沟槽弯曲度测量方法及装置、缺陷数量预测方法及装置制造方法及图纸
Trench curvature measurement method and device, defect quantity prediction method and device
The invention provides a groove bending degree measuring method and device, and a defect quantity prediction method and device. The method of measuring the groove bending degree includes obtaining the image of the topography in the area to be measured, determining the roughness of the grooves in the area in the measured area according to the image image, and determining the groove bending degree of the area to be measured according to the roughness. Compared with the prior art, the invention realizes the automatic quantitative measurement of the groove bending degree by using the shape and image, and has higher accuracy.
【技术实现步骤摘要】
沟槽弯曲度测量方法及装置、缺陷数量预测方法及装置
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种沟槽弯曲度测量方法及装置，以及一种缺陷数量预测方法及装置。
技术介绍
刻蚀，是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种重要步骤，其本质是一种图形化处理步骤，具体而言，刻蚀是通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，沟槽的刻蚀是刻蚀工艺中极为常见的应用。为了提高半导体器件的集成度，业界已提出了多种双重图形工艺，其中，自对准双重图形(Self-AlignedDoublePatterning，SADP)工艺即为其中的一种，自对准双重图形工艺也称为自对准双沟槽刻蚀工艺，图1(a)、图1(b)和图1(c)示出了三维存储器制程中自对准双沟槽刻蚀工艺的关键节点，分别为主轴刻蚀结果的示意图、侧墙沉积结果的示意图和沟槽刻蚀结果的示意图，其中，主轴刻蚀和沟槽刻蚀本质上都是沟槽的刻蚀。半导体器件对产品结构的加工精度及准确度要求极为严格，加工过程中任何尺寸或结构上的偏差都有可能造成产品的失效或良率的降低，例如，在三维NAND存储器的制程中，在自对准双沟槽刻蚀阶段...
【技术保护点】
一种沟槽弯曲度测量方法，其特征在于，包括：获取待测区域的形貌影像，所述待测区域内开设有沟槽；根据所述形貌影像，确定所述待测区域内沟槽的粗糙度；根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度。
【技术特征摘要】
1.一种沟槽弯曲度测量方法，其特征在于，包括：获取待测区域的形貌影像，所述待测区域内开设有沟槽；根据所述形貌影像，确定所述待测区域内沟槽的粗糙度；根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度。2.根据权利要求1所述的沟槽弯曲度测量方法，其特征在于，所述获取待测区域的形貌影像，包括：采用扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，得到待测区域的形貌影像。3.根据权利要求2所述的沟槽弯曲度测量方法，其特征在于，所述采用扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，包括：采用观察型扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域。4.根据权利要求3所述的沟槽弯曲度测量方法，其特征在于，所述采用观察型扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，包括：采用观察型扫描电子显微镜，按照由左至右的方式扫描扫描待测对象的待测区域。5.根据权利要求1所述的沟槽弯曲度测量方法，其特征在于，所述粗糙度包括边缘粗糙度和线宽粗糙度；所述根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度，包括：根据所述边缘粗糙度和所述线宽粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度。6.根据权利要求5所述的沟槽弯曲度测量方法，其特征在于，所述根据所述边缘粗糙度和所述线宽粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度，包括：根据以下公式确定所述待测区域的沟槽弯曲度：
【专利技术属性】
技术研发人员：张彪，芈健，邵克坚，王琨，乐陶然，陈保友，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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