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本发明公开了一种去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，包括如下：步骤一、在晶圆上形成光刻胶并进行曝光和显影形成光刻胶图形，通过曝光对光刻胶图形的尺寸进行预先定义；步骤二、进行光刻胶预处理工艺完全去除被显影的区域存在的光刻胶残留，同时光刻胶预处理工...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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