氮化物半导体发光元件制造技术

本发明专利技术的氮化物半导体发光元件具备n侧层、p侧层和活性层，所述活性层设置于所述n侧层与所述p侧层之间，且具有阱层及势垒层，所述阱层包含Al、Ga和N，所述势垒层包含Al、Ga和N且Al的含量大于所述阱层；在活性层与p侧层之间具有电子阻挡结构层，电子阻挡结构层具有：第1电子阻挡层，其带隙大于势垒层；第2电子阻挡层，其设置于p侧层与第1电子阻挡层之间，具有大于势垒层且小于第1电子阻挡层的带隙；以及中间层，其设置于第1电子阻挡层与第2电子阻挡层之间，且带隙小于第2电子阻挡层。

Nitride semiconductor luminescent element

The nitride semiconductor luminescent element of the present invention has the N side layer, the p side layer and the active layer. The active layer is arranged between the N side layer and the p side layer, and has a well layer and a barrier layer, the well layer contains Al, Ga and N, the barrier layer contains Al, Ga and N and Al content is larger than the well layer; between the active layer and the p side layer. An electronic barrier layer with an electronic barrier layer: first electronic barrier layer, its band gap greater than the barrier layer; second electronic barrier layer, set between the p side layer and the first electronic barrier layer, with a band gap that is larger than the barrier layer and less than first electronic barrier layer; and the middle layer is set at the first electronic barrier layer and second. The electron barrier layer is smaller than the second electron barrier layer.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化物半导体发光元件
本专利技术涉及氮化物半导体发光元件，尤其涉及发出深紫外光的氮化物半导体发光元件。
技术介绍
以GaN为代表的氮化物半导体是直接跃迁型的半导体，进而，通过在包含A1或In的三元混晶或四元混晶中适当设定组成而使带隙变化，可发出红外至深紫外的光。特别是，将包含Al的带隙大的氮化物半导体用于活性层的氮化物半导体发光元件可以通过适当设定铝组成而构成，以使得发出波长220～350nm的深紫外光，因而期待作为深紫外光源(例如，LED及LD)而实用化。例如在专利文献1中，公开了通过在包含含有Al的带隙大的氮化物半导体的活性层上形成电子阻挡层，而改善发光效率的氮化物半导体发光元件。现有技术文献专利文献专利文献1：WO2011/104969
技术实现思路
专利技术所要解决的问题然而，将以往的包含Al的带隙大的氮化物半导体用于活性层的氮化物半导体发光元件，与蓝色LED等相比有寿命短的倾向。因此，本专利技术的实施方式的目的在于，提供一种将包含Al的带隙大的氮化物半导体用于活性层而构成的寿命长的氮化物半导体发光元件。用于解决问题的手段本专利技术的一实施方式的氮化物半导体发光元件的特征在于，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体发光元件，其具备n侧层、p侧层和活性层，所述活性层设置于所述n侧层与所述p侧层之间，且具有阱层及势垒层，所述阱层包含Al、Ga和N，所述势垒层包含Al、Ga和N且Al的含量大于所述阱层，其特征在于，在所述活性层与所述p侧层之间具有电子阻挡结构层，所述电子阻挡结构层具有：第1电子阻挡层，其带隙大于所述势垒层；第2电子阻挡层，其设置于所述p侧层与所述第1电子阻挡层之间，具有大于所述势垒层且小于所述第1电子阻挡层的带隙；以及中间层，其设置于所述第1电子阻挡层与所述第2电子阻挡层之间，且带隙小于所述第2电子阻挡层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.28 JP 2015-1902941.一种氮化物半导体发光元件，其具备n侧层、p侧层和活性层，所述活性层设置于所述n侧层与所述p侧层之间，且具有阱层及势垒层，所述阱层包含Al、Ga和N，所述势垒层包含Al、Ga和N且Al的含量大于所述阱层，其特征在于，在所述活性层与所述p侧层之间具有电子阻挡结构层，所述电子阻挡结构层具有：第1电子阻挡层，其带隙大于所述势垒层；第2电子阻挡层，其设置于所述p侧层与所述第1电子阻挡层之间，具有大于所述势垒层且小于所述第1电子阻挡层的带隙；以及中间层，其设置于所述第1电子阻挡层与所述第2电子阻挡层之间，且带隙小于所述第2电子阻挡层。2.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，所述中间层的带隙小于所述势垒层的带隙。3.如权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件，其中，所述第1电子阻挡层与所述阱层相接。4.如权利要求1～3中任一项所述的氮化物半导体发光元件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朝田耕司，冈部德太郎，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP