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本发明提供了一种用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法，包括：将待测试样品处理到钨栓塞层；使用聚焦离子束机台对处理之后的待测试样品的失效区块进行标记；通过纳米点针台给台阶区钨栓塞施加一定的电压，找出阵列区字线层与字线层之间的或字线层与源极之...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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