去除光刻胶显影后残留缺陷的方法技术

本发明专利技术公开了一种去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，包括如下：步骤一、在晶圆上形成光刻胶并进行曝光和显影形成光刻胶图形，通过曝光对光刻胶图形的尺寸进行预先定义；步骤二、进行光刻胶预处理工艺完全去除被显影的区域存在的光刻胶残留，同时光刻胶预处理工艺使光刻胶图形的尺寸缩小，结合预先定义的尺寸和缩小的尺寸使得光刻胶图形的最终尺寸达到目标尺寸。本发明专利技术能实现去除光刻胶显影后的残留，从而消除后续介质层刻蚀后的介质层残留。

Removal of residual defects in photoresist after rendering

The present invention discloses a method for removing residual defects of photoresist after rendering, including step 1, forming photoresist on the wafer, exposing and developing photoresist graphics, predefining the size of the photoresist graphics by exposure; step two, completely removing the developed photoresist preprocessing technology. The photoresist remains in the region, while the photoresist preprocessing technology reduces the size of the photoresist graphics, and makes the final size of the photoresist figure reach the target size by combining the pre defined size and reduced size. The invention can remove residual after photoresist display, thereby eliminating the residual dielectric layer after subsequent dielectric layer etching.

【技术实现步骤摘要】
去除光刻胶显影后残留缺陷的方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种去除光刻胶显影后残留缺陷的方法。
技术介绍
在器件生产工艺中，经常会用到光刻显影工艺，光刻显影之后再使用湿法刻蚀去除显影区域的介质层。但是，光刻在大块区域的显影能力不足，也即当显影区域面积较大时，会出现少量的光刻胶残留。在具有光刻胶残留的条件下再通过湿法刻蚀去除介质层的时候，由于需要被刻蚀区域的介质层上面具有光刻胶残留而无法实现溶液与介质层的充分接触，最终会导致介质层的残留缺陷。如图1所示，是采用现有光刻显影方法定义后进行介质层刻蚀后的照片；可以看出，图1中分布了很多标记101所示的缺陷。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，能实现去除光刻胶显影后的残留，从而消除后续介质层刻蚀后的介质层残留。为解决上述技术问题，本专利技术提供的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法包括如下：步骤一、在晶圆上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光和显影形成光刻胶图形，通过所述曝光对所述光刻胶图形的尺寸进行预先定义，在被显影的区域存在光刻胶残留。步骤二、进行光刻胶预处理工艺，通过所述光刻胶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，包括如下：步骤一、在晶圆上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光和显影形成光刻胶图形，通过所述曝光对所述光刻胶图形的尺寸进行预先定义，在被显影的区域存在光刻胶残留；步骤二、进行光刻胶预处理工艺，通过所述光刻胶预处理工艺完全去除被显影的区域存在的光刻胶残留，同时所述光刻胶预处理工艺使所述光刻胶图形的尺寸缩小，通过步骤一中预先定义的所述光刻胶图形的尺寸减去步骤二中使所述光刻胶图形的尺寸缩小的量得到所述光刻胶图形的最终尺寸并使所述光刻胶图形的最终尺寸达到目标尺寸。

【技术特征摘要】
1.一种去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，包括如下：步骤一、在晶圆上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光和显影形成光刻胶图形，通过所述曝光对所述光刻胶图形的尺寸进行预先定义，在被显影的区域存在光刻胶残留；步骤二、进行光刻胶预处理工艺，通过所述光刻胶预处理工艺完全去除被显影的区域存在的光刻胶残留，同时所述光刻胶预处理工艺使所述光刻胶图形的尺寸缩小，通过步骤一中预先定义的所述光刻胶图形的尺寸减去步骤二中使所述光刻胶图形的尺寸缩小的量得到所述光刻胶图形的最终尺寸并使所述光刻胶图形的最终尺寸达到目标尺寸。2.如权利要求1所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：所述晶圆为半导体衬底形成的晶圆。3.如权利要求2所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：在所述晶圆表面形成有介质层，所述光刻胶图形用于定义所述介质层的图形结构。4.如权利要求3所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：在步骤二完成之后以所述光刻胶图形为掩模对所述介质层进行刻蚀，通过步骤二中去除被显影的区域存在的光刻胶残留消除在所述介质层的被刻蚀区域形成残留缺陷。5.如权利要求4所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：在所述介质层刻蚀完成之后，通过去胶工艺去除所述光刻胶图形。6.如权利要求5所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述光刻胶预处理工艺的温度低于所述去胶工艺的温度。7.如权利要求6所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述光刻胶预处理工艺在所述去胶工艺的设备中进行。8.如权利要求7所述的去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于：所述去胶工艺的设备中包括机台加热部件，在所述去胶工艺中所述晶圆直接放置在所述机台加热部件上。9.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴杰，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31