一种交流输入电源处理电路及移动电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种交流输入电源处理电路及移动电源，交流输入电源处理电路包括市电接口、单相整流桥和电阻投切电路；市电接口包括L端和N端；市电接口接单相整流桥的交流侧；单相整流桥的直流侧的第一端(正输出端)通过电阻投切电路接交流输入电源处理电路输出端(对应标号为400V)；单相整流桥的直流侧的第二端接地；所述的电阻投切电路为基于继电器的电阻投切电路。该交流输入电源处理电路具有电阻投切电路，灵活性好。

【技术实现步骤摘要】
一种交流输入电源处理电路及移动电源
本技术特别涉及一种交流输入电源处理电路及移动电源。
技术介绍
移动电源应用极为广泛，可以用于为手机等电子产品充电；一般采用市电对移动电源充电，在充电过程前期中，存在的浪涌电流对整个移动电源具有极大的危害；而在充电过程的后期，浪涌电流消失，现有的技术中，没有专门针对浪涌电流的措施，无法保障充电过程顺利进行，而且无法保障最大限度的充电效率(避免能量损耗)；因此，有必要设计一种新的交流输入电源处理电路及移动电源。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种交流输入电源处理电路及移动电源，该交流输入电源处理电路及移动电源具有电阻投切电路，灵活性好。技术的技术解决方案如下：一种交流输入电源处理电路包括市电接口、单相整流桥和电阻投切电路；市电接口包括L端和N端；市电接口接单相整流桥的交流侧；单相整流桥的直流侧的第一端(正输出端)通过电阻投切电路接交流输入电源处理电路输出端(对应标号为400V)；单相整流桥的直流侧的第二端接地；所述的电阻投切电路为基于继电器的电阻投切电路。所述的电阻投切电路包括电阻R36、继电器K1和NPN型的三极管Q1；继电器K1包括一个线圈和一个常开开关；该线圈的第一端接直流电源VCP；该线圈的另一端接三极管Q1的c极；三极管Q1的b极经电阻R11接控制端RLY-CONTROL，该控制端来自MCU；三极管Q1的e极接地；三极管Q1的b极和e极之前跨接有电阻R14；该常开开关与电阻R36并联；电阻R36的第一端接单相整流桥的直流侧的第一端；电阻R36的第二端经二极管D9接交流输入电源处理电路输出端。电阻R36的第二端与二极管D9之间依次串接有电感L1和L4。单相整流桥的直流侧的第二端经测量电阻R1接地。市电接口的L端和N端之间接有压敏电阻支路；压敏电阻支路由压敏电阻RV6和RV1串联而成。单相整流桥的交流侧并联有压敏电阻RV7。市电接口的L端依次经电感L9和L8接单相整流桥。单相整流桥采用GBJ25M器件。所述的交流输入电源处理电路还包括MOSFET驱动电路；MOSFET驱动电路包括MOSFET驱动器、MOS管Q3以及三极管Q5；MOS管为N沟道MOS管，三极管为PNP型三极管；MOSFET驱动器的输入端经电阻R7接PWM信号输出端PFC-DRIVE；PWM信号输出端PFC-DRIVE来自PFC电路；MOSFET驱动器的输出端经电阻R21接MOS管Q3的G极；MOS管Q3的D极接二极管D9的正极；MOS管Q3的S极接地；MOS管Q3的G极和S极之间跨接有电阻R12；MOS管Q3的G极和S极分别接三极管Q5的e极和c极；三极管Q5的b极接MOSFET驱动器的输出端。所述的MOSFET驱动电路为并联的2个，第2个包括Q2和Q4；作为冗余设计。MOS管Q3采用IPA60R099C6；三极管Q5采用FSB749；所述的MOSFET驱动器为IXDN604SIA芯片(4安培双低侧超快MOSFET驱动器)。一种移动电源，包括前述的交流输入电源处理电路。有益效果：本技术的交流输入电源处理电路，具有电阻投切电路，灵活性好；电阻投切电路中，VCP为继电器供电的电压。RLY-CONTROL用于继电器控制。继电器用于投切电阻R36，刚通电时，继电器开路，电阻R36抑制浪涌电流，稳定之后，继电器吸合，将电阻R36短路，相当于切除R36。另外，该电路与PFC电路相结合，能有利于后续移动电源的电芯的充电的顺利进行。采用PFC芯片为核心芯片实现功率因数校正，通过升压(升压到380-400V左右)以及PWM控制实现功率因数的校正，实际应用表明，本技术的功率因数校正电路校正效果好，运行稳定，适合推广实施。附图说明图1为PFC电路的原理图；图2为交流输入电源处理电路的原理图。具体实施方式为了便于理解本技术，下文将结合说明书附图和较佳的实施例对本文技术做更全面、细致地描述，但本技术的保护范围并不限于一下具体实施例。除非另有定义，下文中所使用的所有专业术语与本领域技术人员通常理解含义相同。本文中所使用的专业术语只是为了描述具体实施例的目的，并不是旨在限制本技术的保护范围。实施例1：如图1-2，一种交流输入电源处理电路包括市电接口、单相整流桥和电阻投切电路；市电接口包括L端和N端；市电接口接单相整流桥的交流侧；单相整流桥的直流侧的第一端(正输出端)通过电阻投切电路接交流输入电源处理电路输出端(对应标号为400V)；单相整流桥的直流侧的第二端接地；所述的电阻投切电路为基于继电器的电阻投切电路。所述的电阻投切电路包括电阻R36、继电器K1和NPN型的三极管Q1；继电器K1包括一个线圈和一个常开开关；该线圈的第一端接直流电源VCP；该线圈的另一端接三极管Q1的c极；三极管Q1的b极经电阻R11接控制端RLY-CONTROL，该控制端来自MCU；三极管Q1的e极接地；三极管Q1的b极和e极之前跨接有电阻R14；该常开开关与电阻R36并联；电阻R36的第一端接单相整流桥的直流侧的第一端；电阻R36的第二端经二极管D9接交流输入电源处理电路输出端。电阻R36的第二端与二极管D9之间依次串接有电感L1和L4。单相整流桥的直流侧的第二端经测量电阻R1接地。市电接口的L端和N端之间接有压敏电阻支路；压敏电阻支路由压敏电阻RV6和RV1串联而成。单相整流桥的交流侧并联有压敏电阻RV7。市电接口的L端依次经电感L9和L8接单相整流桥。单相整流桥采用GBJ25M器件。所述的交流输入电源处理电路还包括MOSFET驱动电路；MOSFET驱动电路包括MOSFET驱动器、MOS管Q3以及三极管Q5；MOS管为N沟道MOS管，三极管为PNP型三极管；MOSFET驱动器的输入端经电阻R7接PWM信号输出端PFC-DRIVE；PWM信号输出端PFC-DRIVE来自PFC电路；MOSFET驱动器的输出端经电阻R21接MOS管Q3的G极；MOS管Q3的D极接二极管D9的正极；MOS管Q3的S极接地；MOS管Q3的G极和S极之间跨接有电阻R12；MOS管Q3的G极和S极分别接三极管Q5的e极和c极；三极管Q5的b极接MOSFET驱动器的输出端。所述的MOSFET驱动电路为并联的2个，第2个包括Q2和Q4；作为冗余设计。MOS管Q3采用IPA60R099C6；三极管Q5采用FSB749；所述的MOSFET驱动器为IXDN604SIA芯片(4安培双低侧超快MOSFET驱动器)。一种PFC电路，包括PFC芯片，所述的PFC芯片为功率因数校正芯片；功率因数校正电路的输入端包括全波整流电压输入端RECT-AC和电流检测信号端PFC-CS；功率因数校正电路的输出端包括PWM信号输出端PFC-DRIVE。所述的PFC芯片采用L4981芯片；全波整流电压输入端RECT-AC经依次串联的电阻Rd和R70接地；电阻Rd和R70的连接点接L4981芯片的VRMS端；Rd由R104，R52和R53串联而成。电流检测信号端PFC-CS经电阻R72接L4981芯片的I-PK端；电流检测信号端PFC-CS经电阻R73接L4981芯片的MI-OUT端；L4981芯片的GATE端为PWM信号输出端PFC-DRIVE。移动电源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种交流输入电源处理电路,其特征在于，包括市电接口、单相整流桥和电阻投切电路；市电接口包括L端和N端；市电接口接单相整流桥的交流侧；单相整流桥的直流侧的第一端通过电阻投切电路接交流输入电源处理电路输出端；单相整流桥的直流侧的第二端接地；所述的电阻投切电路为基于继电器的电阻投切电路。

【技术特征摘要】
1.一种交流输入电源处理电路,其特征在于，包括市电接口、单相整流桥和电阻投切电路；市电接口包括L端和N端；市电接口接单相整流桥的交流侧；单相整流桥的直流侧的第一端通过电阻投切电路接交流输入电源处理电路输出端；单相整流桥的直流侧的第二端接地；所述的电阻投切电路为基于继电器的电阻投切电路。2.根据权利要求1所述的交流输入电源处理电路,其特征在于，所述的电阻投切电路包括电阻R36、继电器K1和NPN型的三极管Q1；继电器K1包括一个线圈和一个常开开关；该线圈的第一端接直流电源VCP；该线圈的另一端接三极管Q1的c极；三极管Q1的b极经电阻R11接控制端RLY-CONTROL；三极管Q1的e极接地；三极管Q1的b极和e极之前跨接有电阻R14；该常开开关与电阻R36并联；电阻R36的第一端接单相整流桥的直流侧的第一端；电阻R36的第二端经二极管D9接交流输入电源处理电路输出端。3.根据权利要求2所述的交流输入电源处理电路,其特征在于，电阻R36的第二端与二极管D9之间依次串接有电感L1和L4。4.根据权利要求1所述的交流输入电源处理电路,其特征在于，单相整流桥的直流侧的第二端经测量电阻R1接地。5.根据权利要求1所述的交流输入电源处理电路,其...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖跃飞，严红生，
申请(专利权)人：东莞市巨星电池有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44