自对准与非自对准的异质接面双极晶体管的共同整合制造技术

本发明专利技术涉及自对准与非自对准的异质接面双极晶体管的共同整合，是关于半导体结构，且更特别的是，关于自对准与非自对准的异质接面双极晶体管的共同整合和制法。该结构包括在相同晶圆上以不同外延基极分布整合的至少两个异质接面双极晶体管(HBT)装置。该至少两个HBT装置中的第二装置的本质基极外延是用作该至少两个HBT装置中的第一装置的外质基极。

【技术实现步骤摘要】
自对准与非自对准的异质接面双极晶体管的共同整合
本专利技术是有关于半导体结构，且更特别的是，有关于自对准与非自对准的异质接面双极晶体管的共同整合和制法。
技术介绍
异质接面双极晶体管(HBT)为一种双极接面晶体管(BJT)，其于发射极和基极区或于基极和集电极区是使用不同的半导体材料，由此建立异质接面。HBT可处理极高频率的讯号，达数百GHz。HBT常使用于射频(RF)系统，以及需要高功率效率的应用，例如手机中的RF功率放大器。由于不同的优化要求，有极优良低噪声放大器(LNA)和极优良功率放大器(PA)硅锗HBT的BiCMOS技术难以在同一个晶圆上整合。例如，LNA装置需要高电流增益beta，低Rb(基极电阻)及低Ccb(集电极-基极电容)用于低噪声指数(NF)及高增益。自对准发射极/基极整合方案用于LNA为较佳，因为它产生较低的Rb及较低的Ccb。在LNA技术中，通常使用产生高Rb及高基极电流(低beta)的植入外质基极结构。另一方面，PA装置需要低Cbe(基极-发射极电容)及高BVceo(就给定beta而言)。在此等PA实作中，需要宽发射极且发射极-基极的自对准不是必要的。因此，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结构，包含在相同晶圆上以不同外延基极分布整合的至少两个异质接面双极晶体管(HBT)装置，其中，该至少两个HBT装置中的第二装置的本质基极外延是用作该至少两个HBT装置中的第一装置的外质基极。

【技术特征摘要】
2016.08.02 US 15/226,5751.一种结构，包含在相同晶圆上以不同外延基极分布整合的至少两个异质接面双极晶体管(HBT)装置，其中，该至少两个HBT装置中的第二装置的本质基极外延是用作该至少两个HBT装置中的第一装置的外质基极。2.如权利要求1所述的结构，其中，该不同外延基极分布为两个不同的硅锗外延基极分布。3.如权利要求1所述的结构，其中，该至少两个HBT装置包括功率放大器与低噪声放大器。4.如权利要求1所述的结构，其中，于底切中形成半导体材料，以使升高的外质基极连结至在该第一装置上的本质基极。5.如权利要求4所述的结构，其中，该第二装置的该外延基极为硅锗材料，以及该第一装置的该外质基极为多晶材料。6.如权利要求1所述的结构，其中，该至少两个HBT装置中的第一装置包括自对准发射极/基极整合。7.如权利要求6所述的结构，其中，该至少两个HBT装置中的该第二装置包括非自对准发射极/基极整合。8.如权利要求1所述的结构，其中：该不同外延基极分布有不同的掺杂物浓度用于该至少两个HBT装置的该第一装置及该第二装置；该不同外延基极分布有不同的锗含量用于该至少两个HBT装置的该第一装置及该第二装置；以及该不同外延基极分布有不同的厚度用于该至少两个HBT装置的该第一装置及该第二装置。9.如权利要求1所述的结构，其中，该至少两个HBT装置包括有自对准发射极及基极区的发射极在上装置以及有非自对准集电极及基极区的集电极在上装置。10.如权利要求1所述的结构，其中，该至少两个HBT有不同的集电极区。11.如权利要求1所述的结构，其中，该至少两个HBT装置的该第一装置及该第二装置有相同的发射极材料。12...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·贾殷，刘岂之，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY