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本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成隔离结构；在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述半导体衬底的部分表面上形成半导体接触层，所述半导体接触层覆盖预定形成浅结源...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。