半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板，在位于FET区域与二极管区域之间的分界区域、位于二极管区域与周边耐压区域之间的分界区域以及位于FET区域与周边耐压区域之间的分界区域中的至少一个分界区域的位置处在表面形成有沟槽；绝缘膜，覆盖所述沟槽的内面；以及电极膜，覆盖所述绝缘膜的内面，且与源电极及阳极电极中的任一个导通。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本说明书公开半导体装置。
技术介绍
如日本特开2002-373989所公开那样，有时在同一半导体基板形成有各种区域的组合，例如，FET区域、二极管区域和周边耐压区域的组合，FET区域和二极管区域的组合，二极管区域和周边耐压区域的组合，或者FET区域和周边耐压区域的组合。即，存在具备位于FET区域与二极管区域之间的分界区域、位于二极管区域与周边耐压区域之间的分界区域、或者位于FET区域与周边耐压区域之间的分界区域的半导体装置。在FET区域形成有成为体区域的p型区域。在利用沟槽栅电极的情况下，有时形成绕沟槽栅电极群的形成范围一圈的p型区域。在从FET区域向“位于FET区域与二极管区域之间的分界区域”延伸或者从FET区域向“位于FET区域与周边耐压区域之间的分界区域”延伸的p型区域的周围容易产生电场集中。在周边耐压区域形成有保护环或者成为降低表面电场层的p型区域。在从周边耐压区域向“位于周边耐压区域与FET区域之间的分界区域”延伸或者从周边耐压区域向“位于周边耐压区域与二极管区域之间的分界区域”延伸的p型区域的周围容易产生电场集中。在二极管中，存在如JBS二极管(Junctio本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，在位于FET区域与二极管区域之间的分界区域、位于二极管区域与周边耐压区域之间的分界区域以及位于FET区域与周边耐压区域之间的分界区域中的至少一个分界区域的位置处在表面形成有沟槽；绝缘膜，覆盖所述沟槽的内面；以及电极膜，覆盖所述绝缘膜的内面，且与源电极及阳极电极中的任一个导通。

【技术特征摘要】
2016.10.20 JP 2016-2058231.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，在位于FET区域与二极管区域之间的分界区域、位于二极管区域与周边耐压区域之间的分界区域以及位于FET区域与周边耐压区域之间的分界区域中的至少一个分界区域的位置处在表面形成有沟槽；绝缘膜，覆盖所述沟槽的内面；以及电极膜，覆盖所述绝缘膜的内面，且与源电极及阳极电极中的任一个导通。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在与所述分界区域相邻的相邻区域形成有p型区域，所述电极膜的底面处于比所述p型区域的底面深的位置。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，形成于所述相邻区域的所述p型区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：永冈达司，渡边行彦，浦上泰，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP