一种自对准四重图形技术制造技术

本发明专利技术提供了一种自对准四重图形技术(Self‑Aligned Quadruple Pattern，简称SAQP)，本发明专利技术中的自对准四重图形技术(SAQP)，通过二次沉积侧墙材料工艺，在不改变目前光刻技术的前提下(即光刻窗口大小不变)，可以获得1/4最小尺寸(1/4Pitch)，比原来的自对准双重图形技术(SADP)的1/2最小尺寸(1/2Pitch)有了大幅提升，从而可以极大提高半导体集成电路的密度。

A self aligned four gravity graphic technique

The invention provides a self aligned four gravity graphics technology (Self Aligned Quadruple Pattern, SAQP). The self aligned four gravity graphics technology (SAQP) in the invention can obtain the minimum size of 1/4 (1/4P) without changing the current lithography (i.e. the size of the photolithography window) without changing the current lithography technology. Itch) has greatly improved the 1/2 minimum size (1/2Pitch) of the original self aligned dual graphics technology (SADP), thus greatly improving the density of semiconductor integrated circuits.

【技术实现步骤摘要】
一种自对准四重图形技术
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种芯片后端金属制程工艺，特别是一种自对准四重图形技术(Self-AlignedQuadruplePattern，简称SAQP)，例如用于金属互连结构的制备工艺制程中。
技术介绍
半导体器件，例如3DNAND(3D与非)闪存，其制造必须历经一系列工艺流程，该流程包括诸如刻蚀和光刻等各种不同的半导体器件工艺步骤。在传统的制造流程上会包括300～400个步骤，其中每一步骤都会影响该半导体芯片上各器件的最终形貌，即影响器件的特征尺寸，从而影响器件的各种电特性。在传统的工艺流程上会区分为两类主要的次工艺流程，分别为前段制程(FrontEndofLine，简称FEOL)和后段制程(BackEndofLine，简称BEOL)。后段制程可包括金属层的形成，以及在晶圆上不同层的金属层间金属连线、接触孔的形成等。其中，金属互连结构是为了实现半导体芯片器件之间的电连接的重要结构，目前已发展出各种金属互连结构以及形成工艺，例如铜互连结构，以及形成铜互连结构的电化学镀(ElectrochemicalPlating，简称ECP)工艺。例如，现有技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自对准图形工艺方法，其特征在于包括以下步骤：在待刻蚀层的表面依次沉积形成第一硬掩模层、核心材料层、第二硬掩模层和光刻层，并随后进行光刻以形成图形化的光刻层；利用图形化的光刻层为掩模对第二硬掩模层进行刻蚀，形成图形化的第二硬掩模层；随后利用图形化的第二硬掩模层作为掩模对核心材料层进行刻蚀，形成图形化的核心材料层；随后去除图形化的第二硬掩模层，并沉积形成覆盖图形化的核心材料层和第一硬掩模层的第一侧墙材料层；刻蚀以去除水平方向的第一侧墙材料层以形成第一侧墙层；去除图形化的核心材料层；沉积形成覆盖第一侧墙层和第一硬掩模层的第二侧墙材料层；刻蚀以去除水平方向的第二侧墙材料层以形成第二侧墙层；去除第一...

【技术特征摘要】
1.一种自对准图形工艺方法，其特征在于包括以下步骤：在待刻蚀层的表面依次沉积形成第一硬掩模层、核心材料层、第二硬掩模层和光刻层，并随后进行光刻以形成图形化的光刻层；利用图形化的光刻层为掩模对第二硬掩模层进行刻蚀，形成图形化的第二硬掩模层；随后利用图形化的第二硬掩模层作为掩模对核心材料层进行刻蚀，形成图形化的核心材料层；随后去除图形化的第二硬掩模层，并沉积形成覆盖图形化的核心材料层和第一硬掩模层的第一侧墙材料层；刻蚀以去除水平方向的第一侧墙材料层以形成第一侧墙层；去除图形化的核心材料层；沉积形成覆盖第一侧墙层和第一硬掩模层的第二侧墙材料层；刻蚀以去除水平方向的第二侧墙材料层以形成第二侧墙层；去除第一侧墙层；以第二侧墙层为掩模刻蚀第一硬掩模层以形成图形化的第一硬掩模层；以图形化的第一硬掩模层为掩模刻蚀待刻蚀层以形成沟道。2.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：所述第一硬掩模层为多晶硅(Poly)。3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛晓明，苏林，高晶，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42