一种填充方钴矿基热电复合材料及其制备方法技术

技术编号:1790811 阅读:128 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种填充方钴矿基热电复合材料及其制备方法,属于热电材料领域。该材料的组成式为I↓[y]A↓[4]B↓[12]/zIO↓[x],I为Yb或Eu或Ce或La或Nd或Ca或Sr中的一种,A为Sb或者Sb和Ge或Sn或Te或Se中一种的混合,B为Co或者Co和Fe或Ni中一种的混合,y为I元素的实际填充量,y+z=m,m大于填充方钴矿原子的填充极限。该材料采用先采用熔融法合成块体材料,即按1∶Co∶Sb=m∶4∶12摩尔比配料后,封入密闭的石英管中。将原料加热至熔融状态,经过充分化学反应并冷却后,获得块体材料,再用机械粉碎并研磨成粉末。然后将上述粉末用脉冲直流通电快速烧结成致密的块体。该材料在降低晶格热导率同时不影响材料的电传输性能,从而提高材料的热电转换性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及,属于热电材料领域。
技术介绍
热电转换技术是一种将热能和电能进行直接转换的技术,具有无运动部件、无噪声、可靠性高、寿命长等特点,在航空航天、信息通讯等领域有广泛应用前景。热电转换技术的应用主要取决于热电材料的无量纲性能指数ZT值(ZT=α2σT/κ,其中α为Seebeck系数;σ为电导率;κ为热导率,T为绝对温度),ZT值越高,材料性能越好。填充方钴矿化合物是在中温区(400~600℃)附近具有最佳热电转换性能的材料之一。CoSb3基填充方钴矿化合物的ZT值均可达1.0以上。但是这类材料的晶格热导率仍较高,为了进一步降低填充方钴矿化合物的晶格热导率,可以在基体中掺入第二相形成复合材料,引入声子散射缺陷,降低晶格热导率。S.Katsuyama等人(J.Appl.Phys.88.3484)采用球磨法加入FeSb2颗粒制备CoSb3基复合材料,这种方法工艺复杂,FeSb2容易团聚且高温时不稳定,易分解出杂质Fe,而Fe易与基体发生反应,改变基体成分。史迅等(物理学报.53.1409)采用固相反应法制备CoSb3/C60复合材料,并且就在CoSb3及BayCo4Sb12中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种填充方钴矿基热电复合材料,其特征在于其组成式为I↓[y]A↓[4]B↓[12]/zIO↓[x],I为Yb或Eu或Ce或La或Nd或Ca或Sr中的一种,A为Sb或者Sb和Ge或Sn或Te或Se中一种的混合,B为Co或者Co和Fe或Ni中一种的混合,y为I元素的实际填充量,y+z=m,m大于填充方钴矿原子的填充极限。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈立东赵雪盈柏胜强史迅
申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

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