以下结合附图对本技术的结构和原理作进一步详细说明。如图1、2所示,由主溅射室1、进样室2、磁力传动机构3、超高真空抽气装置4和高真空抽气分子泵5组成,其中主溅射室1为梨形结构,由圆柱形真空室配装一“梨把”,“梨把”处下面加装一套超高真空抽气装置4,所述超高真空抽气装置4由FB600涡轮分子泵41和液氮冷阱42组成,所述液氮冷阱42通过CF150闸板阀安装在主溅射室1的“梨把”下面,在液氮冷阱42下边是加装了2XZ-8机械泵的涡轮分子泵41,这样可保护涡轮分子泵41不受污染和损伤,又保证了装置的极限真空要求,所述进样室2为圆筒形,由磁力传动机构3控制,卧式置放,通过CF100闸板阀6与主溅射室1水平方向安装在一起,其闸板阀6用来隔断进样室2与主溅射室1,使主溅射室1始终保持超高直空状态,所述FB110高真空抽气涡轮分子泵5通过CF100闸板阀6与进样室2连接,位于进样室2底部,其前级泵为2XZ-4机械泵;所述主溅射室1由步进电机A11、B11′、顶盖12、转盘13、样品挡板14、靶挡板15磁控靶16和下底盘17组成,其中步进电机A11安装在主溅射室1的顶盖12上,由步进电机A11驱动的转盘13悬挂于与提升机18连接的顶盖12下,在转盘13采用水冷方式,底部放置6片样品,其中水冷位置5个,加热位置1个,由计算机控制转盘13公转到位,4只磁控靶16位于安装在机架上的下底盘17上,其中2只永磁靶,2只电磁靶,在样品下面设一随转盘13周向旋转的圆形样品挡板14,其上在6个样品处只开了一个孔,在磁控靶16上加设一遮挡靶用、由步进电机B11′控制转动的靶挡板15,所述步进电机B11′安装在下底盘17中心位置处;所述进样室2里安装有放置样品用样品库21、样品加热炉22、RF反溅靶23组成,由磁力传动机构3的磁力进样杆控制的样品库21从上部安装在进样室1里,其旋转手柄露于外部,所述样品加热炉22亦从上部安装在进样室1里,靠真空室1一侧,其旋转手柄设于真空室1外部,在样品加热炉22下方,安装一RF反溅靶23,于进样室2底部。本技术的磁控靶16选用专用溅射铁磁材料(Fe、Co、Ni),所述转盘13亦可采用液氮冷却方式,其电控部分为现有技术。本技术应用荷能粒子(通常为正离子)轰击物体,从而引起物体表面原子从母体中逸出现象这一磁控溅射技术原理,其工作过程如下本技术为带有空气锁的双室结构,即主溅射室1和进样室2为双室,闸板阀6、进样室2、磁力传动机构3构成空气锁,其中,主溅射室1和进样室2由空气锁闸板阀6隔离,进样室2内加装样品,通过磁力传动机构3可将其内样品送进主溅射室1,也可将主溅射室1内已镀好的样品从其内取出,送回进样室2内;靶挡板15用以开始起辉瞬间遮挡磁控靶16靶极,做炼靶之用,当靶材被溅射出新鲜表面时即可打开靶挡板15溅射,在样品挡板14处只开一个孔,露出一个样品,此样品挡板与转盘13连在一起用微机控制转动,仅对露出的一片样品在不同靶位下溅射镀膜,该片工艺完成后,可用样品叉拔动挡板齿轮,使开口转至第二片样品继续镀膜;主溅射室1的主要功能是在超高真空环境背景下溅射制膜,可不用反复暴露大气,即可换取样品,减少了系统的污染,保证了所制备薄膜的纯净。权利要求1.一种超高真空多功能磁控溅射装置,其特征在于由主溅射室(1)、进样室(2)、磁力传动机构(3)、超高真空抽气装置(4)和高真空抽气分子泵(5)组成,其中主溅射室(1)为梨形结构,由圆柱形真空室配装一“梨把”,“梨把”处下面加装一套超高真空抽气装置(4),所述进样室(2)为圆筒形,由磁力传动机构(3)控制,卧式置放,通过闸板阀(6)与主溅射室(1)水平方向安装在一起,所述高真空抽气涡轮分子泵(5)通过闸板阀(6)与进样室(2)连接,位于进样室(2)底部。2.按照权利要求1所述超高真空多功能磁控溅射装置,其特征在于所述主溅射室(1)由步进电机A、B(11、11′)、顶盖(12)、转盘(13)、样品挡板(14)、靶挡板(15)磁控靶(16)和下底盘(17)组成,其中步进电机A(11)安装在主溅射室(1)的顶盖(12)上,由步进电机A(11)驱动的转盘(13)悬挂于与提升机(18)连接的顶盖(12)下,在转盘(13)底部放置6~8片样品,磁控靶(16)位于安装在机架上的下底盘(17)上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超高真空多功能磁控溅射装置,其特征在于:由主溅射室(1)、进样室(2)、磁力传动机构(3)、超高真空抽气装置(4)和高真空抽气分子泵(5)组成,其中主溅射室(1)为梨形结构,由圆柱形真空室配装一“梨把”,“梨把”处下面加装一套超高真空抽气装置(4),所述进样室(2)为圆筒形,由磁力传动机构(3)控制,卧式置放,通过闸板阀(6)与主溅射室(1)水平方向安装在一起,所述高真空抽气涡轮分子泵(5)通过闸板阀(6)与进样室(2)连接,位于进样室(2)底部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李求恕冯彬闫佐健鲁向群吕祺金振奎刘大为刘军戚晖孙荣昌魏吉萍曾志群潘福全郭宝英石长友谭亮周景玉
申请(专利权)人:中国科学院沈阳科学仪器研制中心
类型:实用新型
国别省市:89[中国|沈阳]

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