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本发明涉及在相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案，大体上关于半导体结构，并且尤指相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案及其制造方法。该结构包括：在晶圆上包含基极、集电极与发射极的功率放大器(PA)装置；以及在该晶圆上包含基极、...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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