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本发明的氮化物半导体发光元件具备n侧层、p侧层和活性层，所述活性层设置于所述n侧层与所述p侧层之间，且具有阱层及势垒层，所述阱层包含Al、Ga和N，所述势垒层包含Al、Ga和N且Al的含量大于所述阱层；在活性层与p侧层之间具有电子阻挡结构层...
该专利属于日亚化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日亚化学工业株式会社授权不得商用。

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