单晶圆旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭露一种单晶圆旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置，用于收集蚀刻单晶圆的流体，包含：转盘，固定及旋转单晶圆；至少一个回收盘，固设于该转盘的外缘，用以收集该单晶圆旋转时甩出的该流体；至少一个盖盘，对应并盖设于该回收盘上，用以导引该流体流至该回收盘中；至少一个升降组，该升降组包括对称的两个升降单元，该升降组连设于该盖盘，用以相对于该转盘及该回收盘而上下作动该盖盘。

Fluid collecting device for rotary cleaning machine table of single crystal circle

The invention discloses a fluid collection device for a single crystal circular etching cleaning machine, which is used to collect a fluid that etched a single crystal circle, including a rotating disk, a fixed and rotating single crystal circle; at least one recovery plate is fixed on the outer edge of the turntable to collect the fluid thrown out when the single crystal circle rotates; at least one cap plate, corresponding to it, is used. The cover is placed on the recovery plate to guide the fluid flow into the recycling disc; at least one lifting group, which consists of two symmetrical lifting units, is attached to the cap plate to move the disc relative to the turntable and the recovery disk.

【技术实现步骤摘要】
单晶圆旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置
本专利技术涉及一种单晶圆旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置，尤其涉及一种利用上下作动导引流体的盖盘而可将不同流体分别收集于对应的回收盘的流体收集装置。
技术介绍
湿式蚀刻为目前半导体制程当中不可或缺的程序之一，一般来说，半导体单晶圆在湿式蚀刻的过程中会经过多道蚀刻清洗的程序，例如，先以A酸进行第一次蚀刻，接着以B酸进行第二次蚀刻，最后再以去离子水冲洗洗净，而基于成本考虑，所述使用过的蚀刻液需要进行回收再利用，因此，现有的旋转蚀刻装置设有多个蚀刻液收集槽，通过将各该蚀刻液收集槽整体相对于放置单晶圆的转盘上下作动，或者将放置单晶圆的转盘相对于蚀刻液收集槽上下作动的方式，来分别收集不同的蚀刻液，以避免蚀刻液之间的混掺而造成污染或发生化学变化而造成危险的情况。若旋转蚀刻装置在操作上以将各该蚀刻液收集槽整体相对于放置单晶圆的转盘上下作动的方式(即单晶圆不动而蚀刻液回收槽上下移动)，来收集不同的蚀刻液，则与各该蚀刻液收集槽连接的排液管只能采用软式管，且需加泵以将收集到的蚀刻液输送至回收桶，同时有不易清洗蚀刻液收集槽内部的问题，从而造成软式管中残留蚀刻液并因清洗不干净而有造成污染的疑虑。若旋转蚀刻装置在操作上以将放置单晶圆的转盘及单晶圆整体相对于蚀刻液收集槽上下作动的方式(即单晶圆上下移动而蚀刻液收集槽不动)，来收集不同的蚀刻液，则有容易造成单晶圆的震动而使其破裂的风险，也有不易清洗蚀刻液收集槽内部的问题。基于上述现有的旋转蚀刻装置的蚀刻液收集槽的缺失，提供一种单晶圆旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置，以使该流体收集装置具有排液管有多种选择性且不需增加泵以将收集到的蚀刻液输送至回收桶以及容易清洗该流体收集装置内部的优点为本专利技术所欲积极揭露之处。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于改善现有的旋转蚀刻装置有蚀刻液回收管的形式可选择性少及不易清洗蚀刻液回收槽内部的问题。为达上述目的及其他目的，本专利技术提出一种单晶圆旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置，用于收集蚀刻单晶圆的流体，包含：转盘，固定及旋转单晶圆；至少一个回收盘，固设于该转盘的外缘，用以收集该单晶圆旋转时甩出的该流体；至少一个盖盘，对应并盖设于该回收盘上，用以导引该流体流至该回收盘中；至少一个升降组，该升降组包括对称的两个升降单元，该升降组连设于该盖盘，用以相对于该转盘及该回收盘而上下作动该盖盘。于本专利技术的实施例中，其中该盖盘为环状且中央部具有径向开口。于本专利技术的实施例中，其中该径向开口与该转盘的外周距离为1～10mm。于本专利技术的实施例中，其中该径向开口与该转盘的外周距离较佳为3～5mm。于本专利技术的实施例中，其中该回收盘为环状。于本专利技术的实施例中，其中该盖盘还具有导引顶壁及导引侧壁，该导引顶壁为朝外方倾斜的环状顶面，该导引侧壁系为该盖盘的侧面，该导引侧壁的一部分与该回收盘的侧壁的一部分相互重迭。于本专利技术的实施例中，其中该回收盘与该盖盘的数目相等。于本专利技术的实施例中，其中该回收盘连接回收管，用以排出该流体。借此，本专利技术的流体收集装置通过固定不动的回收盘与转盘及相对于回收盘及转盘而可上下作动的盖盘，来完成导引不同的流体流至对应的回收盘，并且由于回收盘固定不动，因此连接该回收盘的回收管可选择使用硬式管或软式管，以及由于回收盘与盖盘可分离，因此可容易地清洗该回收盘的内部。附图说明图1为本专利技术实施例中的流体收集装置的开盖示意图；图2为本专利技术实施例中的流体收集装置的下视图；图3为本专利技术实施例中的流体收集装置的截面示意图；图4为本专利技术实施例中的流体收集装置的第一使用状态截面示意图；图5为本专利技术实施例中的流体收集装置的第二使用状态截面示意图；图6为本专利技术实施例中的流体收集装置的第三使用状态截面示意图；图7为本专利技术实施例中的流体收集装置的第四使用状态截面示意图。【符号说明】1流体收集装置10转盘101转轴11回收盘111第一回收盘112第二回收盘113第三回收盘114第一回收盘侧壁115第二回收盘侧壁116第三回收盘侧壁12回收管121第一回收管122第二回收管123第三回收管13通孔131第一通孔131’第一通孔132第二通孔132’第二通孔133第三通孔133’第三通孔14盖盘141第一盖盘141a第一导引顶壁141b第一导引侧壁142第二盖盘142a第二导引顶壁142b第二导引侧壁143第三盖盘143a第三导引顶壁143b第三导引侧壁15升降组151第一升降单元151’第一升降单元152第二升降单元152’第二升降单元153第三升降单元153’第三升降单元20喷嘴d距离W单晶圆具体实施方式为充分了解本专利技术的目的、特征及功效，现通过下述具体的实施例，并配合附图，对本专利技术做进一步详细说明，说明如下：请参考图1至图4，本专利技术的流体收集装置1，用于收集单晶圆W旋转蚀刻时甩出的流体，该流体收集装置1包含转盘10、至少一个回收盘11、至少一个盖盘14及至少一个升降组15。该转盘10连设转轴101，以固定及旋转单晶圆W。该回收盘11为环状且固设于该转盘的外缘，用以收集该单晶圆W旋转时甩出的该流体，该回收盘11连接回收管12以排出该流体，该回收管12再连接回收桶(图未示)以承接通过该回收管12排出的流体。该回收盘11包括第一回收盘111、第二回收盘112及第三回收盘113，其中该第一回收盘111固设于最靠近该转盘10，该第三回收盘113固设于最远离该转盘10，该第二回收盘112固设于该第一回收盘111及该第三回收盘113之间。该第一回收盘111具有第一回收盘侧壁114，该第二回收盘112具有第二回收盘侧壁115，该第三回收盘113具有第三回收盘侧壁116。该第一回收盘111、该第二回收盘112及该第三回收盘113的底部呈凹槽状。该第一回收盘111、该第二回收盘112及该第三回收盘113分别连接第一回收管121、第二回收管122及第三回收管123，以分别排出不同的流体。该盖盘14为环状且具有径向开口，以盖设于该回收盘11上，用以导引该流体流至该回收盘11中。该盖盘14包括第一盖盘141、第二盖盘142及第三盖盘143，其中该第一盖盘141对应盖设该第一回收盘111，该第二盖盘142对应盖设该第二回收盘112，该第三盖盘143对应盖设该第三回收盘113。该第一盖盘141、该第二盖盘142及该第三盖盘143的径向开口与该转盘10的外周的距离d可为1～10mm，较佳的距离d为3～5mm，以避免使用时因旋转的该单晶圆W的离心力而朝外飞散的流体会喷溅至非对应收集该流体的回收盘。该第一盖盘141具有第一导引顶壁141a及第一导引侧壁141b，该第二盖盘142具有第二导引顶壁142a及第二导引侧壁142b，该第三盖盘143具有第三导引顶壁143a及第三导引侧壁143b。该第一导引顶壁141a、该第二导引顶壁142a及该第三导引顶壁143a为朝外方倾斜的环状顶面，用以提供单晶圆W甩出的流体的撞击，再将流体分别导引至该第一回收盘111、该第二回收盘112及该第三回收盘113。该第一导引侧壁141b、该第二导引侧壁142b及该第三导引侧壁143b的一部分分别与该第一回收盘侧壁114、该第二回收盘侧壁115及该第三回收盘侧壁116的一部分相互重迭，以确保单晶圆W甩出的流体不会渗出该第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶圆旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置，用于收集蚀刻单晶圆的流体，其特征在于，包含：转盘，固定及旋转单晶圆；至少一个回收盘，固设于该转盘的外缘，用以收集该单晶圆旋转时甩出的该流体；至少一个盖盘，对应并盖设于该回收盘上，用以导引该流体流至该回收盘中；至少一个升降组，该升降组包括对称的两个升降单元，该升降组连设于该盖盘，用以相对于该转盘及该回收盘而上下作动该盖盘。

【技术特征摘要】
1.一种单晶圆旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置，用于收集蚀刻单晶圆的流体，其特征在于，包含：转盘，固定及旋转单晶圆；至少一个回收盘，固设于该转盘的外缘，用以收集该单晶圆旋转时甩出的该流体；至少一个盖盘，对应并盖设于该回收盘上，用以导引该流体流至该回收盘中；至少一个升降组，该升降组包括对称的两个升降单元，该升降组连设于该盖盘，用以相对于该转盘及该回收盘而上下作动该盖盘。2.如权利要求1所述的流体收集装置，其特征在于，该盖盘为环状且中央部具有径向开口。3.如权利要求2所述的流体收集装置，其特征在于，该径向开口与该转盘的外周距...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜锡铭，
申请(专利权)人：锡宬国际有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71