用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法技术

本发明专利技术提供了一种用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法，包括：将待测试样品处理到钨栓塞层；使用聚焦离子束机台对处理之后的待测试样品的失效区块进行标记；通过纳米点针台给台阶区钨栓塞施加一定的电压，找出阵列区字线层与字线层之间的或字线层与源极之间的失效路径；使用聚焦离子束机台，在失效的字线层对应的台阶区钨栓塞处引出线路，然后在线路的末端沉积金属垫体；通过微光显微镜给金属垫体施加一定的电压，从而突出失效处的热点信号；在失效点处标记激光标记；使用聚焦离子束机台在激光标记处进行剖面切削，同时观察失效点，制备透射电子显微镜试片；以及使用透射电子显微镜对试片进行表征。本发明专利技术的方法能够快速实现对字线层短路点的定位和表征。

Method for quickly locating short circuit in three dimensional memory array area

The present invention provides a method for fast locating the short circuit of a three dimensional memory array area, including: processing the tested samples to the tungsten embolism layer; using a focused ion beam machine to mark the failure blocks of the treated samples; applying a certain voltage to the tungsten embolism in the step area through a nano point pin table, and finding out a certain voltage. The failure path between the word line layer and the word line layer between the character line layer and the word line layer; using a focused ion beam machine, the line is drawn out at the step zone tungsten embolism corresponding to the invalid character line layer, and then the metal pad is deposited at the end of the line; a certain voltage is applied to the metal pad by a microlight microscope so as to protruding. The hot signal at the failure point; marking the laser mark at the failure point; cutting the section at the laser mark by the focused ion beam machine, observing the failure point at the same time, preparing the transmission electron microscope test piece; and using the transmission electron microscope to characterize the specimen. The method of the invention can quickly locate and characterize the short circuit points of the word line layer.

【技术实现步骤摘要】
用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法
本专利技术涉及一种失效分析方法，特别涉及一种用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法。
技术介绍
在半导体研发、生产过程中，失效分析是改善工艺提高良率不可或缺的手段。失效分析流程中，最基本最重要的步骤就是失效点的定位，定位的精度直接影响后续的分析，因此如何获得准确的失效位置尤为关键。但是在目前的三维存储器产品中，存储阵列区结构为字线层堆叠模式，随着堆叠层数越来越多(≥32层)，阵列区范围越来越大(≥3mm*6mm)，阵列区的失效将成为主要的失效模式。针对字线层间、字线与源极间发生短路类型的失效，需要精确定位(≤1μm范围)到失效点，从而实现对阵列区的失效分析，需要设计一套流程快速实现对短路点的定位和切片分析。现有技术无法实现针对三维存储器阵列区的字线层间、字线与源极间的短路失效点进行精确定位和表征。三维存储器工艺不稳定导致阵列区字线层与字线层之间、字线层与源极间发生短路，从而影响产品的性能。由于阵列区范围大，精确找到失效点并进行表征成为一大难点。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法，其特征在于：所述方法包括：将待测试样品处理到钨栓塞层，得到处理之后的待测试样品；使用聚焦离子束机台对所述处理之后的待测试样品的失效区块进行标记，从而方便纳米点针台下针；通过所述纳米点针台给台阶区钨栓塞施加一定的电压，找出阵列区字线层与字线层之间的或字线层与源极之间的失效路径；使用聚焦离子束机台，在失效的字线层对应的台阶区钨栓塞处引出线路，然后在所述线路的末端沉积金属垫体；通过微光显微镜给所述金属垫体施加一定的电压，从而突出失效处的热点信号；通过所述微光显微镜，在失效点处标记激光标记；使用所述聚焦离子束机台在所述激光标记处进行剖面切削，同时观察所述失效...

【技术特征摘要】
1.一种用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法，其特征在于：所述方法包括：将待测试样品处理到钨栓塞层，得到处理之后的待测试样品；使用聚焦离子束机台对所述处理之后的待测试样品的失效区块进行标记，从而方便纳米点针台下针；通过所述纳米点针台给台阶区钨栓塞施加一定的电压，找出阵列区字线层与字线层之间的或字线层与源极之间的失效路径；使用聚焦离子束机台，在失效的字线层对应的台阶区钨栓塞处引出线路，然后在所述线路的末端沉积金属垫体；通过微光显微镜给所述金属垫体施加一定的电压，从而突出失效处的热点信号；通过所述微光显微镜，在失效点处标记激光标记；使用所述聚焦离子束机台在所述激光标记处进行剖面切削，同时观察所述失...

【专利技术属性】
技术研发人员：方斌，张顺勇，鲁柳，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42