绝缘栅双极晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管包括P型衬底、形成于所述P型衬底表面的多个沟槽、形成于所述P型衬底的沟槽所在一侧的表面上及沟槽中的N型外延。由于所述P型衬底和N型外延之间具有所述多个沟槽，在沟槽内存在有经过刻蚀工艺导致的缺陷，可以作为后续注入空穴的复合中心，极大的降低了器件的关断时间，提高了绝缘栅双极晶体管的器件性能。

【技术实现步骤摘要】
绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本专利技术涉及半导体制造工艺
，特别地，涉及一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。与功率MOSFET相比，IGBT最显著的区别是在N型衬底下方加入了一层P型材料。器件工作时，P型材料中的空穴会注入到N型衬底中，进行导电调制，以降低器件的通态电压，但带来的问题是，IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，注入到N型衬底的大量导电空穴难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，器件不能立刻关断，极大的限制了器件的高频应用。当前降低IGBT关断时间，主要有以下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述绝缘栅双极晶体管包括P型衬底、形成于所述P型衬底表面的多个沟槽、形成于所述P型衬底的沟槽所在一侧的表面上及沟槽中的N型外延。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述绝缘栅双极晶体管包括P型衬底、形成于所述P型衬底表面的多个沟槽、形成于所述P型衬底的沟槽所在一侧的表面上及沟槽中的N型外延。2.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述绝缘栅双极晶体管还包括形成于所述N型外延表面的P型体区、形成于所述P型体区表面源区、形成于所述P型体区、源区及所述N型外延层上的栅极。3.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述沟槽均匀分布于所述P型衬底上，所述P型衬底上的所有沟槽的平面面积小于所述P型衬底的平面面积的三分之一。4.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述沟槽的深度在500埃-1500埃的范围内。5.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述沟槽的平面形状为圆形、方形、三角形或六角形。6.一种绝缘栅双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：提供P型衬底，在所述P型衬底上形成光刻胶；利用所...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳市晶特智造科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44