一种半导体器件及其制造方法和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成隔离结构；在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述半导体衬底的部分表面上形成半导体接触层，所述半导体接触层覆盖预定形成浅结源极和预定形成浅结漏极的区域，所述半导体接触层中包括硅元素；在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成所述浅结源极和所述浅结漏极；进行金属硅化物工艺，以将至少部分所述半导体接触层转变为金属硅化物层。本发明专利技术的方法，降低了插入损失，有利于控制关断电流，通过在源极和漏极上额外形成半导体接触层，来形成浅结源极和漏极，并能够降低源极和漏极的结面积。

Semiconductor device and manufacturing method and electronic device thereof

The invention provides a semiconductor device, a manufacturing method and an electronic device thereof, and relates to the semiconductor technology field. The method includes: providing a semiconductor substrate, forming an isolation structure in the semiconductor substrate, forming a gate structure on the semiconductor substrate, forming a semiconductor contact layer on a partial surface of the semiconductor substrate, which covers a predetermined formation of a shallow junction source and a region predetermined to form a shallow junction drain. The semiconductor contact layer includes the silicon element; the shallow junction source and the shallow junction drain are formed in the semiconductor substrate on both sides of the gate structure, and the metal silicide process is carried out to convert at least part of the semiconductor contact layer into a metal silicide layer. The method of the invention reduces the insertion loss, helps to control the turn off current, forms the shallow junction source and drain by forming the semiconductor contact layer on the source and drain, and can reduce the junction area of the source and the drain.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法和电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。
技术介绍
在半导体
中，射频前端模块(RadioFrequencyFrond-EndModule，简称RFFEM)，是无线通信设备(例如手机、平板电脑等)中的关键组件，而射频开关器件(简称射频开关，通常为集成电路或集成电路的一部分)又是射频前端模块的关键组件之一。射频前端模块(RFFEM)中的射频开关，需要具有高的信号保真性、低的插入损失(insertionloss)、良好的线性特征和较小的信号形变。标准的CMOS器件包括半导体衬底，形成在半导体衬底上的栅极，形成在栅极两侧的半导体衬底中的源极/漏极，以及用于将栅极、源极、漏极和体(body)引出的互连线，然而标准的CMOS器件源/漏极和体之间存在大的寄生电容，由于更多的功率容量(powerhandling)使CMOS射频开关器件的总宽度非常大，并且寄生电容变得越来越大，通常这种结构产生了一种功率漏电路径，称其为插入损失(insertionloss)，插入损失越小，则射频开关的性能越好。因此，有必要提出一种半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成隔离结构；在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述半导体衬底的部分表面上形成半导体接触层，所述半导体接触层覆盖预定形成浅结源极和预定形成浅结漏极的区域，所述半导体接触层中包括硅元素；在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成所述浅结源极和所述浅结漏极；进行金属硅化物工艺，以将至少部分所述半导体接触层转变为金属硅化物层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成隔离结构；在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述半导体衬底的部分表面上形成半导体接触层，所述半导体接触层覆盖预定形成浅结源极和预定形成浅结漏极的区域，所述半导体接触层中包括硅元素；在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成所述浅结源极和所述浅结漏极；进行金属硅化物工艺，以将至少部分所述半导体接触层转变为金属硅化物层。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底为高电阻材料，其中，所述半导体衬底的电阻值大于2KΩ。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述栅极结构之前，还包括进行离子注入，以在所述半导体衬底中形成用于调节阈值电压的注入区的步骤。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体接触层的材料为多晶硅。5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隔离结构位于所述半导体衬底中的深度范围为6000～8000埃。6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述隔离结构的步骤包括以下过程：在半导体衬底的表面上形成硬掩膜层，在所述硬掩膜层上形成图案化的光刻胶层，所述光刻胶层覆盖有源区；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，依次蚀刻所述硬掩膜层和部分所述半导体衬底，以形成沟槽，并去除所述光刻胶层；在所述沟槽中填充满隔离材料，以形成所述隔离结构；去除所述硬掩膜层。7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超，周儒领，张庆勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31