在相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案制造方法及图纸

本发明专利技术涉及在相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案，大体上关于半导体结构，并且尤指相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案及其制造方法。该结构包括：在晶圆上包含基极、集电极与发射极的功率放大器(PA)装置；以及在该晶圆上包含基极、集电极与发射极的低噪声放大器(LNA)装置，该发射极与该基极具有相同结晶结构。

【技术实现步骤摘要】
在相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案
本专利技术大体上关于半导体结构，并且尤指相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案及其制造方法。
技术介绍
诸如运算与无线通信装置等某些应用需要双极性互补式金属氧化物半导体(BiCMOS)集成电路。这些应用需要在相同晶圆上整合低噪声放大器(LNA)装置与功率放大器(PA)装置，例如：SiGe异质接面双极晶体管(HBT)。然而，LNA装置与PA装置会具有不同的效能及优化要求。举例而言，LNA装置可能需要较高贝他、较高短路电流增益截止频率(fT)及较低基极电阻器(Rb)。另一方面，PA装置可能需要较低基极发射极电容(Cbe)及较高崩溃电压(BVceo)(标称贝他)。有可能使LNA装置与PA装置HBT共享同一基极外形。然而，在此一方法中，仅一个装置可将效能优化，而另一装置则使用额外布植或布局将给定的基极外形优化。
技术实现思路
在本专利技术的一态样中，一种结构包含：在晶圆上包含基极、集电极与发射极的功率放大器(PA)装置；以及在该晶圆上包含基极、集电极与发射极的低噪声放大器(LNA)装置，该发射极与该基极具有相同结晶结构。在本专利技术的一态样中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结构，其包含：功率放大器(PA)装置，在晶圆上包含基极、集电极与发射极；以及低噪声放大器(LNA)装置，在该晶圆上包含基极、集电极与发射极，该发射极与该基极具有相同结晶结构。

【技术特征摘要】
2016.11.23 US 15/360,2951.一种结构，其包含：功率放大器(PA)装置，在晶圆上包含基极、集电极与发射极；以及低噪声放大器(LNA)装置，在该晶圆上包含基极、集电极与发射极，该发射极与该基极具有相同结晶结构。2.如权利要求1所述的结构，其中，该基极是SiGe材料或Si材料。3.如权利要求1所述的结构，其中，该发射极是掺杂与退火材料。4.如权利要求1所述的结构，其中，该发射极与该基极是单结晶结构。5.如权利要求1所述的结构，其中，该LNA装置的该发射极包括浓度比该PA装置的该发射极的n型掺质浓度更高的n型掺质。6.如权利要求5所述的结构，其中，该LNA装置的所述n型掺质均匀地分布。7.如权利要求5所述的结构，其中，所述n型掺质包括As、P及Sb其中一者。8.如权利要求1所述的结构，其中，该LNA装置的该发射极相对该PA装置的该发射极具有降低的电阻。9.如权利要求1所述的结构，其中，该LNA装置的该发射极是再结晶半导体。10.如权利要求1所述的结构，其中，该PA装置的该发射极与该LNA装置的该基极具有不同晶体结构。11.一种结构，其包含：功率放大器(PA)装置，具有基极、发射极与集电极区；以及低噪声放大器(LNA)，包含基极、发射极与集电...

【专利技术属性】
技术研发人员：瑞纳塔·A·卡米罗卡斯罗，夫厚尔·杰恩，刘岂之，安东尼·K·史塔佩尔，
申请(专利权)人：格芯公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY