防护环制造技术

一种用于淀积机台的防护环。当晶片配置于淀积机台上，且防护环配置于晶片周围时，防护环邻近晶片的顶面不低于晶片顶面。此外，当晶片配置于淀积机台上，且防护环配置于晶片周围时，防护环与晶片之间的间距小于０．７毫米。本发明专利技术的防护环可使得薄膜在晶片侧壁不会形成侧边淀积的现象，因此可提高薄膜淀积工艺的平坦度与良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种应用于淀积机台的防护环(Guard-Ring)。
技术介绍
薄膜淀积(Thin film deposition)技术已是半导体(Semiconductor)产业所广泛应用的技术之一。薄膜淀积技术可分为物理汽相淀积(Physical VaporDeposition，PVD)以及化学汽相淀积(Chemical Vapor Deposition，CVD)。前者主要是通过物理现象进行薄膜淀积，而后者主要是以化学反应的方式进行薄膜淀积。而无论是何种方式的汽相淀积，是需要于一淀积机台上进行相关工艺。图1绘示的是现有技术中应用于淀积工艺中的一种化学淀积机台的剖面示意图。请参照图1，淀积机台100至少包括承载座110与防护环120。其中，承载座110具有支撑面S1与侧面S2，欲进行薄膜淀积的晶片130是配置于支撑面S1上，且承载座110的边缘延伸有凸缘112。防护环120是配置于凸缘112上。此外，对于等离子加强型化学汽相淀积工艺(PECVD)或高密度等离子加强型化学汽相淀积工艺(HDPCVD)来说，防护环120是用来保护反应室下半部的区域以防止其遭受等离子的轰击。图2绘示的是进行多重金属镶嵌的金属内连线工艺时的晶片的剖面示意图。请参照图2，金属内连线的制作一般是先在一晶片130上依序淀积多层薄膜，例如依序淀积氮化硅薄膜210、掺氟硅玻璃(FSG)薄膜220、氮氧化硅薄膜230、另一层掺氟硅玻璃薄膜240等。之后，再利用光刻蚀刻等技术形成接触窗开口242与多重金属镶嵌开口244后，填入金属材料以制作出金属插塞252、254，其中金属插塞254可和已经制作于晶片130中的金属层260(如元件接点)电性连接。然而，在进行如图2所示的多层薄膜淀积时，由于图1中的防护环120其邻近晶片130的顶面120a是低于晶片130的顶面130a，且防护环120与晶片130的间距d较大，所以多层薄膜210、220、230、240将会在晶片130的侧壁130b上，形成如图3所示的侧边淀积200。具体而言，在晶片130的侧壁130b形成的侧边淀积，将会影响靠近晶片130外围的淀积平坦度，并会使得淀积在晶片130上的薄膜容易产生剥离(peeling)的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种用于淀积机台的防护环，其适于防止晶片的侧壁形成侧边淀积，并进而减少晶片上淀积的薄膜剥离的问题。本专利技术提出一种用于淀积机台的防护环，当一晶片配置于一淀积机台上，且防护环配置于晶片周围时，防护环邻近晶片的顶面不低于晶片顶面。本专利技术提出一种用于淀积机台的防护环，当一晶片配置于一淀积机台上，且防护环配置于晶片周围时，防护环与晶片之间的间距小于0.7毫米。在本专利技术的一实施例中，上述的防护环与晶片之间的间距例如为小于0.7毫米。在本专利技术的一实施例中，上述的防护环的内直径例如为300.7±0.1毫米。在本专利技术的一实施例中，上述的晶片的直径例如为300±0.3毫米。在本专利技术的一实施例中，上述的淀积机台例如为化学汽相淀积机台。在本专利技术的一实施例中，上述的防护环的材质例如为陶瓷。由于本专利技术的防护环邻近晶片的顶面是不低于晶片顶面，甚至防护环配置于晶片周围时，防护环与晶片之间的间距十分相近，因此大大地减少了在进行薄膜淀积工艺时，薄膜在晶片侧壁形成侧边淀积的现象，因此可提高薄膜淀积的平坦度与良率。为了让本专利技术的上述及其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。附图说明图1绘示的是现有技术中应用于淀积工艺中的一种化学淀积机台的剖面示意图；图2绘示的是进行多重金属镶嵌工艺的金属内连线工艺时的晶片的剖面示意图；图3绘示的是薄膜工艺中产生于晶片侧壁的侧边淀积的示意图；图4A～4B绘示的是本专利技术一优选实施例中一淀积机台的剖面示意图； 图5为本专利技术一优选实施例中淀积机台的俯视示意图；图6A为一晶片利用本专利技术的防护环在薄膜淀积工艺后，进行晶片的侧边取样的俯视示意图；图6B为图6A的部分晶片的侧边剖面示意图。具体实施例方式图4A～4B绘示的是本专利技术一优选实施例中一淀积机台的剖面示意图。请参照图4A，淀积机台300至少包括一承载座310与一防护环320。其中，淀积机台300例如是用于等离子加强型化学汽相淀积工艺或高密度等离子加强型化学汽相淀积工艺的淀积机台。另外，承载座310具有支撑面S1与侧面S2，欲进行薄膜淀积的晶片330是配置于支撑面S1上，且承载座310的边缘延伸有凸缘312。此承载座310例如是E-chuck型的承载座或是Pedestal型的承载座，其中E-chuck型的承载座是利用静电的方式使晶片330配置于承载座上。另外，防护环320是配置于凸缘312上。而且，对于等离子加强型化学汽相淀积工艺或高密度等离子加强型化学汽相淀积工艺来说，防护环320是用来保护反应室下半部的区域以防止遭受等离子的轰击。此防护环320的材质例如是陶瓷材料。特别是，当一晶片330配置于淀积机台300上，且防护环320是配置于晶片330周围时，本专利技术的防护环320邻近晶片330的顶面320a不低于晶片顶面330a。换言之，本专利技术的防护环320邻近晶片330的顶面320a可与晶片顶面330a为同等高度(如图4A所示)，或者防护环320邻近晶片330的顶面320a是高于晶片顶面330a(如图4B所示)。如此一来，本专利技术的防护环320由于其顶面320a高度是不低于晶片330的顶面330a，所以本专利技术的防护环320除了可以有效保护反应室下半部的区域外，更可有效保护晶片330的侧壁，而不会如同现有技术那样在晶片330的侧壁生成侧边淀积200(如图3所示)。另外，除了使用具有较高顶面的防护环320可以有效避免侧壁淀积的问题之外，在另一实施例中，使防护环320与晶片330之间的间距d’缩小也可以有效避免侧壁淀积的问题。以下是以图5的淀积机台的俯视示意图来做说明。请参照图5，使防护环320与晶片330之间的间距d’缩小，例如使防护环320与晶片330之间的间距d’小于0.7毫米。在一优选实施例中，防护环320的内直径d1例如为300.7±0.1毫米，晶片330的直径d2例如为300±0.3毫米，而此时防护环320与晶片330之间的间距d’小于0.7毫米。如此一来，由于本专利技术的防护环320与晶片330的间距d’缩短，即晶片330的侧壁十分贴近防护环320的内缘侧壁，所以可有效地防止在薄膜淀积工艺进行时，晶片330的侧壁形成侧边淀积的情形。由上可知，无论本专利技术的防护环具有较高的顶面，或是其与晶片330之间的间距d’较小，或是其具有较高的顶面且其与晶片330之间的间距d’较小，本专利技术的防护环不但可以有效保护反应室下半部的区域，更可有效避免晶片330的侧壁的淀积，进而改善现有所淀积的薄膜易剥离的问题。以下是使用本专利技术的防护环来进行薄膜淀积工艺，以证明本专利技术的防护环的确可以有效解决晶片的侧壁易形成侧边淀积的问题。图6A为一晶片利用本专利技术的防护环在薄膜淀积工艺后，进行晶片的侧边取样的俯视示意图，图6B为图6A的部分晶片的侧边剖面示意图。请参照图6A与图6B，本试验是在进行薄膜淀积工艺时，利用本专利技术的防护环来对于晶片的侧壁进行防护，以避免产生侧边淀积的现象。在薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于淀积机台的防护环，当一晶片配置于一淀积机台上，且该防护环配置于该晶片周围时，该防护环邻近该晶片的顶面不低于该晶片顶面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖建兴，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]